光照熱脫附原理
光照熱脫附經歷三個過程（①光激發，②結合切割，③脫附）。
① 光激發
當σ軌道（耦合軌道）中的電子吸收波長相當于σ軌道-σ*軌道的能量差的光時，被激發到σ*軌道（反耦合軌道）。
通過使用具有高光束密度的真空紫外線，即使是短光路長度的薄膜樣品，也能有效地激發樣品。
② 鍵結斷裂
當σ軌道和σ*軌道各有一個電子進入時，其耦合能等于兩個軌道能級的相加。當耦合能量為負時，σ耦合發生裂解。
③ 脫附
σ鍵的裂解會產生各種片段。一些分子在表面重新結合。如果生成的碎片沒有被束縛在樣品中，則發生脫附。
接下來，我們將通過電位曲線（圖1）對其進行說明。
圖1電位曲線
當兩個電子處于耦合軌道（圖1綠色電位曲線）時，玻耳茲曼分布在每個振動能級中。
該結合受到引起電子遷移的波長的真空紫外線照射后，在結合性軌道和反結合性軌道上各有1個電子的狀態(圖1紅色的電位曲線)。
處于零或更大勢能的分子會導致化學鍵斷裂。
圖2真空紫外線引起的開裂
而當多鍵或段片被束縛時，鍵不能完全斷開，或者即使斷開也不能脫附。
圖3被切斷但脫附不成立的情況①
圖4被切斷但脫附不成立的情況②