得到的數據例
1. 氫終止矽的時間變化
目的·實驗
研究了通過HF處理在表面用氫終止的矽晶片是如何隨時間變化的。 我們將吸附在表面的氫解吸出來，并進行了評估。
實驗和評估按照以下步驟進行。
1. 準備用于實驗的氫終止Si芯片。
2. 對經過2天，7天，14天和28天樣品調整后的Si芯片進行升溫脫附實驗（升溫速率=60 K/sec）。
3. 對脫附後的氫比較裂解信號。
結果
如下圖所示隨著時間的推移，表面的氫逐漸減少。
至于減少到什么程度，還需要進一步的跟蹤實驗。
表面氫減少的原因可能是氧化加劇，表面產生羥基。
下圖顯示了表面氫和羥基的結合，從而導致水脫附的情況。
正如預期的那樣，隨著時間的推移，水的量在增加。
下圖顯示了表面氫和羥基的結合，從而導致水脫附的情況。
正如預期的那樣，隨著時間的推移，水的量在增加。
2. 氫離子注入樣品的數據
氫離子注入試料1E16個/c㎡的例
氫離子注入試料1E17個/c㎡的例
注:出現峰值的溫度取決于不同的條件，因此不同的設備會有一些差異。
3. 氫離子注入樣品的重復性數據
氫離子注入試料1E17個/c㎡4測量的例
注:出現峰值的溫度取決于不同的條件，因此不同的設備會有一些差異。
4. 草酸鈣涂氬離子注入樣品數據
草酸鈣涂氬離子注入樣品的例
注:出現峰值的溫度取決于不同的條件，因此不同的設備會有一些差異。