1992～1999 - ESCO전자과학주식회사

1999： 논문･잡지･책

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd₂O₂S:Pr Ceramic Scintillators

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO₂/SiLK resin dielectric based interconnects

• M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
• IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
• J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999：학회발표

1. 이차원 상관분광법에 의한 승온이탈분석 데이터의 해석

• 스기타 노리오，아베 에이지，미야바야시 노부요시*
• 도요하시기술과학대학，*전자과학(주)
• 제22회 정보화학토론회 강연요지집(1999가을)：JP12

2.승온이탈법의 의한 알칸치올SAM막의 흡착상태에 관한 연구

• 아라키 아키라*, 노재근*, 하라　마사히코*,**, W. 크놀*
• *리켄프론티어，**도우코대학 총리공
• 제60회 응용물리학회학술 강연회예고집(1999가을)：2p-Q-8

3.Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
• FRP RIKEN（리켄 프론티어）
• 제60회 응용물리학회학술 강연회예고집(1999가을)：2p-Q-9

4. 유도결합 프라즈마CVD에 의한 작제된 SiO2막의 승온이탈가스분석

• 핫토리 테츠야, 세무라 시게루, 후쿠다 토모에, 아카사카 노부히로
• 스미토모덴코(주)
• 제60회 응용물리학회학술 강연회예고집(1999가을)：3p-H-1

5.SiN/SiO2막중 수소의 열적거동

• 카와시마 요시야, 리우 시엔, 카와노 히데오, 히라타 고*
• NEC디바이스 평가기술연구소，*NEC반도체생산기술본부
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：3p-ZT-16

6.무기CVD-TiN막중 Cl에 의한 Al배선부식의 메카니즘

• 히라사와 켄사이, 나카무라 요시타카, 타마루 고, 세키구치 토시히로, 후쿠다 다꾸야
• (주)히다치제작소 디바이스개발센터
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：3a-ZN-2

7.Co/a-Si:H/c-Si에서의 시리사이드화 과정

• 쿠사무라 가쯔후미, 츠치야 마사히코, 요시다 요코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄덴키대학
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：3a-ZN-6

8.APIMS-TDS에 의한 Si웨이퍼 표면흡착수분의 해석(IV)

• 모리모토 도시히로，우에무라 겐이치
• 신일본제철(주) 첨단기술연구소
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：3a-ZQ-9

9. 진공중S종단처리 GaAs(001)표면의 승온이탈과정의 해석

• 츠카모토 시로, 스기야마 무네히로*, 시모다 마사히코, 마에야마 토모*, 와타나베 요시오*, 오노 타카오, 코구치 노부유키
• 가나자이기켄，*NTT기초연구소
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：4a-ZK-3

10. 고플루엔스 엑키시마레이져 조사에 의한 아몰퍼스실리콘막의 탈수소거동

• 다카하시 미치코, 사이토 마사카즈, 스즈키 겐키치
• 히다치제작소 디스플레이 그룹
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을：4a-ZS-4

11.PDP용MgO막의 증착시산소분압과 가스흡착특성

• 사와다 타카오, 와타베 케이지, 후쿠야마 케이지, 오다이라 타쿠야, 기누가와 마사루
• 미쯔비시전기 첨단총연
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄) : 28p-M-4

12.승온이탈 스펙트럼에 있어서의 시료단 저온부의 수정

• 오타카 겐지
• (주)히다티제작소 기계연구소
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-R-7

13. Difluoro paraxylene을 이용한 유기계 저유전율막의 특성

• 무로야미 가즈，모리야마 이치로
• 소니(주) S.C.프로세스 개발부
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-ZQ-14

14. 불소화 아몰퍼스 카본막의 층간절연막 적합프로세스

• 오제키 가쯔나리，아리가 미찌오
• 업라이트머티어리얼즈 재팬(주)
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄) : 30p-ZQ-19

15. 불소화 아몰퍼스 카본막의 층간막 적용평가

• 마츠이 타카유키, 키시모토 미츠지, 마츠바라 요시히사, 이구치 마나부, 호리우치 타다히코, 엔도 카즈히코*, 타츠미 토오루*, 고미 히데키
• 니혼덴키(주) ULSI디바이스개발연구소，*실리콘시스템 연구소
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-ZQ-20

16. SiO2/Si에 있어서의 수소거동분석

• 류 시엔, 가와시마 요시야, 가와노 히데오, 하마다 코지*, 하마시마 토모히로*
• NEC 디바이스평가연，NEC UL 디바이스평가연*
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：29p-ZS-14

17. 승온이탈법에 의한 비대칭 Dialkyldi Sulfide자기조직화 단분자막의 흡착상태에 관한연구

• 아라키 쇼 *, 카메이 히로지 **, 후지타 카츠히코 *, 하라 마사히코 *, **, W. 크놀*
• 리켄프론티어*，도우코대학 총리공*
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-X-17

18. 비대칭 Dialkyldi Sulfide를 이용한 자기조직화 단분자마의 성장과정에 관한 연구

• 카메이 히로지*, 후지타 카츠히코**, 아라키 아키라**, 하라 마사히코*,**, 사사베 히로유키**, W. 크놀
• 도우코대학 총리공*，리켄프론티어**
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-X-18

19.Destructive Adsorption and Phase Separation of Asymmetric Disulfide SAMs on AU(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy

• J.NOH，M.HARA，H.SASABE and W.KNOLL
• FRP, RIKEN
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-X-19

20. 수소이온주입 기판박리법에서의 웨이퍼 직접접합공정의 검토

• 야마우치 쇼이치, 마츠이 마사키, 오시마 쿠스미
• 덴소 기초연구소
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：31a-ZP-2

21. 수소종단Si표면에서의 습식처리시의 종단수소의 화학반응거동

• 나가타 요이치, 후지와라 신야, 사카가미 히로유키, 신미야하라 마사조, 타카하기 다카유키
• 히로시마대학・공학부
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：28a-ZT-4

22. Si(100)표면상 P의 승온이탈 스펙트럼의 측정

• 히로세 후미히코, 사카모토 히토시
• 미쯔비시중공업 기반연구소
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：28p-ZT-11

23.ECR프라즈마CVD법에 의해 작성된 경질탄소막의 열분해거동

• 마루야마 가즈노리, 소야 토모코, 사토 히데키
• 나가오카기술과학대학 공학부
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：29a-M-2

24. 진공 표면에서 수소의 거동 서론

• 츠카하라 소노코
• 일본 진공 기술 쓰쿠바 초재연
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZH-1

25. 강중의 수소의 존재 상태와 격자 결함

• 나구모 미치히코
• 와세다대학 이공학부 물질개발공학과
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZH-2

26. 다이아몬드 표면에서 수소의 거동

• 가와하라다 요우
• 와세다대학 이공학부, CREST
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZH-6

27. APIMS-TDS에 의한 Si 웨이퍼 표면 흡착 수분의 해석(III)

• 모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
• 신일본제철(주) 첨단기술연구소
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZT-4

28. 8인치 웨이퍼용 승온이탈 측정 장치에 의한 SiO2막의 평가

• 이나요시 사카에, 츠카하라 소노코, 사이토 가즈야, 호시노 요이치*, 하라야스 히로시*
• 일본 진공 기술 (주) 쓰쿠바 초재연, * 일본 진공 기술 (주) 초고 (사)
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZT-5

29. 다이아몬드 C (111)상의 NO 레이저 광 자극 이탈

• 야마다 타로*, 세키 하지메**, 장동영***
• 와세다조 재료연구, **IBM알마덴연구소,***대만중과원 원자분자연
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):30a-L-3

30. 티타늄의 평활 가공에 의한 표면 산화층과 가스 방출 특성

• 이시카와 카즈마사, 미즈노 요시유키, 오카다 타카히로, 혼마 요이치
• 치바공업대학
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):30p-R-2

31. 실라잔 결합을 갖는 저유전율 SOG 막의 특성

• 타시로 유지, 사쿠라이 타카아키, 시미즈 야스오
• 동연(주)
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):30p-ZQ-6

32. 에틸렌기 함유 실리카막의 XeF2 어닐링

• 사노 야스유키*, 스가와라 사토시, 우사미 코이치, 핫토리 다테오*, 마츠무라 마사요시
• 도쿄 공업 대학 공학부, *무사시 공업 대학 공학부
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):30p-ZQ-7

33. Ni / a-Si : H 적층 막에서의 계면 반응 및 실리사이드화 과정 (II)

• 요시다 요코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기 공대
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):31a-ZQ-6

34. SIMS 및 TDS에 의한 a-Si : H 중 H 농도의 평가

• 미카미 아키라, 스즈키 타카유키
• 산요전기 (주) 뉴 머티리얼 연구소
• Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

• Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
• Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
• Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998：논문,잡지,책

1. TG-MS에 의한 세라믹 박막 및 분말의 형성 과정의 해명

• 사와다 유타카, 니시이데 도시가즈*, 마쓰시타 준이치**
• 도쿄 공예 대학 공학부, *일본 대학 공학부, **도카이 대학 공학부
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,289(1998)

2. 재료 연구에서 TPD-MS (Temperature Programmed Desorption or Decomposition Mass-Spectrumetry)의 응용

• 아사히나 균, 타니구치 카네지
• 미쓰비시 화학 (주) 쓰쿠바 연구소
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

• H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
• J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

• H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
• Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6. 냉간 신선 가공한 순철 및 공석강의 승온이탈법에 의한 수소 흡장 특성 평가

• 다카이 켄이치*1, 야마우치 고로*1, 나카무라 마리코*2, 나구모 미치히코*2
• *1)일본전신전화 주식회사 기술협력센터 *2)와세다대학 이공학부
• 일본 금속 학회지, 62, 3, 267-275 (1998)

1998: 학회발표

1. 메조포러스 알루미노실리케이트에 대한 구리 이온 교환 및 그 특성

• 테라오카 야스고, 다카하시 모토노부, 세토구치 유카코, 아사나가 나리유키*, 안부 아키노리*, 이즈미 준*, 모리구치 이사무, 가가와 슈이치
• 나가사키대학 공대, * 미쓰비시 중공
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 113(1998.3)：2P55

2. 이산화티탄 분말 표면에 NO 흡착 및 승온이탈

• Wang Yang, 야나기사와 야스노리
• 나라 교육대학
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 115(1998.3)：2P57

3. NH3-TPD 스펙트럼으로부터 얻은 흡착 엔탈피와 이탈의 활성화 에너지 분포의 비교

• 마스다 타카오, 후지카타 히사히로, 하시모토 켄지
• 교토대학원공
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 24(1998.3)：1P24

4. 실리카 상에서의 광 올레핀 복분해 반응의 활성종

• 다나카 요우스케, 마츠오 시게노부, 다케나카 소, 요시다 도시오*, 후나비키 타쿠조, 요시다 고히로
• 교토대학원공, * 명대원공
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 34(1998.3)：1P34

5. 티탄산 스트론튬계 페로브스카이트형 산화물의 NO 직접 분해 활성

• 요코이 야스하루, 우치다 요
• 도쿄가스 기초 연구
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 40(1998.3)：1P40

6. Pt/HZSM-5에 의한 티오펜의 수소화 탈황 반응

• 쿠로사카 타다히로, 스기오카 마사토시
• 무로란공대
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 51(1998.3)：1P51

7. 티타니아 담지 제올라이트 촉매에 의한 NOx의 환원

• 이와토 히로시, 고난 히로시, 하시모토 케이지, 게이라 요시야
• 긴키대학 이공, * 오사카시립대 공연
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 53(1998.3)：1P53

8. 구리 이온교환 제올라이트상의 NOx형 흡착종의 분해 기구

• 오노 히로노부, 오쿠무라 코헤이, 시모카와베 마사히데, 다케자와 노부쯔네
• 홋카이도대원공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 132(1998.9)：3D426

9.CH4-SCR에 활성인 Pd 제올라이트 중의 Pd종의 검토

• 고쿠라 켄, 가모 신, 키쿠치 히데가즈
• 와세다대 이공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 132(1998.9)：3D426

10. 은 알루미나 촉매상의 NOx 선택 환원 반응에서의 티타늄 처리 효과

• 고토 이치로, 야마구치 마코토, 오우 마사아키, 쿠마야 키미오
• (재) 산업 창조연
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 134(1998.9)：3D428

11. 펄스법을 이용한 담지 Ph 촉매 상에서의 N2O 분해 반응

• 아오야나기 켄지, 유자키 코이치, 우에즈카 요우, 이토 신이치, 구니모리 공부
• 쓰쿠바대학 물자공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 147(1998.9)：4D414

12. 고용체 Co-MgO 촉매 상에서의 N2O 분해 반응에서의 O2 이탈 기구

• 오시하라 켄조, 아키카 켄이치*
• 야마구치 도쿄 이대 기초공, *도코우대학 총리공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 148(1998.9)：4D415

13. 티탄산 스트론튬 분말에 대한 NO 및 CO 흡착·승온 이탈

• 에도 아키코, 이노우 카나코, 도쿠루 시호, 야나기사와 야스노리
• 나라 교대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집,2(1998.9)：1P202

14. Ni(110) 상에 흡착된 카르복실산의 분해 반응

• 야마가타 케이, 쿠보타 준, 노무라 준코, 히로세 치아키, 도마이 잇세이, 와카바야시 후미다카*
• 도코우대 자원연, *국립과학박물관
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 207(1998.9)：3D601

15. 금운모 촉매에 의한 알코올의 탈수소 반응

• 하시모토 케이지, 도카이 나오하루
• 오사카시립대 공연
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 21(1998.9)：1P222

16.Al, Zn, Cd염을 첨가한 FSM-16을 촉매로 한 기상 베크만전위-촉매의 산·염기성, 활성 열 및 생성물 선택성-

• 正쇼지 다이스케, 나카지마 고
• 신슈 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 22(1998.9)：1P223

17. 다양한 금속 산화물상의 산화 텅스텐 모노레이어 촉매의 표면 구조 및 산성질

• 나이토 노부히로, 카타다 나오노부, 단바 미키
• 돗토리 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 233(1998.9)：4D603

18.Co2(CO)8을 이용한 Co/Al2O3 고정화 촉매 표면의 복합 설계와 촉매 특성의 연구

• 다카무라 마사히로, 자토 타카후미, 아사쿠라 키요타카, 이와사와 야스히로
• 동대원 이과
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 237(1998.9)：4D607

19. Ga-MCM-41의 구조와 산성질

• 오쿠무라 카즈, 니시가키 도오루, 단바 미키
• 돗토리 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 254(1998.9)：3D702

20. 필러 도입량이 다른 알루미나 가교 운모의 조정과 그 산성질

• 기타바야시 시게아키, 가마타 유키코, 신도 타카세시, 오자와 이즈미타로
• 아키타 공대(자)
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 262(1998.9)：3D710

21.SO4(2-)-ZrO2 catalysts for isomerization of n-butane. Study of deactivation process and characterization of coke deposits

• C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
• National Institute for Resources and Environment (Japan), *INCAPE (Argentina)
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 262(1998.9)：3D721

22. 수증기 처리 암모니아 승온이탈법에 의한 페로실리케이트의 산성질 측정

• 미야모토 테츠오, 가타다 나오노부, 단바 미키, 마츠모토 아키히코*, 츠즈미 카즈오*
• 돗토리 공대, * 도요하시 기술대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 298(1998.9)：4D721

23. 페로브스카이트형 산화물 촉매의 NO 직접 분해 활성과 전자 상태의 관련

• 요코이 야스히오, 야스다 이사무, 우치다 요, * 오카다 오사무, ** 나카무라 야스히사, *** 가와사키 하루쯔구
• 도쿄 가스, * 오사카 가스, ** 도로후 가스, *** 세이부 가스
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 323(1998.9)：3D824

24. 지르코니아 담지 황산근 모노 레이어 고체 초강산 촉매의 프리델 크래프트 반응에 대한 활성

• 야스노부 나오코, 엔도 준이치, 카타다 나오노부, 단바 미키
• 돗토리 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 343(1998.9)：4D819

25. CFC 분해용 인산알루미늄계 촉매의 개발(5)

• 니노미야 마이코, 와카마츠 히로노리, 니시구치 히로야스, 이시하라 타츠미, 타키다 유우사쿠
• 오이타 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 35(1998.9)：2P205

26.V, W 치환형 12-몰리브드인산 촉매의 환원

• 모리타 토요코, 우에다 와타루 ”, 아키카 켄이치
• 도우코대학공 총리공, *야마구치 도쿄이과대 기초공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집,5(1998.9)：1P205

27. 흡착 NO2 / 금속 산화물상의 프로펜의 부분 산화 반응

• 우에다 아츠시, 고바야시 테츠히코
• 대공연
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 71(1998.9)：3D317

28.Pd 복합 증착 박막에 의한 메탄올 분해 반응의 검토

• 사사키 모토, 이토 다테히코, 하마다 히데아키
• 공업기술원 물자연
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 9(1998.9)：1P209

29. 고정화 Co(II)/Al2O3 촉매 상의 NO-CO 반응에 있어서의 새로운 기구

• 야마구치 아리모토, 자토 타카후미, 아사쿠라 키요타카, 이와사와 야스히로
• 도쿄 대학 대학원 이학계
• 제82회 촉매토론회 B강연예고집, 360(1998.9)：1D105

30. 산화주석 담지 산화 몰리브덴 박층 상에 생성되는 고체 산점의 메탄올 산화 반응에 있어서의 촉매 작용

• 단바 미키, 이가라시 아야, 카타다 나오노부
• 돗토리 대학 공학부
• 제82회 촉매토론회 B강연예고집, 442(1998.9)：1D206

31. 이산화탄소에 의한 메탄으로부터의 에탄과 에틸렌의 생성 반응

• 오노, 다카하시 요시모토, 오츠카 야스오
• 도호쿠 대학 반응 화학 연구소
• 제82회 촉매토론회 B강연예고집, 458(1998.9)：1D211

32. 단독 산화물 담지 Pd 촉매를 이용한 저온 메탄 연소

• Widjaja Hardiyanto, 세키자와 요시후미, 에구치 코이치
• 규슈 대학 대학원 종합 이공학 연구과
• 제82회 촉매토론회 B강연 예고집, 466 (1998.9): 1D213

33. 고체 산으로서의 FSM-16의 촉매 특성

• 야마모토 타카시, 다나카 야스히로, 후나비키 타쿠조
• 교토 대학 대학원 공학 연구과
• 제82회 촉매토론회 B강연예고집, 494(1998.9)：2D207

34. 미결정 실리콘에 있어서의 입계 결함의 이방성

• 곤도 미치오, 후카와 마코토, 곽리휘, 마츠다 아키히사
• 전총연·박막 실리콘계 태양전지 슈퍼랩
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：15a-ZC-10

35. 산화막 에칭에 있어서의 CH2F2 첨가 효과

• 니이무라 타다, 오미야 가요코, 가네다 나오야*, 마츠시타 타카야*
• (주) 도시바 생산 기술 연구소, * (주) 도시바 반도체 생산 기술 추진 센터
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：15a-C-5

36. 형광막의 흡착 가스 특성에 대한 대기 중 및 진공 중 가열의 영향

• 야마네 미유키, 히라사와 시게루*, 오세키 요시히로**
• (주) 히타치 제작소 기계 연구소, * (주) 히타치 제작소 가전 · 정보 미디어 사업 본부, ** 히타치 디바이스 엔지니어링 (주)
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：15p-M-5

37. Ni / a-Si : H 적층 막에서의 계면 반응 및 실리사이드화 과정 (I)

• 요시다 요코, 모기 아즈사, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기 대학
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：15p-ZL-16

38. 다이아몬드 C(001) 표면에서 트리-n-부틸포스핀의 표면 반응소 과정

• 니시모리 노부히코, 사카모토 히토시, 타카쿠와 유지*,**
• 미쓰비시중공업·기반연, *도호쿠대·과연, **과기단 사키가케
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：16p-N-6

39. 수소 처리 Ge 첨가 SiO2 유리에서의 수소 방출의 온도 의존성

• 가사와라 토시아키, 후지마키 마사오, 오기 요시로, 카토 모토시게*, 모리시타 유이치*
• 와세다 대학, * 쇼와 전선
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：16p-P13-7

40. 반도체 층간막 공정 개발을 위한 흡습 특성 평가법의 개발

• 오타케 아츠시, 고바야시 카네야, 이토 후미토*, 다카마쓰 아키라*
• (주)히타치 제작소 히타치 연구소, * (주)히타치 제작소 반도체 사업부
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：17a-ZG-1

41.저 유전율·저 흡습성 유기 SOG막의 작성

• 야마다 노리코, 다카하시 토오루
• 신닛테츠(주) 첨단기연
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：17p-ZG-3

42. 저 유전율 다공성 SOG 막의 특성

• 아라오 히로키, 후지우치 아츠시, 에가미 미키, 무라구치 료, 이노우에 가즈아키, 나카지마 아키라,
• 촉매화성공업(주)
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：17p-ZG-4

43. 고농도 페닐기 함유 실리카막의 평가

• 사노 야스유키*, 우사미 코이치, 스가와라 사토시, 핫토리 다테오*, 마츠무라 마사요시
• 도쿄 공업 대학 공학부, *무사시 공업 대학 공학부
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：17p-ZG-9

44. Ar 이온 주입 Si의 승온이탈 신호와 비정질 Si내 Ar 분포 변화의 관계

• 나카타 호지, 야부모토 슈호*
• NTT 기초 연구소, * NTT-AT
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：18a-ZL-4

45. 극미세홀의 표면반응

• 가나모리 쥰, 이케가미 나오카츠, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29a-ZR-2

46. ​​전방향족 폴리에테르계 고분자층간 절연막

• 기타 다카히라
• 아사히 카세이 공업 기초 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30p-M-4

47. 실리콘 웨이퍼 표면의 유기물의 흡착·이탈 거동

• 사가 코이치로, 핫토리 코
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSi 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：28p-PB-6

48. APIMS-TDS에 의한 웨이퍼 표면 흡착 수분의 해석

• 모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
• 신일본제철(주) 첨단기술연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：28p-PB-7

49. 웨이퍼 표면 흡착 유기물의 흡탈착 거동

• 시라미즈 요시미, 다나카 다카시, 기타지마 요, 나토리 겐*
• 일본 전기 (주), 히타치 도쿄 일렉트로닉스
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：28p-PB-8

50.MOCVD-BST에 대한 어닐링 효과

• 우에다 로진, 오오츠카 타카시, 모리타 키요유키
• 마쓰시타 전기 산업 (주) 중앙 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：28p-ZF-9

51. 아세틸렌 흡착 Si(100) 표면으로부터의 수소이탈

• 나카자와 히데키, 스에코 마키
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29a-YG-11

52. Si 표면에서의 Si 수소화물의 흡착 및 수소이탈 과정

• 스에코 마키
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29a-ZR-5

53. 초고진공 재료의 표면 처리에 정밀화학 연마 적용

• 이나요시 사카에, 사이토 가즈야, 사토 유키에, 츠카하라 소노코, 이시자와 카츠히사*, 노무라 켄*, 시마타 아키히사*, 가나자와 미노루**
• 日일본진공기술(주), *산아이석유(주), **산아이플랜트공업(주)
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29p-X-10

54. 스테인리스강 표면에 있어서의 수승온 이탈 특성

• 다나카 토모나리, 다케우치 쿄코, 츠지 아키라
• (주)알박 코퍼레이트센터
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29p-X-5

55. Si박막으로 피막한 스테인레스강의 저가스 방출 특성

• 이나요시 사카에, 사토 유키에, 츠카하라 소노코, 가네하라 아키라*
• 일본 진공 기술 (주), * 가나자와 공대
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29p-X-7

56. LPD 저 유전율 유기 실리카막(II)-각종 함유 유기기의 내열성-

• 고바야시 미츠오*, 스미무라 카즈히토, 스가와라 사토시, 핫토리 다테오*, 마츠무라 마사요시
• 도코우대학 공학부, *무사시공대 공학부
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30a-M-10

57. CO/a-Si：H에 있어서의 실리사이드 형성(I)

• 고바야시 오사무, 츠치야 마사히코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기대 공학부
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30a-N-5

58. N2 및 NH3 중 CO 실리사이드 형성 과정 - 잔류 산소의 영향 -

• 츠키키 히사코, 스기야마 류오*, 에토 류지*, 가미마에 타카시**, 오가와 신이치*
• 마쓰시타 전자 공업 (주) 마이콘사업부, * 마쓰시타 전자 공업 (주) 프로세스 개발 센터 ** 마쓰시타 테크노리서치 (주)
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30a-N-6

59. H2O 플라즈마에 의한 HSQ막 열화억제 애싱의 검토

• 타마오카 에이지, 아오이 노부오, 우에다 테츠야, 야마모토 아키히로, 마유미 슈이치
• 마쓰시타 전기 산업 (주) 프로세스 개발 센터
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30p-M-10

60.저 유전율 유기층간 절연막의 고온 특성

• 다카소우 준, 토미자와 토모히로, 이노루 켄, 하라 토오루
• 호세이대학 공학부
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30p-M-7

61. 저 유전율 이온 주입 유기 SOG 막의 열 이탈 특성

• 마쓰바라 나오키, 미즈하라 히데키, 와타나베 히로유키, 미사와 카이이, 이노우에 야스노리, 하나보 히로시, 요시노 케이이치
• 산요 전기 (주) 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30p-M-9

1997：논문,잡지,책

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

• Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
• Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

• G.A. Young and J.R. Scully
• Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
• Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
• Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

• Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

• Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,165,57(1997)

7. 기판 표면의 오염물의 분석법: 승온이탈 분석

• 야부모토 구니치카
• NTT 어드밴스 테크놀로지
• 반도체 프로세스 환경에서의 화학 오염과 그 대책, 리얼 라이즈, p291

1997：학회발표

1. TDS, FT-IR에 의한 Si 산화막의 막질 평가

• 테라다 쿠미, 우메무라 소노코, 테라모토 아키노부*, 고바야시 키요데루*, 구로카와 히로시, 바바 후미아키
• 미쓰비시 전기 (주) 첨단 총연, *UL 연
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：2a-D-10

2.PECVD-SiO2 게이트 절연막 중 구조수의 저감

• 유다 카츠히사, 타나베 히로시, 세라 켄지, 오쿠무라 후지오
• NEC 기능 전자 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 3p-K-3

3. 헬륨·수소 2단 주입 실리콘 웨이퍼에서의 blister 형성 거동

• 나카시마 켄, 타카다 료코, 스도 미츠루, 가이누마 미츠히로*, 나카이 테츠야, 토미자와 겐지
• 三미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터, * 미쓰비시 머티리얼 (주) 종합 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-PB-2

4. TDS에 의한 Smart-Cut 거동의 직접 관찰 (2)

• 다카다 료코, 타카이시 카즈나리, 토미사와 겐지
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-PB-3

5.C49/C54 TiSi2상 전이의 TDS에 의한 현장 관찰

• 다나카 히로유키, 히라시타 노리오, 기타 아키오
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 4a-D-10

6. ECR-CVD SiOF 막으로부터 불소이탈의 영향

• 우사미 다츠야, 고미 히데키
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：4a-K-5

7. 불소 변성에 의한 수소 실세스퀴옥산의 저 유전율화 검토

• 나카타 요시히로, 후쿠야마 슌이치, 카타야마 노리코, 야마구치 시로
• (주) 후지쯔 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 4p-K-15

8. 메틸실란-H2O2계 자기 평탄화 CVD 공정

• 마츠우라 마사즈미, 이우치 케이아키*, 마스다 원타쿠*, 마스코 요지
• 미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：4p-K-2

9. 무기 다공질막 SOG 재료(HPS)의 물성 평가

• 무라구치 료, 나카지마 아키라, 고마쓰 도리로, 오쿠라 가노*, 미야지마 기모리*, 하라다 히데키**, 후쿠야마 슌이치**
• 촉매 화성 공업 (주) 파인 연구소, * 후지쯔 (주), ** (주) 후지쯔 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 4p-K-7

10. 형광체 분말과 물유리의 가스 방출 특성

• 야마네 미유키, 다카하시 슈진*, 히라사와 시게미**, 오세키 요시히로***
• (주)히타치제작소 기계연구소, *카사토 공장, **전자 디바이스 사업부, ***히타치 디바이스 엔지니어링(주)
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：4p-ZT-8

11. 이온 주입 된 실리콘 웨이퍼 표면에 대한 유기물 흡착의 평가

• 사가 코이치로, 핫토리 코
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 3p-D-2

12. 웨이퍼 Box 보관시의 산화 방지제(BHT)의 실리콘 웨이퍼에의 흡착 형태

• 이마이 토시히코, 미즈노 토모히코, 하타노 토오루
• 신에츠 반도체 (주) 반도체 시라카와 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-D-4

13. 각종 세정 후 Si 표면으로의 클린 룸으로부터의 유기물 오염과 재세정에 의한 제거

• 나카모리 마사하루, 아오토 나호미
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 3p-D-5

14. APIMS-TDS에 의한 Si 웨이퍼 표면 흡착 IPA의 해석

• 모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
• 신일본제철(주) 첨단기술연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-D-7

15.H+ 주입에 의한 보이드 컷 SOI(4)

• 가키자키 케이오, 하라 토오루, 이노우에 모리오*, 카지야마 켄지*
• 호세이 대학 공학부, * 이온 공학 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-PB-4

16. 1-MeV H + 주입에 의한 단결정 Si 박막 형성

• 나카타 호지, 니시오카 타카시*
• NTT 기초 연구소, * NTT 광전자 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 3p-ZK-12

17.저 유전율 플로로카본막의 고온 특성

• 다카소우 준, 토미사와 토모히로, 이노루 켄, 하라 도오루, Yang*, D.Evans*, 가키자키 헤이죠**
• 호세이대학 공학부, *SMT, **샤프 ULSI연
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：4a-K-8

18. Benzene을 이용한 a-C : H 막의 특성 연구

• 정씨 외
• 삼성전자(주) 반도체연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 4p-YA-3

19. 미세 구멍 내부 잔류 황산 성분의 순수한 전해 양극 물 린스

• 야마자키 신야, 아오키 히데미츠, 아오토 나호미, 니츠키 타카시*, 야마시타 고우후쿠*, 야마나카 히로쯔구*
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소, * 오르가노 (주)
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：5a-D-8

20.폴리메탈 배선(VIII)~WNX막 중의 질소의 이탈 과정~

• 中나카지마 카즈아키, 아카사카 야스시, 미야노 키요타카, 타카하시 마모루*, 스에히로 신타로*, 스구로 쿄이치
• (주) 도시바 마이크로 일렉트로닉스 기술 연구소, * (주) 도시바 환경 기술 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：28a-PB-14

21. SiH4-H2O2 계 CVD 산화막 공정에서의 NMOS Hot Carrier 신뢰성 평가

• 쿠보 마코토, 야히로 카즈유키, 토미타 켄이치
• (주) 도시바 반도체 생산 기술 추진 센터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：28p-F-18

22. 트리에톡시실란(TRIES)을 이용한 SiO2막(II)

• 핫토리 사토루, 하라다 카츠카
• 동아합성(주) 신재료연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-F-13

23. TDS에 의한 Smart-Cut 거동의 직접 관찰

• 다카다 료코, 타카이시 카즈나리, 토미사와 겐지
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-G-11

24. 건조 후의 웨이퍼 표면에 잔류하는 흡착 IPA의 평가

• 사가 신이치로, 오카모토 아키라, 쿠니야스 히토, 핫토리 코
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-D-11

25. 메틸실란-H2O2계 자기평탄화 CVD 프로세스(1)

• 마쓰우라 마사유키, 마스다 겐타쿠*, 이우치 케이아키*, 마스코 요지
• 미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-14

26. SiH4 / H2O2 CVD 산화막의 성막 특성

• 吉요시에 토오루, 시모카와 고메이, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-15

27. 수소 라디칼을 이용한 고신뢰 SiOF막 형성

• 후쿠다 타쿠야, 사사키 에이지*, 호소카와 타카시, 고바야시 노부요시
• (주)히타치제작소 반도체기술개발센터, *히타치초LSI엔지니어링
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-20

28. 반도체 층간 절연막으로부터의 물의 승온이탈 스펙트럼 해석

• 오타케 아츠시, 고바야시 카네야, 카토 다카마츠*, 후쿠다 타쿠야*
• (주)히타치 제작소 히타치 연구소, * (주)히타치 제작소 반도체 사업부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-21

29. Non-E.B. 폴리실라잔 SOG의 성막 특성

• 사이토 마사요시, 히라사와 켄사이, 사카이 켄지, 호리타 카츠히코*, 카토 세이 타카, 다카마쓰 아키라, 고바야시 노부요시
• (주)히타치 제작소 반도체 사업부, *히타치 마이크로 컴퓨터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-5

30. 저 유전율 HSQ 막 특성의 구조 의존성

• 고토 긴야, 키타자와 료코*, 마츠우라 마사즈미, 마스코 요지
• 미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소, *미쓰비시전기(주) 첨단기술종합연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-8

31. H + 주입에 의한 Si 박막층의 형성

• 가키자키 케이오, 키카다케로, 오시마 소타로, 하라 토오루, 이노우에 모리오*, 카지야마 켄지*
• 호세이 대학 공학부, * 이온 공학 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-G-12

32. Si(100) 표면에 PH3 실온 흡착 과정

• 츠키다테 미네가즈, 스에코 마키
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-10

33.P 코팅 Si(100) 표면에 SiH4 및 Si2H6 실온 흡착

• 츠키다테 미네가즈, 스에코 마키
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-11

34. Si (100) 표면상의 Te의 흡착 구조

• 타미야 켄이치, 오타니 타쿠야, 다케다 야스시, 우라노 토시오, 후쿠하라 타카히로, 가네코 히데가즈, 혼고 쇼조
• 고베대학 공학부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-2

35. Si (100) 표면에 대한 Cs, D 공 흡착 구조의 MDS, TDS에 의한 연구

• 하세베 히로유키, 시미즈 마사유키, 코지마 가오루, 혼고 쇼조, 우라노 토시오
• 고베대학 공학부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-4

Li, D 공 흡착 Si (100) 표면의 MDS, TDS에 의한 관측

• 후쿠하라 타카히로, 가네코 히데가즈, 코지마 가오루, 혼고 쇼조, 우라노 도시오
• 고베대학 공학부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-5

37.Ba, D를 공흡착시킨 Si(100) 표면으로부터의 중수소의 이탈 기구

• 코지마 가오루, 후지우치 시게라, 혼고 쇼조, 우라노 다테오
• 고베대학 공학부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-6

38. 미세 홀 내부의 잔류 황산 성분

• 야마자키 신야, 아오키 히데미쯔, 니시야마 이와오*, 아오토 나호미
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소, * NEC 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-D-8

39. SiOF막 중의 수분이 유전율에 미치는 영향

• 우에다 사토시, 스가와라 다케, 우에다 테츠야, 타마오카 에이지, 마유미 슈이치
• 마쓰시타 전기 산업 (주) 반도체 연구 센터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-18

40. 전자빔 조사에 의한 수소화 실세스퀴옥산 무기 SOG의 막질 개선

• 양경준, 최동규, 왕시경, L. 포스터, 나카노 마사
• Allide Signal AMM
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-2

41. TOF-ESD와 FTIR 현장 관찰에 의한 금속 표면에 CO 흡착 연구

• 우에다 카즈유키, 다테 마사카즈, 요시무라 마사미쯔, 시라와지 기꾸오*, 니시자와 세이지*
• 도요타 공대 (원), 일본 분광
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

• Nigel P. Hacker
• Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

43. HSQ 막 특성의 구조 의존성

• 마츠우라 마사스미
• 미쓰비시 전기 (주) ULSI 개발 연구소
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996：논문,잡지,책

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3. 히라시타 노리오 학위 논문

• 라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 개발 센터
• 통신 대학 (1996)

4. Si 기판 표면 흡착물의 열 이탈 거동

• 진보 토모코, 이시카와 카츠히코*, 이토 마사키*, 쓰가네 켄, 타나베 요시카즈, 사이토 요시오, 토미오카 히데키
• 히타치 제작소 디바이스 개발 센터, * 히타치 제작소 반도체 사업부
• 신학 기보 TECHNNICAL REPORT OF IEICE., ED96-11, SDM96-11, 75 (1996)

5.Extreme Trace Analysis for Clean Process of LSI Fabrication

• Norikuni Yabumoto
• NTT Advanced Technology Corporation
• NTT REVIEW,8,70(1996)

6.Thermal Desorption Spectroscopy of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition

• Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
• Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996：학회발표

1.Evidence for Asymmetrical Hydrogen Profile in Thin D2O Oxidized SiO2 by SIMS and Modified TDS

• Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2.Significant Effect of OH inside Silicon Chemical Oxides on AHF(Anhydrous Hydrofluoric Acid) Etching

• Kouichi MURAOKA, Iwao KUNISHIMA, Nobuo HAYASAKA and Shin-ichi TAKAGI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3. TDS 승온 이탈 분석에 의한 열산화막 중 수소 평가

• 테라다 쿠미, 구로카와 히로시, 고바야시 기요하루*, 가와사키 요시*
• 미쓰비시 전기 (주) 첨단 총연, *UL 연
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：7a-H-3

4. 잔류 불소에 의한 유기물의 웨이퍼 표면에의 흡착 가속

• 사가 코이치로, 핫토리 코
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8a-L-7

5. 접합 계면에 미치는 웨이퍼 표면 흡착물의 영향

• 다카다 료코, 오시마 노보루, 타카이시 카즈나리, 토미사와 겐지, 신유우치 타카유키*
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터, * 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 프로세스 기술부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-L-6

6.LPCVD-SiN막의 수소에 기인하는 핫 캐리어 수명 열화 현상(2)

• 우치다 에이지, 시토 슌이치, 시부사와 카츠히코*, 무라카미 노리오*, 나카무라 타카하루*, 아오키 히로시*, 야마모토 유히로*, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터, * 오키 전기 공업 (주) 프로세스 기술 센터
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-R-18

7. 분자 궤도법에 의한 SiOF막 성막용 가스의 분자 해리 반응 해석

• 오타케 아츠시, 고바야시 카네야, 타코 이치노우, 후쿠다 타쿠야*, 호소카와 타카시 *, 카토 기요타카 *
• (주)히타치 제작소 히타치 연구소, * (주)히타치 제작소 반도체 사업부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-H-1

8. 탄소 함유율을 변화시킨 유기 SOG의 평탄화 특성

• 히라사와 켄사이, 사이토 마사요시, 카토 기요타카
• (주)히타치 제작소 반도체 사업부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-H-20

9. (C2H5O) 3SiF / (C2H5O) 3SiH를 이용한 PECVD 법에 의한 SiOF 막의 성막 특성

• 기토우 에이지, 무로야마 마사카즈, 사사키 마사요시
• 소니(주) 세미컨덕터 컴퍼니 제1LSI 부문
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-H-5

10. 불소 첨가 SiO막의 흡습 기구의 검토

• 무로야마 마사카즈, 하가 유타카, 사사키 마사요시
• 소니(주) S.C. 제1LSI 부문
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-H-9

11.Si 웨이퍼 표면의 부착 유기물 관찰

• 마츠오 치즈코, 타카이시 카즈나리, 토미사와 겐지, 신유우치 타카유키*
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터, * 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 프로세스 기술부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-L-8

12. Pd/a-Si: H/c-Si 적층막에 있어서의 실리사이드화 과정(1)

• 안도 신이치, 고바야시 오사무, 아다치 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기대 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：7p-N-18

13. Si(100) 표면으로부터의 고차 수소 탈리 과정

• 나카자와 히데키, 스에코 마키, 미야모토 노부오*
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소, * 도호쿠 학원 대학 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-W-12

14.Cs, D 공흡착 Si(100) 표면의 MDS에 의한 관측

• 하세베 히로유키, 후쿠하라 타카히로, 코지마 가오루, 시미즈 마사유키, 혼고 쇼조, 우라노 도시오
• 고베 대학 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-W-13

15. 타샤 리부틸 포스핀의 Si (001) 표면에서의 분해 과정의 HREELS에 의한 연구

• 가네다 겐타, 마나다 노리아키, 후쿠다 야스시
• 시즈오카 대학 전자 연구
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-W-17

16. 전자빔 큐어를 실시한 유기 SOG막의 캐릭터화

• 최동규, Ｊ.케네디, L. 포스터, 나카노 마사
• Allide Signal AMM
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9p-H-17

17. Pd/a-Si: H/c-Si 적층막에 있어서의 실리사이드화 과정(1)

• 안도 신이치, 고바야시 오사무, 아다치 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기대 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：7p-N-18

18. H + 주입에 의한 보이드 컷 SOI (2)

• 가키자키 케이오, 키하나 다케, 오시마 소타로, 기타무라 다이라, 하라 토오루
• 호세이대학 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9p-P-2

19. SiH4/CF4 가스를 이용한 바이어스 ECR-CVD SiOF막의 특성

• 우사미 타츠야, 이시카와 타쿠, 혼마 테츠야
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-10

20. 저 유전율 PTFE 박막 평가

• 하세가와 도시아키, 마츠자와 노부유키*, 카도무라 신고, 아오야마 준이치
• 소니 (주) 슈퍼 LSI 연구소, * 중앙 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-2

21. Hydrogen Silsesquioxane (HSQ)의 유전율 평가

• 미야나가 타카시, 사사키 나오토, 카메오카 카츠야, 모리야마 이치로, 사사키 마사요시
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 제 1 LSI 부문
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-6

22. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG막의 개질(V)

• 와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미자와 카이, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키, 마메노 카즈노부
• 산요 전기 (주) 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-7

23. LPCVD-SiN 막의 수소로 인한 핫 캐리어 수명 열화 현상

• 시토 슌이치, 시부자와 카츠히코, 무라카미 노리오*, 우치다 에이지, 나카무라 타카하루*, 아오키 히로*, 야마모토 유히로*, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터, 프로세스 기술 센터
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：27p-E-4

24. 플라스틱 박스로부터 방출되는 유기 첨가제의 웨이퍼 표면에의 흡착 기구

• 사가 고이치로, 후루타니 사쿠오, 핫토리 히로시
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：27p-F-12

25. 무수 HF 가스에 의한 in-situ 자연 산화막 에칭 기구

• 무라오카 코이치, 쿠니시마 료, 하야사카 노부오, 다카기 신이치, 토리카이 아키라
• (주) 도시바 ULSI 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：28a-K-3

26. Bias ECR CVD SiO 막의 방출 가스의 W Plug 공정에 미치는 영향

• 하가 유타카, 무로야마 마사카즈, 사사키 마사요시
• 소니(주) 세미컨덕터 컴퍼니 제1LSI 부문
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：29p-N-8

27. 테트라 메틸 틸란 / 산소 라디칼 반응에 의한 저 유전율 절연막의 형성

• 나라 아키코, 이토 히토시
• (주) 도시바 ULSI 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-1

28. 흑연 표면에 흡착된 산소의 승온이탈

• 요시다 료, 스기타 토시오*, 노구치 미네오*
• 도쿄 이과대 기초공, *공학부
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-PA-12

29.a-Si：H막 구조의 미결정화 과정에 의한 평가(III)

• 나카지마 고코, 오시마 타카후미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기대 공학부
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-TC-10

30.SiOF막에 있어서의 흡습성의 검토

• 시노하라 리카, 쿠도 히로시, 타케이시 슌사쿠, 야마다 마사오
• 후지쯔 (주) 프로세스 개발부
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26p-N-12

31.산소 이온 주입 Si 기판으로부터 SiO의 이탈

• 이시카와 유카리, 시바타 노리요시
• 미세 세라믹 센터
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：27p-P-9

32. 승온이탈법에 의한 순티탄의 진공 특성 평가

• 호야 슈지, 혼마 요이치
• 지바공업대학
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：28p-ZL-3

1995：논문,잡지,책

1.The distribution of activation energy for hydrogen desorption over silica-supported nickel catalysts determined from temperature-programmed desorption spectra

• Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, ＊Takao Masuda, ＊Kenji Hashimoto
• Institute for Chemical Reaction Science, Tohoku University, ＊Depertment of Chemical Engineering, Kyoto University
• Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.승온이탈 분석의 실리콘표면 평가의 응용

• 야부모토 구니치카
• NTT어드벤스트 테크놀로지
• 표면기술,46,47(1995)

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

• Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

• Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
• ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
• J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7. 실리콘 웨이퍼 표면의 분석 평가 기술: 웨이퍼상의 흡착 분자의 분석 평가 기술

• 야부모토 구니치카
• NTT 고급 기술
• 실리콘 웨이퍼 표면의 클린 화 기술 별책, 리얼 라이즈 사, p101

1995년: 학회발표

1. 헬리콘파 플라즈마 CVD에 의한 SiOF막의 막질 평가

• 하가 유타카, 무로야마 마사카즈, 사사키 마사요시
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 제 1 LSI 부문
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZB-3

2. 저 유전율 표면 보호막에 미치는 흡습의 영향

• 아다치 아쯔시, 아다치 히로시, 무토 히로타카, 후지이 하루히사
• 미쓰비시전기(주) 중앙연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZB-6

3. 플라즈마 산화막의 수분 투과 억제 기구의 검토

• 우치다 히로아키, 시토 슌이치*, 사카타니 요시히로, 히라시타 노리오*
• 오키 전기 공업 (주) 공정 기술 센터, * 초 LSI 연구 개발 센터
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZB-9

4. 전극 계면 부근의 CVD-BST 막의 특성

• 야마무카 미키오, 카와하라 타카아키, 나카하타 타케시, 유키 쇼죠, 도끼 타카이치
• 미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZG-7

5. 고유전율 재료(Ba, Sr) TiO3막의 형성과 계면 제어

• 유키쇼죠
• 미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995가을)：26p-W-6

6. TiCl4를 이용한 CVD TiN막의 염소 함유량과 막질

• 카와시마 아츠시, 미야모토 타카아키, 카도무라 신고, 아오야마 준이치
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을): 27a-PB-8

7. 고온 성막 O3-TEOS NSG 막의 평가

• 미자와 하루히코, 사이토 마사키, 모리야마 이치로, 사사키 마사요시
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 제 1 LSI 부문
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-PC-11

8. 수소화 실세스퀴옥산 SOG의 층간 절연막으로서의 특성

• 코야나기 켄이치, 키시모토 코지, 혼마 테츠야
• 일본 전기 (주) ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-PC-2

9. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG 막의 개질 (IV)

• 와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미자와 카이, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키
• 산요 전기 (주) 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-PC-4

10.H2O 첨가 스퍼터법으로 형성된 비정질 ITO막의 열처리에 의한 구조 변화

• 니시무라 에츠코, 안도 마사히코, 오니자와 켄이치, 미네무라 테츠로, 타카하타 마사루*
• (주)히타치 제작소 히타치 연, * 전자 디바이스 사업부
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-ZH-8

11. 밀도 제어에 의한 SiOF막의 저흡습화

• 쿠도 히로시, 아와지 나오키*, 시노하라 리카, 타케이시 슌사쿠, 호시노 마사타카, 야마다 마사오
• 후지쯔 (주) 프로세스 개발부, * ULSI 연구부
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZB-10

12. 고유전체용 전극 재료의 TDS 평가

• 아시다 히로시, 나카바야시 마사아키, 기무라 타카아키, 모리 하루히사
• 후지쯔 (주)
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZG-1

13.TDS법에 의한 비(주)소 이온 주입 결함의 해석

• 사이토 카즈유키, 사토 요시유키*, 혼마 요시카즈, 아부모토 구니치카
• 아이즈 대학, * NTT LSI 연, ** NTT 경계 연
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995가을)：26p-ZP-9

14. 패시베이션막 중 수소의 Si 댕글링 본드에 미치는 영향

• 테라다 쿠미, 구로카와 히로시, 고바야시 순지, 고노 히로아키*, 고바야시 카즈오**, 코가모 테츠오
• 미쓰비시전기(주) 재연, *기타이탄제작소, **구마모토제작소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26p-ZV-15

15. 표면 수소 이탈에 유도된 Si 상으로의 Al 선택 CVD 반응

• 카츠다 요시히코, 코나가타 시노부, 사카가미 히로유키, 신미야하라 마사조, 타카하기 다카유키
• 히로시마 대학 공학부
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995가을)：26p-ZV-8

16. TDS 및 SIMS에 의한 SiO2막 중의 Ar에 관한 정량

• 츠카모토 카즈요시, 마츠나가 토시유키, 와타나베 케이이치, 모리타 히로요시, 야마니시 사이*, 요시오카 요시아키
• (주) 마츠시타 테크놀리서치 기술부 반도체 해석 그룹, * 마쓰시타 전기 산업 (주) 생산 기술 본부 박막 가공 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：27a-C-3

17. Ar+-IBARD법에 의해 작성한 TiOX 박막의 Ar 승온이탈 특성

• 사사세 마사토, 야마기 타카히로*, 미야케 요시**, 타카노 이치로, 이소베 쇼지
• 공학원 대학 공학부, *히타치 제작소 히타치연, **히타치 제작소 전개본
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：27p-ZH-9

18. 수소 종단 Si(100) 2×1 표면에서의 Na의 흡착·이탈과 전자 상태(I)

• 후지모토 토모히로, 코지마 가오루, 혼고 쇼죠, 우라노 도시오
• 고베 대학 공학부
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995가을)：27p-ZL-2

19.TEOS/O3 상압 CVD 반응에의 알코올 첨가 효과(IV)-테트라메톡시실란 원료에의 첨가-

• 이케다 코이치, 마에다 마사히코
• NTT LSI 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-PC-9

20. 산소 라디칼 어닐링에 의한 Ta2O5 박막의 누설 전류 저감 효과

• 마츠이 유이치, 토리이 와코, 이토가 토시히코, 이이지마 신헤이*, 오오지 유즈루”
• 히타치 나카(연구소), * 히타치 반도체(사)
• 제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 28p-PC-3

21.TDS에 의한 접합 웨이퍼의 평가 －웨이퍼 이면으로부터의 기여－

• 타카다 료코, 오카다 치즈코, 콘도 히데유키, 류다 지로, 가와야 히사, 신코우치 타카유키
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 중앙 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：28a-X-2

22. TDS에 의한 접합 웨이퍼의 평가 II －접합 계면으로부터의 기여－

• 오카다 치즈코, 다카다 료코, 콘도 히데유키, 류다 지로, 하야야 히사, 신코우치 타카유키
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 중앙 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：28a-X-3

23. DCS-WSiX막 중의 불소, 염소 함유량과 TDS 분석

• 야마자키 오사무, 오난 신지, 타니가와 마코토, 이구치 카츠지, 사키야마 헤조
• 샤프 (주) 슈퍼 LSI 개발 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29a-K-8

24. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG막의 개질(II)

• 와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미자와 카이, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키
• 산요 전기 (주) 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-1

25. TEOS-O3 퇴적막의 응력과 구조·조성의 열변화

• 우메자와 카오리, 츠치야 노리히코, 야부키 무네, 후지이 오사무*, 오모리 히로후미*, 마츠모토 아키하루*
• (주) 도시바 반도체 사업 본부, * (주) 도시바 연구 개발 센터
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-10

26. SiH4-H2O2 계 CVD 산화막에 의한 층간 절연막 형성 공정 (2)

• 마쓰우라 마사즈미, 니시무라 츠네유키*, 하야시데 요시오, 히라야마 마코토, 이노우치 다카아키*
• 미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-4

27. Polycarbosilane을 이용한 평탄화

• 고바야시 노리코, 후쿠야마 슌이치, 나카타 요시히로
• (주) 후지쯔 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-6

28. 페놀 화합물에 의한 Perhydrosilazane의 산화 촉진

• 나카타 요시히로, 후쿠야마 슌이치, 고바야시 노리코, 하라다 히데키*, 오쿠라 히로유키*
• (주) 후지쯔 연구소, * 후지쯔 (주)
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-7

29. TDS에 의한 수소 주입 Si 기판으로부터의 수소 이탈 거동의 해석

• 오쿠무라 하루키, 하세가와 다카히로, 소에다 후사미
• 토레이 리서치 센터
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-H-1

30. 플라즈마 CVD-SiO 막 특성의 RF 주파수 의존성

• 고노 히로유키, 이와사키 켄야
• 미야자키 오키 전기 (주)
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30p-C-13

31. TDS에 의한 이온 주입 불순물 (B, P, As) 검출

• 야부모토 구니치카, 혼마 요시가즈, 사토 요시유키*, 사이토 카즈유키**
• NTT 경계연, *NTT LSI연, **아이즈대학
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：28a-X-1

32. 승온이탈법에 의한 유리 기판상 유기 분자의 거동 평가

• 다카하시 요시카즈, 이나키치 사카에, 사이토 가즈야, 츠카하라 소노코, 이이지마 마사유키
• 일본 진공 기술 (주) 쓰쿠바 초재료 연
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：28a-ZS-4

33.Si 웨이퍼 표면의 유기 오염물의 화학 조성

• 타카하기 다카유키, 코지마 아키히로, 사카가미 히로유키, 신미야하라 마사조, 야지마 히로시*
• 히로시마 대학 공학부, 토레이 리서치
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29a-PA-14

34. 인산 처리 후의 GaAs 표면의 평가

• 하야시 에이지, 나가이 나오토, 나카가와 요시히카, 나카야마 요이치, 소네다후사미
• 토레이 리서치 센터
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29a-ZN-2

35.CVD-TiN 막으로부터의 염소의 탈가스 특성 평가

• 스즈키 가즈야, 사카이 타쿠야*, 오오바 타카유키, 야기 하루라
• 후지쯔 (주), * 후지쯔 VLSI (주)
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29p-K-3

36. HF 처리 Si 표면에서 IPA의 흡착 II

• 미야다 노리유키, 코지리 히데히로*, 야마시타 료미, 오카무라 시게루, 쿠사이 토쿠시게
• (주) 후지쯔 연구소, * 후지쯔 (주)
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29p-PA-20

1994 : 논문,잡지,책

1.Thermal Desorption Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of CFx Layer Deposited on Si and SiO₂

• Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui and Jun Kanamori
• VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2.In situ infrared study of chemical state of Si surface in etching solution

• Michio Niwano, Yasuo Kimura and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3. 승온이탈 가스 분석법에 의한 반도체 집적 회로 재료로부터의 방출 가스의 정량 분석

• 히라시타 노리오, 우치야마 타이죠*
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터, * 전자 과학 (주)
• 분석 화학, 43,757 (1994)

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

• E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
• Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
• IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

• Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO₂ Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

• Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.유기물에 의한 표면오염

• 다카하기 다카유키
• (주)토레이 리서치센터
• Journal of Japan Air Cleaning Association,7,32(1994)

9.Fine Contact Hole Etching in Magneto-Microwave Plasma

• Y.Miyakawa, J.Hashimoto, N.Ikegami, T.Matsui and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10.Determination of Hydrogen Concentration in Austenitic Stainless Steels by Thermal Desorption Spectroscopy

• Masako Mizuno, Hideya Anzai, Takashi Aoyama and Takaya Suzuki
• Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
• Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.TDS에 의한 이탈가스 분석－전자과학을 중심으로－

• 오쿠무라 나오키, 다카하기 다카유키
• (주)토레이 리서치센터 표면과학연구부
• THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994：학회발표

1.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, *Process Technology Center
• Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1994, pp.925-927

2. TDS 법에 의한 CVD 성막 (Ba, St) TiO3 막의 특성 평가

• 야마무카 미키오, 카와하라 타카아키, 카마타 테츠로, 유키 쇼죠, 도끼 타카이치, 우에하라 야스시*
• 미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소, *재료 디바이스 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：19p-M-5

3.PECVD SiOF막의 흡습 특성(II)

• 우사미 타카시, 시모카와 코메이, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZC-14

4.Perhydrosilazane의 성막 메카니즘 II

• 오쿠라 요시유키, 하라다 히데키, 시미즈 아츠오, 와타나베 요시, 후쿠야마 슌이치*, 나카지마 아키라**, 타카하시 미키**, 고마쓰 도리로**
• 후지쯔 (주) 공정 개발부, * (주) 후지쯔 연구소, ** 촉매 화성 공업 (주) 파인 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZC-7

5. 승온이탈 분광법(TDS)을 이용한 포토레지스트의 열반응 거동의 해석

• 사쿠마 데츠오, 이케다 아키히코, 요시노부 다츠오*, 이와사키 히로시*
• 아사히 카세이 공업 (주), * 오사카 대학 산업 과학 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：22a-ZB-8

6. 수소 승온이탈 스펙트럼에 의한 Si(100) 표면 원자적 평탄도 평가

• 나카자와 히데키, 스에코 마키, 김 기준, 미야모토 노부오
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20a-ZB-5

7. 실리콘 표면에서 불소이탈 및 수소 흡착

• 쿠보타 토오루, 시라이시 슈시, 사이토 요지
• 세이케이대학 공학부
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZB-10

8.TEOS/O3 상압 CVD 반응에의 알코올 첨가 효과(III)-중수소 치환 알코올의 첨가-

• 이케다 코이치, 나카야마 사토시, 마에다 마사히코
• NTT LSI 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZC-1

9. 플라즈마 CVD법에 의한 성막 조건이 기생 MOS-Tr.에 미치는 영향

• 오타 히로유키, 아사다 히토시, 사토 유키히로, 시미즈 아츠오, 와타베 요시히로
• 후지쯔 (주)
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZC-9

10. 열산화막의 물의 흡습

• 오쿠노 마사키, 카타오카 유지, 코지리 히데히로*, 스기타 요시히로, 와타나베 사토루, 타카사키 긴고
• (주) 후지쯔 연구소, 후지쯔 (주)
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：21p-ZB-15

11. Si (111) 표면 산화막의 TDS 관찰

• 와타베 히로마사, 이토 후미노리, 히라야마 히로유키
• NEC 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：21p-ZB-16

12. TDS에 의한 Si 표면 유기물 오염 분석

• 오쿠무라 나오키, 타카하기 다카유키
• 토레이 리서치 센터
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：29a-ZK-11

13. 유기 SOG의 무기화 베이크 처리

• 코바리 히데야, 오카노 스스무, 오하시 나오시*, 네즈 히로키*
• 도쿄 응화 공업 (주) 개발 본부, * (주) 히타치 제작소 디바이스 개발 센터
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-13

14. 폴리라다 오르가노실록산의 SOG로서의 응용 검토

• 아다치 아츠시, 아다치 히로시, 니시무라 히로유키, 미나미 신타로, 마츠우라 마사즈미*
• 미쓰비시 전기 (주) 중앙 연구소, *ULSI 개발 연구소
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-14

15. 다층 배선 비아홀에서의 NH3의 이탈

• 시토 슌이치, 우치다 에이지*, 오쿠노 야스유키*, 후시미 도모히사*, 사카타니 요시히로*, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터, * 프로세스 기술 센터
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-15

16. O3-TEOS 절연막의 막질 개질

• 타니가와 마코토, 도이 쯔카사, 이시하마 아키라, 사키야마 게조
• 샤프 (주) 슈퍼 LSI 개발 연구소
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-2

17.O3-TEOS 절연막의 막질 개선

• 코바리 히데야, 오카노 스스무, 미나미 코로
• 도쿄 응화 공업 (주) 개발 본부
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-3

18.PECVD SiOF막의 흡습 특성

• 우사미 타카시, 시모카와 도모아키, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-8

19. 하지막 중 잔류물의 화학종 제어에 의한 TEOS/O3 SiO2막의 매립성 향상

• 쿠보 도오루, 히로세 카즈유키, 혼마 테츠야, 무라오 유키노부
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-4

20. 무전해 구리 도금에 의한 침상 결정 형성에 미치는 하지의 영향

• 후지나미 토모유키, 요코이 이케 카코, 혼마 히데오*
• 에바라 유지 라이트 (주), * 간토 학원 대학 공학부
• 표면기술협회 제90회 강연대회 요지집, 168, (1994)：5C-19

1993：논문,잡지,책

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

• N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
• NTT LSI Laboratories
• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

• Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

• Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
• NTT LSI Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

• Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

• Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

• N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

• H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
• Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
• J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8.CVD산화막의 흡습과정과 물의 이탈기구

• 시토우 슌이치, 우치다 에이지, 히라시타 노리오
• 오키전기공업(주) 초LSI연구개발 센터
• 신학기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-9,59(1993)

9.Improvement of Water-Induced Hot-Carrier Immunity Degradation Using ECR Plasma-SiO2 with Si-H Bonds

• K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 신학기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-39,47(1993)

10. 플라즈마 CVD-SiO2 막의 흡습 특성

• 시모카와 도모아키
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 개발 연구 센터
• 월간 Semiconductor World (1993.2)

11.절연막의 흡습성을 둘러싼 여러 문제-평가 방법과 대책

• 오타니 히데오, 마츠우라 마사즈미, 하야시데 요시오
• 미쓰비시 전기 (주) LSI 연구소
• 월간 Semiconductor World (1993.2)

12. TEOS-O3 상압 CVD NSG 막의 흡습성에 대한 저온 어닐링의 효과

• 호소다 유키오, 하라다 히데키, 시미즈 아츠오, 와타베 요시, 아시다 히로시
• 후지쯔 기초 프로세스 개발부, 개발 추진 본부
• 월간 Semiconductor World (1993.2)

1993：학회발표

1. 승온 열 이탈 분석 장치에 의한 Si 웨이퍼 표면의 유기물 평가

• 오카다 치즈코
• 미쓰비시 머티리얼 (주) 나카켄
• 제54회 분석화학토론회 요지집(1993.06)

2. 승온이탈법에 의한 스테인리스강 중 수소 분석법의 검토

• 미즈노 마사코, 미사와 유타카, 쿠니야 지로, 키타 토시타카
• (주)히타치 제작소 히타치 연구소
• 제54회 분석화학토론회 요지집(1993.06)

3.Single Step Gap Filling Technology for Subhalf Micron Metal Spacings on Plasma Enhanced TEOS/O2 Chemical Vapor Deposition System

• Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
• Applied Materials Japan Inc. Technology Center
• Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, pp.510-512

4. Si (100) 및 (111)면상의 SC1 산화막의 승온 분해 이탈 분광법

• 이와사키 유, 나카오 기, 요시노부 다츠오, 우치야마 타이죠
• 오사카 대학 산업 과학 연구소, * 전자 과학 (주)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)

5. 수소 종단 Si(111) 표면의 수소의 열이탈 거동

• 타카하기 타카유키, 나고야 히로타키, 나카가와 요시히카, 나가이 나오토, 이시야 훗
• 토레이 리서치 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)

6. TDS(승온이탈 가스 분석)에 의한 Al막의 평가

• 하류 다케노리, 오노 히데키, 이노우에 미노루
• 후지쯔 (주)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：16a-ZR-11

7. 고농도 BPSG막의 결함 석출과 그 억제 방법(3)-실릴화 처리의 효과-

• 야노 고우사쿠, 테라이 유카, 스기야마 류오, 엔도 마사타카, 우에다 테츠야, 노무라 노보루
• 마쓰시타 전기 반도체연구 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：16p-ZQ-16

8. 열처리한 플라즈마-CVD SiO막의 승온이탈 가스 분석(TDS)

• 시토 슌이치, 우치다 에이지, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：16p-ZQ-5

9. TEOS-O3 NSG의 기초 P-SiO 의존성

• 우사미 타카시, 시모카와 도모아키, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：16p-ZQ-7

10. 절연막의 고온 스트레스

• 호시노 카즈히로, 스가노 유키야스
• 소니 (주) 슈퍼 LSI 개발 본부
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：17p-ZQ-16

11. 승온이탈 가스 분석법에 의한 탈가스의 정량 분석법의 검토

• 히라시타 노리오, 시토 슌이치, 우치야마 타이조*, 히나가 야스시*
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터, * 전자 과학 (주)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：27a-ZL-8

12. TDS법에 의한 Si 표면의 수소 연구

• 타카하기 타카유키, 나고야 히로다카, 나가사와 카츠키, 이시타니 타카
• 토레이 리서치 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：28a-ZD-7

13. TiN/Ti막으로 피막된 비아홀의 가스 방출 특성

• 마츠우라 마사즈미, 야마구치 스미오, 하야시데 요시오, 후루야 히데오
• 미쓰비시전기(주) LSI 연구소
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：29a-X-1

14. Perhydrosilazane의 성막 메커니즘

• 나가시마 타카시, 하라다 히데키
• 후지쯔 (주)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：29a-X-10

15. 승온 열 이탈 분석에 의한 오프 앵글 (111) Si 웨이퍼 표면의 평가

• 류다 지로, 고바야시 히로유키, 다카하시 이사오, 신교우치 타카유키, 오카다 치즈코*
• 미쓰비시 머티리얼 나카켄, * 미쓰비시 머티리얼 실리콘
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：29a-ZD-10

16. 승온 열 이탈 분석 장치에 의한 Si 웨이퍼 표면의 유기물 평가

• 오카다 치즈코, 모리타 에츠로, 이노우에 후미오, 류다 지로*, 신교우치 타카유키*
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘, * 미쓰비시 머티리얼 나카켄
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：29a-ZD-11

17. 콘택트 홀 바닥 Si 표면의 자연 산화막의 TDS 관측

• 나카모리 마사하루, 테라오카 아리덴*, 아오토 나호미, 아오키 히데미츠, 니시야마 이와오*, 이가와 에이지, 요시카와 도모마로
• Nippon Electric Co., Ltd. 마이크로일렉 (연) 광엘렉(연)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：17p-ZP-8

1992：논문,잡지,책

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

• Norio Hirashita, Masayuki Kobayakawa, Akira Arimatsu, Fumitaka Yokoyama, and Tsuneo Ajioka
• Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.Mechanisms of Surface Reaction in Fluorocarbon Dry Etching of Silicon Dioxide - An Effect of Thermal Excitation

• N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100)

• Y.K.Sun, D.J.Bonser and Thomas Engel
• Department of Chemistry BG-10. University of Washington
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4.Preoxidation Si cleaning and its impact on metal oxide semiconductor characteristics

• S.R.Kasi and M.Liehr
• IBM Research Division, Thomas J.Watson Research Center
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5. 실리카 유리 중 가스의 분석 방법

• 모리모토 유키히로
• 우시오 전기 (주) 기술 연구소
• 뉴 세라믹, 9, 65 (1992)

6. TEOS/O3 산화막 중의 수분에 의한 핫 캐리어 내성 열화와 ECR-SiO2막을 이용한 열화 억제법

• 시모야마 노무히로, 다카하시 준이치, 마치다 카츠유키, 무라세 카츠미, 미네기시 가즈시게*, 츠치야 토시히로
• NTT LSI 연구소, * NTT 전자 기술
• 신학 기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE., SDM92-33, 51 (1992)

7.MOSFET 신뢰성 열화의 플라즈마 CVD SiO막에 의한 억제

• 시모카와 도모아키, 우사미 타카시, 시토 슌이치, 히라시타 노리오, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) VLSI R & D 센터
• 신학 기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE., SDM92-133, 89 (1992)

8. 표면 흡착 분자의 분석 기술-승온 이탈 분광법의 ULSI에의 적용-

• 이와사키 히로시
• 오사카 대학 산업 과학 연구소
• 리얼라이즈 브레이크스루 세미나 자료 No2, ULSI 제조를 위한 분석 평가 기술 구축 - 최첨단 분석 평가 기술의 제조 라인에 적용 - (1992.11)