취득 데이터 예
1. 수소 종단 실리콘의 경시 변화
목적·실험
HF 처리에 의해 표면을 수소로 터미네이트한 실리콘 웨이퍼가 시간 경과와 함께 어떻게 변화해 나가는지를 조사했습니다. 표면에 흡착하고 있는 수소를 이탈시켜, 평가를 실시했습니다.
이하의 순서로 실험·평가를 실시했습니다.
1. 실험에 사용할 수소 종단 Si 칩을 준비합니다.
2. 시료 조정 후, 2일, 7일, 14일, 28일 경과한 Si칩을 승온 탈리 실험(승온 속도=60K/sec) 합니다.2. 시료 조정 후, 2일, 7일, 14일, 28일 경과한 Si칩을 승온 탈리 실험(승온 속도=60K/sec) 합니다.
3. 탈착된 수소에 대해 탈착 신호를 비교합니다.
결과
다음 그림과 같이 시간이 지남에 따라 표면의 수소가 감소합니다.
어디까지 감소하는지는 추가 추적 실험이 필요합니다.
표면의 수소가 감소하는 이유는 산화가 진행되어 표면에 수산기가 발생하기 때문이라고 생각됩니다.
다음 그림은 표면의 수소와 수산기가 결합하여 물이 이탈하는 모습을 보여줍니다.
예상대로 시간이 지남에 따라 물의 양이 증가하고 있습니다.
다음 그림은 표면의 수소와 수산기가 결합하여 물이 이탈하는 모습을 보여줍니다.
예상대로 시간이 지남에 따라 물의 양이 증가하고 있습니다.
2. 수소이온 주입시료 데이터
수소이온 주입시료 1E16개/c㎡ 예
수소이온 주입시료 1E17개/c㎡ 예
주：피크가 출현하는 온도는 각종조건에 의존하므로 장치에 따라 다소 차이가 발생합니다.
3. 수로이온 주입시료의 재현성 데이터
수소이온 주입시료 1E17개/c㎡ 4측정예
주：피크가 출현하는 온도는 각종조건에 의존하므로 장치에 따라 다소 차이가 발생합니다.
4. 옥살산칼슘 도포 아르곤이온 주입시료의 데이터
옥살산칼슘 도포 아르곤이온 주입시료 예
주：피크가 출현하는 온도는 각종조건에 의존하므로 장치에 따라 다소 차이가 발생합니다.