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~1991 - ESCO | 電子科學股份有限公司

~1991

1991:論文・雜誌・書籍

1.Oxidation Process of Hydrogen Terminated Silicon Surface Studied by Thermal Desorption Spectroscopy

  • Norikuni Yabumoto, Kazuyuki Saito, Mizuho Morita* and Tadahiro Ohmi*
  • NTT LSI Laboratories, *Faculty of Engineering,Tohoku University
  • Jpn.J.Appl.Phys.,30,L419(1991)

2.新型升溫脫離氣體分析裝置的開發和在VLSI材料及工藝評價中的應用

  • 平下紀夫, 味岡恒夫, 日永康*
  • 沖電工業(株)超大規模集成電路開發中心,*電子科學(株)
  • 真空,34,813(1991)

~1991:學會要旨

1.清洗矽表面的物理性質及其分析

  • 藪本周邦, 斎藤和之, 森田瑞穂*, 大見忠弘*
  • NTT LSI研究所, *東北大學工學部
  • 1991 電子信息通信學會春季全國大會要旨集,5-331,(1991):SC-9-1

發布年份不詳:論文・雜誌・書籍

1.使用APIMS的升溫熱脫附氣體分析

  • 溝上員章, 中野和男, 小池譲治, 小川哲也
  • 日立東愛勒電子設備事業部
  • 日立東愛麗 TECHNICAL REPORT,11,10(????)

2.升溫熱脫附氣體分析法(TDS)的應用

  • 東麗研究中心
  • 東麗研究中心
  • Technical Information

3.Improved Interconnect Yield Through Surface Control By Silylation (SCS) Method

  • K.Yano, M.Yamanaka, Y.Terai, T.Sugiyama, M.Kubota, M.Endo and N.Nomura
  • Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.
  • Symposium 1993 on VLSI Technology

4.超薄鍍錫向電場銅箔的擴散行為

  • 山下勝, 大熊秀雄*
  • (株)日本Ites信賴性·材料技術部, 日本I.B.M(株) 野洲事業所液晶技術部
  • 來源不詳

5.使用硫化物堆積的各向異性蝕刻

  • 門村新吾, 辰巳哲也, 長山哲治, 佐藤淳一
  • 索尼公司
  • Semiconductor World 12:1993年01月

6.利用升溫熱脫離分析儀對Si晶圓表面的有機物評價

  • 岡田千鶴子, 龍田次郎, 新行内隆行
  • 三菱材料株式會社中央研究所
  • 來源不詳

7.MODEL STUDIES OF DIELECTRIC THIN FILM GROWTH CVD DEPOSITION OF SiO2 FROM TEOS

  • J.E.Crowell, H-C.Cho, F.M.Cascarano, L.L.Tedder and M.A.Logan*
  • Department of Chemistry, University of California, San diego, *Lam Reserch Corporation, Advanced Research Center
  • 來源不詳

8.Evaluation of adsorbed molecules on silicon wafers

  • Norikuni YABUMOTO
  • NTT Interdisciplinary Research Laboratories
  • 來源不詳

9.使用了TDS的O2+H2O向下流動的腐蝕抑制機構的研究

  • 小尻英博, 松尾二郎*, 渡辺孝二, 中村守孝
  • 富士通, *富士通研究所
  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, 矽材料器件 94(11), 39-46, 1994-04-21

10.矽晶片表面吸附成分-升溫熱脫附法分析

  • 藪本周邦
  • NTT LSI研究所
  • 來源不詳

發布年份未知:學會要旨

1.著色羥基磷灰石的特性評価

  • 石川剛
  • 旭光學工業(株)新陶瓷事業部
  • 磷灰石研究會

2.Recovery of Useful Hydrocarbons from Oil Palm Waste Using ZrO2 Supporting FeOOH Catalyst

  • Takao MASUDA, Yumi KONDO, Masahiro MIWA, Shin R. MUKAI, Kenji HASHIMOTO and *Mikio TAKANO
  • Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University and *Institute for Chemical 特性評価 Research, Kyoto University
  • Book of Abstracts, 16th International Symposium on Chemical Reaction Engineering

3.SiO2孔中的蝕刻表面反應

  • 平下紀夫, 池上尚克
  • 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
  • 第44回半導體專業講習會預備稿集,139
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