1992～1999 - ESCO | 電子科學股份有限公司

1999:論文・雜誌・書籍

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd₂O₂S:Pr Ceramic Scintillators

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO₂/SiLK resin dielectric based interconnects

• M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
• IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
• J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999:學會要旨

1.用二維相關光譜法分析升溫熱脫附數據分析

• 杉田記男，阿部英次，宮林延良*
• 豐橋技術科學大學，*電子科學
• 第22回情報化學討論會講演要旨集（1999秋），:JP12

2.關于升溫脫附法吸附烷烴SAM膜狀態的研究

• 荒木暢*，盧載根*，原正彥*,**，Ｗ。克諾爾*
• *理研前沿，**東工大總理工
• 第60屆應用物理學會學術講演會預備稿集（1999秋季）2p-Q-8

3.Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
• FRP RIKEN（理研前沿）
• 第60屆應用物理學會學術講演會預備稿集（1999秋季）2p-Q-9

4.通過電感耦合等離子體CVD制作的SiO2膜的升溫脫附氣體分析

• 服部哲也，瀬村滋，福田智惠，赤坂伸宏
• 住友電工(株)
• 第60屆應用物理學會學術講演會預備稿集（1999秋季）3p-H-1

5.SiN/SiO2膜中氫的熱行為

• 川島義也，劉紫園，川野英夫，平田剛*
• NEC器件評估技術研究所，*NEC半導體生產技術本部
• 第60回應用物理學會學術講演會預備稿集（1999秋季）3p-ZT-16

6.無機CVD-TiN膜中Cl腐蝕Al布線的機理

• 平澤賢齋，中村吉孝，田丸剛，關口敏宏，福田琢也
• （株式會社）日立制作所設備開發中心
• 第60回應用物理學會學術講演會預備稿集（1999秋季）3a-ZN-2

7.Co/a-Si:H/c-Si中的矽化過程

• 草村一文，土屋正彥，吉田陽子，曾江久美，本橋光也，本間和明
• 東京電機大工
• 第60屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1999秋季)：3a-ZN-6

8.APIMS-TDS對Si晶圓表面吸附水分的分析(IV)

• 森本敏弘，上村賢一
• 新日本制鐵株式會社先進技術研究所
• 第60屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1999秋季)：3a-ZQ-9

9.真空中S端接GaAs(001)表面升溫熱脫附過程分析

• 冢本史郎，杉山宗弘*，下田正彥，前山智*，渡邊義夫*，大野隆央，小口信行
• 金材技研，*NTT基礎研
• 第60屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1999秋季)：4a-ZK-3

10.通過高注準分子激光照射的非晶矽膜的脫氫行為

• 高橋道子，斎藤雅和，鈴木堅吉
• 日立顯示器組
• 第60屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1999秋季)：4a-ZS-4

11.PDP用MgO膜的蒸鍍時氧分壓和氣體吸附特性

• 澤田隆夫，渡部勁二，福山敬二，大平卓也，衣川勝
• 三菱電機尖端綜合研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：28p-M-4

12.升溫脫離光譜中樣品端低溫部分的校正

• 尾高憲二
• 日立機械研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：30p-R-7

13.使用二氟對二甲苯的有機低介電常數膜的特性

• 室山雅和，森山一郎
• S.C.制程開發部，索尼（株）
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：30p-ZQ-14

14.氟化非晶碳膜的層間絕緣膜相容工藝

• 小關勝成，有賀美智雄
• 日本應用材料株式會社
• 第46屆應用物理學相關聯講演會予稿集（1999春季）：30p-ZQ-19

15.氟化非晶碳膜在層間膜上的應用評價

• 松井孝幸，岸本光司，松原義久，井口學，堀內忠彥，遠藤和彥*,辰巳徹*,五味英樹
• 日本電氣公司ULSI器件開發研究所，*矽系統研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：30p-ZQ-20

16.SiO2/Si中氫行為的分析

• 劉紫園，川島義也，川野英男，浜田耕治*，浜嶋智宏*
• NEC 黛瓦評價研，NEC UL 黛瓦開研*
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1999春季)：29p-ZS-14

17.升溫熱脫附法對非對稱二烷基二硫自組裝單分子膜吸附狀態的研究究

• 荒木暢*，龜井宏二**，藤田克彥*，原正彥*,**，Ｗ。克諾爾*
• 理研前沿*，東工大總理工**
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1999春季)：30p-X-17

18.關于使用非對稱二烷基二硫化物的自組織單分子膜的生長過程的研究

• 龜井宏二*，藤田克彥**，荒木暢**，原正彥*,**，雀部博之**，Ｗ。克諾爾**
• 東工大總理工*，理研前沿**
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1999春季)：30p-X-18

19.Destructive Adsorption and Phase Separation of Asymmetric Disulfide SAMs on AU(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy

• J.NOH，M.HARA，H.SASABE and W.KNOLL
• FRP, RIKEN
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1999春季)：30p-X-19

20.氫離子注入基板剝離法中晶圓直接接合工序的探討

• 山內莊一，松井正樹，大島久純
• 電裝基礎研
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1999春季)：31a-ZP-2

21.氫終端Si表面的濕式處理時的終端氫的化學反應行為

• 永田陽一，藤原新也，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
• 廣島大學工學部
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：28a-ZT-4

22.測量Si(100)表面上P的升溫熱脫附光譜

• 廣瀨文彥，坂本仁志
• 三菱重工基盤研
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：28p-ZT-11

23.通過ECR等離子體CVD法制作的硬碳膜的熱分解行為

• 丸山一則，曾谷朋子，佐藤英樹
• 長岡技術科學大學 工
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：29a-M-2

24.真空表面氫的行為　序論

• 冢原園子
• 日本真空技術 筑波超材研
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：29a-ZH-1

25.鋼中氫的存在狀態和晶格缺陷

• 南云道彥
• 早稻田大學 理工學部 物質開發工學科
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：29a-ZH-2

26.氫在金剛石表面的行為

• 川原田洋
• 早稻田大學 理工學部，CREST
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：29a-ZH-6

27.APIMS-TDS對Si晶圓表面吸附水分的分析(III)

• 森本俊弘，上村賢一
• 新日本制鐵株式會社先進技術研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：29a-ZT-4

28.8英寸晶圓用升溫脫離測量裝置對SiO2膜的評價

• 稻吉佐，冢原園子，齋藤一也，星野洋一*,原康博*
• 日本真空技術(株) 筑波超材研，*日本真空技術(株) 超高（事）
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：29a-ZT-5

29.金剛石C(111)上的NO激光刺激釋放

• 山田太郎*,關元**,莊東榮***
• *早大材研，**IBM阿爾瑪登研，***臺灣中科院原子分子研
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：30a-L-3

30.鈦的平滑加工的表面氧化層和氣體放出特性

• 石川一政，水野善之，岡田隆弘，本間禎一
• 千葉工業大學
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：30p-R-2

31.具有矽烷鍵的低介電常數SOG膜的特性

• 田代裕治，櫻井貴昭，清水泰雄
• 東燃(株)
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：30p-ZQ-6

32.含乙烯基的二氧化矽膜的XeF2退火

• 佐野泰之*,菅原聰，宇佐美浩一，服部健雄*,松村正清
• 東京工業大學 工學部，*武蔵工業大學 工學部
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：30p-ZQ-7

33.Ni/a-Si:H層壓膜中的界面反應和矽化過程(II)

• 吉田陽子，曾江久美，本橋光也，本間和明
• 東京電機大工
• 第46屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集（1999春季）：31a-ZQ-6

34.SIMS和TDS a-Si:H中H濃度的評價

• 三上朗，鈴木崇之
• 三洋電氣公司新材料研究所
• Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

• Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
• Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
• Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998：論文･雜誌･書籍

1.TG-MS陶瓷薄膜和粉末形成過程的闡明

• 澤田豐, 西出利一*, 松下純一**
• 東京工藝大學工學部, *日本大學工學部, **東海大學工學部
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,289(1998)

2.TPD-MS(Temperature Programmed Desorption or Decomposition Mass-Spectrumetry)在材料研究中的應用

• 朝比奈均, 谷口金二
• 三菱化學株式會社筑波研究所
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

• H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
• J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

• H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
• Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6.通過冷拉絲加工的純鐵及共析鋼的升溫脫離法進行的吸氫特性評價

• 高井健一*1, 山內五郎*1, 中村真理子*2, 南云道彥*2
• *1)日本電報電話株式會社技術協力中心 *2)早稲田大學理工學部
• 日本金屬學會志, 62, 3, 267-275(1998)

1998：學會要旨

1.對介孔鋁矽酸鹽的銅離子交換及其特性

• 寺岡靖剛, 高橋基信, 瀬戸口由加子, 朝長成之*, 安武昭典*, 泉順*, 森口勇, 鹿川修一
• 長崎大工, *三菱重工
• 第81屆催化劑討論會 討論會A預備稿集,113(1998.3)：2P55

2.二氧化鈦粉末表面的NO吸附和升溫脫離

• 王楊, 柳澤保德
• 奈良教大
• 第81屆催化劑討論會 討論會A預備稿集,115(1998.3)：2P57

3.NH3-TPD光譜中吸附焓和脫離活化能分布的比較

• 增田隆夫, 藤方恒博, 橋本健治
• 京大院工
• 第81屆催化劑討論會 討論會A預備稿集,24(1998.3)：1P24

4.二氧化矽上的光烯烴代謝反應的活性種

• 田中庸裕, 松尾繁展, 竹中壯, 吉田壽雄*, 船引卓三, 吉田鄉弘
• 京大院工, *名大院工
• 第81屆催化劑討論會 討論會A預備稿集,34(1998.3)：1P34

5.鈦酸鍶系鈣鈦礦型氧化物的NO直接分解活性

• 横井泰治, 內田洋
• 東京煤氣基礎研究所
• 第81屆催化劑討論會 討論會A預備稿集,40(1998.3)：1P40

6.噻吩通過Pt/HZSM-5的氫化脫硫反應

• 黑坂忠弘, 杉岡正敏
• 室蘭工大
• 第81屆催化劑討論會 討論會A預備稿集,51(1998.3)：1P51

7.通過二氧化鈦承載沸石催化劑還原NOx

• 巖戶弘, 古南博, 橋本圭司*, 計良善也
• 近大理工, *阪市工研
• 第81屆催化劑討論會 討論會A預備稿集,53(1998.3)：1P53

8.銅離子交換沸石上NOx型吸附種的分解機構

• 小野博信, 奥村耕平, 下川部雅英, 竹澤暢恒
• 北大院工
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,131(1998.9)：3D425

9.對CH4-SCR有活性的Pd沸石中的Pd種類的研究

• 小倉賢, 鹿毛晉, 菊地英一
• 早稻田理工
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,132(1998.9)：3D426

10.銀氧化鋁催化劑上的NOx選擇還原反應中的鈦處理效果

• 后藤一郎, 山口真, 王正明, 熊谷干郎
• 產業創造研
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,134(1998.9)：3D428

11.使用脈沖法的承載Ph催化劑上的N2O分解反應

• 青柳健司, 湯崎浩一, 上冢洋, 伊藤伸一, 國森公夫
• 筑波大物資工
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,147(1998.9)：4D414

12.固溶體Co-MgO催化劑上的N2O分解反應中的O2脫離機理

• 押原健三, 秋鹿研一*
• 山口東京理大基礎工, *東工大總理工
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,148(1998.9)：4D415

13.NO和CO吸附·升溫脫離鈦酸鍶粉末

• 江戶暢子, 稻生加奈子, 德留志穗, 柳澤保德
• 奈良教大
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,2(1998.9)：1P202

14.吸附在Ni（110）上的羧酸的分解反應

• 山片啟, 久保田純, 野村淳子, 廣瀨千秋, 堂面一成, 若林文高*
• 東工大資源研, *國立科學博物館
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,207(1998.9)：3D601

15.金云母催化劑的酒精脫氫反應

• 橋本圭司, 東海直治
• 阪市工研
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,21(1998.9)：1P222

16.以加入Al，Zn，Cd鹽的FSM-16為催化劑的氣相貝克曼轉位-催化劑的酸堿性、活性劣性及生成物選擇性－

• 正路大輔, 中島剛
• 信州木匠
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,22(1998.9)：1P223

17.各種金屬氧化物上的氧化鎢單層催化劑的表面結構和酸性

• 內藤宣博, 片田直伸, 丹羽干
• 鳥取木匠
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,233(1998.9)：4D603

18.利用Co2(CO)8對Co/Al2O3固定化催化劑表面的復合設計和催化劑特性的研究

• 高村公啟, 紫藤貴文, 朝倉清高, 巖澤康裕
• 東大院理
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,237(1998.9)：4D607

19.Ga-MCM-41的結構和酸性

• 奥村和, 西垣亨一, 丹羽干
• 鳥取木匠
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,254(1998.9)：3D702

20.柱導入量不同的氧化鋁交聯云母的調整及其酸性質

• 北林茂明, 鐮田有希子, 進藤隆世志, 小澤泉太郎
• 秋田大工資
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,262(1998.9)：3D710

21.SO4(2-)-ZrO2 catalysts for isomerization of n-butane. Study of deactivation process and characterization of coke deposits

• C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
• National Institute for Resources and Environment (Japan), *INCAPE (Argentina)
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,273(1998.9)：3D721

22.水蒸氣處理氨升溫脫離法測定矽鐵酸鹽的酸性質

• 宮本哲夫, 片田直伸, 丹羽干, 松本明彥*, 堤和男*
• 鳥取木匠, *豐橋技科大
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,298(1998.9)：4D721

23.鈣鈦礦型氧化物催化劑的NO直接分解活性和電子狀態的關聯

• 横井泰治, 安田勇, 內田洋, *岡田治, **中村泰久, ***川崎春次
• 東京煤氣, *大阪煤氣, **東邦煤氣, ***西部煤氣
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,323(1998.9)：3D824

24.氧化鋯承載硫酸根單層固體超強酸催化劑對弗里德克拉夫反應的活性

• 安信直子, 遠藤純一, 片田直伸, 丹羽干
• 鳥取木匠
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,343(1998.9)：4D819

25.用于CFC分解的磷酸鋁基催化劑的開發(5)

• 二宮麻衣子, 若松廣憲, 西口宏泰, 石原達己, 瀧田祐作
• 大分木匠
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,35(1998.9)：2P205

26.V,W取代型12-磷酸鉬催化劑的還原

• 森田豐田子, 上田渉*, 秋鹿研一
• 東工大總理工, *山口東理大基礎工
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,5(1998.9)：1P205

27.吸附NO2/金屬氧化物上丙烯的部分氧化反應

• 上田厚, 小林哲彥
• 大工研究所
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,71(1998.9)：3D317

28.通過Pd復合蒸鍍薄膜進行甲醇分解反應的研究

• 佐佐木基, 伊藤建彥, 浜田秀昭
• 工技院物資研
• 第82屆催化劑討論會 A講演預備稿集,9(1998.9)：1P209

29.固定化Co(II)/Al2O3催化劑上NO-CO反應的新機制

• 山口有朋, 紫藤貴文, 朝倉清高, 巖澤康裕
• 東京大學研究生院理學系
• 第82屆催化劑討論會 B講演預備稿集,360(1998.9)：1D105

30.氧化錫承載氧化鉬薄層上生成的固體酸點的甲醇氧化反應中的催化作用

• 丹羽干, 五十嵐淳也, 片田直伸
• 鳥取大學工學部
• 第82屆催化劑討論會 B講演預備稿集,442(1998.9)：1D206

31.由二氧化碳產生的甲烷生成乙烷和乙烯的反應

• 王野, 高橋喜元, 大冢康夫
• 東北大學反應化學研究所
• 第82屆催化劑討論會 B講演預備稿集,458(1998.9)：1D211

32.使用單獨氧化物承載Pd催化劑的低溫甲烷燃燒

• Widjaja Hardiyanto, 關澤好史, 江口浩一
• 九州大學大學院總合理工學研究科
• 第82屆催化劑討論會 B講演預備稿集,466(1998.9)：1D213

33. FSM-16作為固體酸的催化特性

• 山本孝, 田中庸裕, 船引卓三, 吉田郷弘
• 京都大學大學院工學研究科
• 第82屆催化劑討論會 B講演預備稿集,494(1998.9)：2D207

34.微晶矽晶界缺陷的各向異性

• 近藤道雄, 府川真, 郭里輝, 松田彰久
• 電總研薄膜矽太陽能電池超級實驗室
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：15a-ZC-10

35.氧化膜蝕刻中添加CH2F2的效果

• 新村忠, 大宮可容子, 金田直也*, 松下貴哉*
• (株)東芝 生產技術研究所, *(株)東芝 半導體生產技術推進中心
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：15a-C-5

36.大氣中及真空中加熱對熒光膜吸附氣體特性的影響

• 山根未有希, 平澤重實*, 小關悅弘**
• (株)日立制作所 機械研究所, *(株)日立制作所 家電・信息媒體事業本部, **日立設備工程(株)
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：15p-M-5

37.Ni/a-Si:H層壓膜中的界面反應和矽化過程(I)

• 吉田陽子, 茂木梓, 曾江久美, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大工
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：15p-ZL-16

38.三n-丁基磷在金剛石C(001)表面上的反應基過程

• 西森年彥, 坂本仁志, 高桑雄二*,**
• 三菱重工業・基盤研究, *東北大學・科學研究, **科技團先驅
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：16p-N-6

39.氫處理添加Ge的SiO2玻璃中氫釋放的溫度依賴性

• 笠原敏明, 藤卷真, 大木義路, 加藤真基重*, 森下裕一*
• 早稻田大學, *昭和電線
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：16p-P13-7

40.開發半導體層間膜工藝的吸濕特性評價法的開發

• 大岳敦, 小林金也, 伊藤文俊*, 高松朗*
• 日立制造所 日立研究所, *日立制造所 半導體事業部
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：17a-ZG-1

41.低介電常數·低吸濕性有機SOG膜的制作

• 山田紀子, 高橋徹
• 新日鉄(株) 尖端技術研究所
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：17p-ZG-3

42.低介電常數多孔質SOG膜的特性

• 荒尾弘樹, 藤內篤, 江上美紀, 村口良, 井上一昭, 中島昭, 小松通郎
• 催化化成工業(株)
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：17p-ZG-4

43.含有高濃度苯基的二氧化矽膜的評價

• 佐野泰之*, 宇佐美浩一, 菅原聰, 服部建雄*, 松村正清
• 東京工業大學 工學部, *武藏工業大學 工學部
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：17p-ZG-9

44.Ar離子注入Si的升溫脫離信號與非晶態Si內Ar分布變化的關系

• 中田讓治, 藪本周邦*
• NTT 基礎研究所, *NTT-AT
• 第59屆應用物理學會學術講演會講演預備稿集(1998秋季)：18a-ZL-4

45.極細孔中的表面反應

• 金森順, 池上尚克, 平下紀夫
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：29a-ZR-2

46.全芳族聚醚聚合物層間絕緣膜

• 北孝平
• 旭化成工業 基礎研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：30p-M-4

47.矽晶片表面有機物的吸附/脫離行為

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼半導體公司超LSi實驗室
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：28p-PB-6

48.APIMS-TDS晶圓表面吸附水分分析

• 森本敏弘, 上村賢一
• 新日鐵先進技術研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：28p-PB-7

49.晶圓表面吸附有機物的吸附脫附行為

• 白水好美, 田中杰, 北島洋, 名取巖*
• 日本電氣株式會社
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：28p-PB-8

50.退火對MOCVD-BST的影響

• 上田路人, 大冢隆, 森田清之
• 松下電器産業(株) 中央研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：28p-ZF-9

51.從乙炔吸附Si(100)表面脫氫

• 中澤日出樹, 末光真希
• 東北大學 電信研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：29a-YG-11

52.Si表面的Si氫化物的吸附和氫脫離過程

• 末光真希
• 東北大學 電信研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：29a-ZR-5

53.精密化學研磨在超高真空材料表面處理上的應用

• 稻吉佐, 齊藤一也, 佐藤幸惠, 冢原園子, 石澤克修*, 野村健*, 嶋田晃久*, 金澤實**
• 日本真空技術(株), *三愛石油(株), **三愛成套設備工業(株)
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：29p-X-10

54.不銹鋼表面的水升溫熱脫附特性

• 田中智成, 竹內協子, 辻泰
• 阿爾巴克公司中心
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：29p-X-5

55.用Si薄膜包膜的不銹鋼的低氣體排放特性

• 稻吉佐, 佐藤幸惠, 冢原園子, 金原粲*
• 日本真空技術(株), *金澤工大
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：29p-X-7

56.LPD低介電常數有機二氧化矽膜(II)－各種含有有機基團的耐熱性－

• 小林光男*, 住村和仁, 菅原聰, 服部健雄*, 松村正清
• 東工大 工學部, *武蔵工大 工學部
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：30a-M-10

57.CO/a-Si:H中的矽化物形成(I)

• 古林治, 土屋正彥, 曾江久美, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學 工學部
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：30a-N-5

58.CO矽化物在N2和NH3中的形成過程--殘留氧的影響

• 堤紀久子, 杉山龍男*, 江藤龍二*, 神前隆**, 小川真一*
• 松下電子工業(株) 微機事業部, *松下電子工業(株) Pro開世, **松下電子研究(株)
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：30a-N-6

59.通過H2O等離子體抑制HSQ膜劣化灰化的研究

• 玉岡英二, 青井信雄, 上田哲也, 山本明廣, 真弓周一
• 松下電器工業株式會社工藝開發中心
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：30p-M-10

60.低介電常數有機層間絕緣膜的高溫特性

• 高相純, 富澤友博, 豬留健, 原徹
• 法政大學 工學部
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：30p-M-7

61.低介電常數離子注入有機SOG膜的熱釋放特性

• 松原直輝, 水原秀樹, 渡邊裕之, 實澤佳居, 井上恭典, 花房寛, 吉年慶一
• 三洋電機微電子研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1998春季)：30p-M-9

1997:論文・雜誌・書籍

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

• Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
• Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

• G.A. Young and J.R. Scully
• Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
• Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
• Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

• Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

• Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,165,57(1997)

7.分析基板表面污染物的方法:升溫熱脫附分析

• 藪本周邦
• NTT先進技術
• 半導體工藝環境中的化學污染及其對策，Realise公司，p291

1997:學會要旨

1.利用TDS，FT-IR評價氧化Si膜的膜質量

• 寺田久美, 梅村園子, 寺本章伸*, 小林清輝*, 黑川博志, 馬場文明
• 三菱電機株式會社先端總研，*UL研
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：2a-D-10

2.PECVD-SiO2柵極絕緣膜中結構水的減少

• 湯田克久, 田邊浩, 世良賢二, 奥村藤男
• NEC功能電子學實驗室
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-K-3

3.氦-氫兩級注入矽晶片中的blister形成行為

• 中嶋健, 高田涼子, 須藤充, 貝沼光浩*, 中井哲彌, 富澤憲治
• 三菱材料矽株式會社技術本部開發中心，*三菱材料株式會社綜合研究所
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-PB-2

4.通過TDS直接觀察Smart-Cut行為（2）

• 高田涼子, 高石和成, 富澤憲治
• 三菱材料矽株式會社技術本部開發中心
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-PB-3

5.C49/C54 TiSi2相變的TDS原位觀察

• 田中宏幸, 平下紀夫, 北明夫
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：4a-D-10

6.氟脫離ECR-CVD SiOF膜的影響

• 宇佐見達矢, 五味秀樹
• NEC ULSI設備開發實驗室
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：4a-K-5

7.氟變性引起的氫氧化矽氧烷的低介電常數化研究

• 中田義弘, 福山俊一, 片山倫子, 山口城
• （株）富士通研究所
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：4p-K-15

8.甲基矽烷-H2O2自平坦化CVD工藝

• 松浦正純，井內敬彰*，增田員拓*，益子洋治
• 三菱電機（株）ULSI開發研究所，*菱電半導體（株）
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：4p-K-2

9.無機多孔膜SOG材料（HPS）的物理性質評價

• 村口良，中島昭，小松通郎，大倉嘉之，宮島基守，原田秀樹**，福山俊一**
• 催化化成工業(株)Fine研究所、*富士通(株)、**(株)富士通研究所
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：4p-K-7

10.熒光體粉末和水玻璃的氣體放出特性

• 山根美有希，高橋主人*，平澤重實**，小關悅弘***
• （株）日立制造所機械研究所，*Kasako工廠，**電子設備事業部，***日立設備工程（株）
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：4p-ZT-8

11. 離子注入的矽片表面的有機物吸附的評價

• 嵯峨幸一郎、服部毅
• 索尼半導體公司超大規模集成電路實驗室
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-D-2

12.晶圓盒存儲時抗氧化劑（BHT）吸附到矽晶圓上的形式

• 今井利彥、水野亨彥、波多野徹
• 信越半導體白河研究所
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-D-4

13.各種清洗后，潔凈室對Si表面的有機物污染和再清洗的去除

• 中森雅治, 青砥奈美
• NEC ULSI設備開發實驗室
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-D-5

14.APIMS-TDS對Si晶圓表面吸附IPA的分析

• 森本敏弘, 上村賢一
• 新日鐵先進技術研究所
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-D-7

15.H+注入空隙切割SOI（4）

• 柿崎惠男，原徹，井上森雄*，梶山健二*
• 法政大學 工學部, *離子工程研究所
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-PB-4

16.1-MeV H+注入形成單晶Si薄膜

• 中田讓治, 西岡孝*
• NTT基礎研究所，*NTT光電子研究所
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：3p-ZK-12

17.低介電常數氟碳膜的高溫特性

• 高相純，富澤友博，豬留健，原徹，Yang*，D.Evans*，柿崎惠三**
• 法政大學 工學部, *SMT, **夏普ULSI研
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：4a-K-8

18.使用Benzene的a-C:H膜的特性研究

• 鄭他
• 三星電子半導體研究所
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：4p-YA-3

19.細孔內殘留硫酸組分的純電解陽極水護發素

• 山崎進也，青木秀充，青砥奈美，二木高志*，山下幸福*，山中弘次*
• NEC ULSI設備開發實驗室，*Organo公司
• 第58屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1997秋季)：5a-D-8

20.多金屬布線(VIII)~WNX膜中氮的脫離過程

• 中嶋一明、赤坂泰志、宮野清孝、高橋護*、末廣信太郎*、須黑恭一
• 東芝微電子技術研究所*東芝環境技術研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：28a-PB-14

21.SiH4-H2O2系CVD氧化膜工藝中的NMOS Hot Carrier可靠性評價

• 久保誠、八尋和之、富田健一
• （株）東芝半導體生產技術推進中心
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：28p-F-18

22.使用三乙氧基矽烷(TRIES)的SiO2膜(II)

• 服部覺、原田勝可
• 東亞合成（株）新材料研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-F-13

23.通過TDS直接觀察Smart-Cut行為

• 高田涼子、高石和成、富澤憲治
• 三菱材料矽株式會社技術本部開發中心
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-G-11

24.干燥后晶圓表面殘留的吸附IPA的評價

• 嵯峨幸一郎、岡本彰、國安仁、服部毅
• 索尼半導體公司超大規模集成電路實驗室
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-D-11

25.甲基矽烷-H2O2自平坦化CVD工藝（1）

• 松浦正純，增田員拓*，井內敬彰*，益子洋治
• 三菱電機（株）ULSI開發研究所，*菱電半導體（株）
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-F-14

26.SiH4/H2O2 CVD氧化膜的成膜特性

• 吉江徹、下川公明、吉丸正樹
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-F-15

27.使用氫自由基形成高可靠性SiOF膜

• 福田琢也，佐佐木英二*，細川隆，小林伸好
• （株）日立制作所半導體技術開發中心，*日立超大規模集成電路工程
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-F-20

28.半導體層間絕緣膜水的升溫熱脫附光譜分析

• 岳敦、小林金也、加藤圣隆*、福田琢也*
• 日立制造所日立研究所，日立制造所半導體事業部
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-F-21

29.Non-E.B.聚矽烷SOG的成膜特性

• 齋藤政良、平澤賢齋、坂井健志、堀田勝彥*、加藤圣隆、高松朗、小林伸好
• （株）日立制作所半導體事業部，*日立微機
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-F-5

30.低介電常數HSQ膜特性的結構依賴性

• 后藤欣哉，北澤良幸*，松浦正純，益子洋治
• 三菱電機（株）ULSI開發研究所，*三菱電機（株）先進技術綜合研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-F-8

31.通過H+注入形成Si薄膜層

• 柿崎惠男，木花岳郎，大島創太郎，原徹，井上森雄*，梶山健二*
• 法政大學工學部，*離子工程研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-G-12

32.PH3室溫吸附到Si（100）表面

• 筑館嚴和、末光真希
• 東北大學電信研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-ZN-10

33.SiH4和Si2H6室溫吸附到P涂層Si（100）表面

• 筑館嚴和、末光真希
• 東北大學電信研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-ZN-11

34.Si（100）表面上Te的吸附結構

• 田宮健一、大谷卓也、武田康、浦野俊夫、福原隆宏、金子秀一、本鄉昭三
• 神戶大學工學部
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-ZN-2

35.利用MDS和TDS研究Cs和D在Si（100）表面上的共吸附結構

• 長谷部弘之、清水將之、小嶋薰、本鄉昭三、浦野俊夫
• 神戶大學工學部
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-ZN-4

36.利用MDS、TDS對Li、D共吸附Si（100）表面的觀測

• 福原隆宏、金子秀一、小嶋薰、本鄉昭三、浦野俊夫
• 神戶大學工學部
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-ZN-5

37.當Ba和D一起吸附時，氘從Si（100）表面脫離的機制

• 小嶋薰、藤內重良、本鄉昭三、浦野俊夫
• 神戶大學工學部
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：29p-ZN-6

38.微孔內部的殘留硫酸成分

• 山崎進也，青木秀充，西山巖男*，青砥奈美
• NEC ULSI器件開發實驗室、*NEC微電子實驗室
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-D-8

39.SiOF膜中的水分對介電常數的影響

• 上田聰、菅原岳、上田哲也、玉岡英二、真弓周一
• 松下電器產業半導體研究中心
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-F-18

40.通過電子束照射改善氫化異構矽氧烷無機SOG的膜質

• 楊京俊、崔東圭、王時慶、L。福斯特，中野正
• 對準信號AMM
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：30p-F-2

41.TOF-ESD和FTIR原位觀察法對金屬表面CO吸附的研究

• 上田一之、伊達正和、芳村雅滿、白輪地菊雄*、西澤誠治*
• 豐田工大（院），日本分光
• 第44屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1997春季)：31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

• Nigel P. Hacker
• Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

43.HSQ膜特性的結構依賴性

• 松浦正純
• 三菱電機ULSI開發研究所
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996:論文・雜誌・書籍

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3.平下紀夫學位論文

• 平下紀夫
• 沖電工業超大規模集成電路開發中心
• 電氣通信大學（1996）

4.Si基板表面吸附物的熱脫離行為

• 神保智子、石川勝彥*、伊藤雅樹*、津金賢、田邊義和、齋藤由雄、富岡秀起
• 日立制作所器件開發中心，*日立制作所半導體事業部
• 信學技報TECHNNICAL REPORT OF IEICE.，ED96-11，SDM96-11，75（1996）

5.Extreme Trace Analysis for Clean Process of LSI Fabrication

• Norikuni Yabumoto
• NTT Advanced Technology Corporation
• NTT REVIEW,8,70(1996)

6.Thermal Desorption Spectroscopy of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition

• Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
• Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996:學會要旨

1.Evidence for Asymmetrical Hydrogen Profile in Thin D2O Oxidized SiO2 by SIMS and Modified TDS

• Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2.Significant Effect of OH inside Silicon Chemical Oxides on AHF(Anhydrous Hydrofluoric Acid) Etching

• Kouichi MURAOKA, Iwao KUNISHIMA, Nobuo HAYASAKA and Shin-ichi TAKAGI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3.通過TDS升溫脫離分析評價熱氧化膜中的氫

• 寺田久美，黑川博志，小林清輝*，川崎洋司*
• 三菱電機株式會社先端總研，*UL研
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：7a-H-3

4.殘留氟對有機物晶圓表面的吸附加速

• 嵯峨幸一郎、服部毅
• 索尼半導體公司超大規模集成電路實驗室
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：8a-L-7

5.晶圓表面吸附物對粘合界面的影響

• 高田涼子、大嶋升、高石一成、富澤憲治、新行內隆之*
• 三菱材料矽（株）技術本部開發中心，*三菱材料矽（株）技術本部工藝技術部
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：8p-L-6

6.LPCVD-SiN膜中的氫引起的熱載流子壽命降低現象（2）

• 內田英次，時藤俊一，澀澤勝彥，村上則夫，中村隆治，青木浩，山本祐廣，平下紀夫
• 沖電氣工業（株式會社）超大規模集成電路研究開發中心，*沖電氣工業（株式會社）工藝技術中心
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：8p-R-18

7.基于分子軌道法的SiOF膜成膜用氣體的分子解離反應分析

• 大山敦、小林金也、田子一農、福田琢也*、細川隆*、加藤圣隆*
• 日立制造所日立研究所，日立制造所半導體事業部
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：9a-H-1

8.改變碳含有率的有機SOG的平坦化特性

• 平澤賢齋、齋藤政良、加藤圣隆
• 日立制作所半導體事業部
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：9a-H-20

9.使用（C2H5O）3SiF/（C2H5O）3SiH的PECVD法的SiOF膜的成膜特性

• 鬼頭英至、室山雅和、佐佐木正義
• 索尼(株) 半導體公司 第1 LSI部門
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：9a-H-5

10.氟添加SiO膜的吸濕機理的研究

• 室山雅和、芳賀豐、佐佐木正義
• 索尼(株)S.C.第1LSI部門
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：9a-H-9

11.Si晶圓表面的附著有機物觀察

• 松尾千鶴子，高石一成，富澤憲治，新行內隆之*
• 三菱材料矽（株）技術本部開發中心，*三菱材料矽（株）技術本部工藝技術部
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：9a-L-8

12.Pd/a-Si:H/c-Si層壓膜中的矽化過程（1）

• 安藤伸一、古林治、安達久美、本橋光也、本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：7p-N-18

13.Si（100）表面的高階氫脫離過程

• 中澤日出樹，末光真希，宮本信雄*
• 東北大學電訊研究所，*東北學院大學工學部
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：8p-W-12

14.利用MDS對Cs，D共吸附Si（100）表面的觀測

• 長谷部弘之、福原隆宏、小嶋薰、清水將之、本鄉昭三、浦野俊夫
• 神戶大學工學部
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：8p-W-13

15.HREELS研究叔丁基膦在Si（001）表面上的分解過程

• 金田源太、真田則明、福田安生
• 靜岡大學電子研究所
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：8p-W-17

16.進行電子束固化的有機SOG膜的特性化

• 崔東圭，J。肯尼迪，L。福斯特，中野正
• 對準信號AMM
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：9p-H-17

17.TD-APIMS對離子注入缺陷的氫阱觀察

• 藪本周邦、佐藤芳之*、齋藤和之**
• NTT境界研，*NTT LSI研，**會津大學
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：9p-L-1

18.H+注入空隙切割SOI（2）

• 柿崎惠男、木花岳郎、大島創太郎、北村平、原徹
• 法政大學工學部
• 第57屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1996秋季)：9p-P-2

19.偏置ECR-CVD SiOF膜使用SiH4/CF4氣體的特性

• 宇佐美達矢、石川拓、本間哲哉
• NEC ULSI設備開發實驗室
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：26a-N-10

20.低介電常數PTFE薄膜的評價

• 長谷川利昭，松澤伸行*，門村新吾，青山純一
• 索尼超大規模集成電路實驗室*中央實驗室
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：26a-N-2

21.Hydrogen Silsesquioxane(HSQ)介電常數評估

• 宮永隆史、佐佐木直人、龜岡克也、森山一郎、佐佐木正義
• 索尼半導體公司第一LSI分部
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：26a-N-6

22.利用離子注入方法改性有機SOG膜(V)

• 渡邊裕之、平瀨征基、實澤佳居、水原秀樹、青江弘行、豆野和延
• 三洋電機微電子研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：26a-N-7

23.LPCVD-SiN膜的氫引起的熱載流子壽命劣化現象

• 時藤俊一，澀澤勝彥，村上則夫，內田英次，中村隆治，青木浩，山本祐廣，平下紀夫
• 沖海電氣超大規模集成電路研發中心，工藝技術中心
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：27p-E-4

24.塑料盒釋放的有機添加劑在晶圓表面的吸附機制

• 嵯峨幸一郎、古谷田作夫、服部毅
• 索尼半導體公司超大規模集成電路實驗室
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：27p-F-12

25.無水HF氣體的原位自然氧化膜蝕刻機理

• 村岡浩一、國島巖、早坂伸夫、高木信一、鳥海明
• 東芝ULSI研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：28a-K-3

26.Bias ECR CVD SiO膜釋放氣體對W Plug工藝的影響

• 芳賀豐、室山雅和、佐佐木正義
• 索尼(株) 半導體公司 第1 LSI部門
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：29p-N-8

27.通過四甲基替蘭/氧自由基反應形成低介電常數絕緣膜

• 奈良明子、伊藤仁
• 東芝ULSI研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：26a-N-1

28.吸附在石墨表面的氧的升溫脫離

• 吉田巖，杉田利男*，野口峰男*
• 東京理科大學基礎工，*工學部
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：26a-PA-12

29.a-Si:H膜結構微晶過程評價（Ⅱ）

• 中島鄉子、大嶋孝文、本橋光也、本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：26a-TC-10

30.SiOF膜的吸濕性研究

• 筱原理華、工藤寬、武石俊作、山田雅雄
• 富士通工藝開發部
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：26p-N-12

31.從注入氧離子的Si襯底中脫離SiO

• 石川由加里、柴田典義
• 陶瓷中心
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：27p-P-9

32.通過升溫脫離法評價純鈦的真空特性

• 抱谷修二、本間禎一
• 千葉工業大學
• 第43屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1996春季)：28p-ZL-3

1995:論文・雜誌・書籍

1.The distribution of activation energy for hydrogen desorption over silica-supported nickel catalysts determined from temperature-programmed desorption spectra

• Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, ＊Takao Masuda, ＊Kenji Hashimoto
• Institute for Chemical Reaction Science, Tohoku University, ＊Depertment of Chemical Engineering, Kyoto University
• Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.升溫脫離分析在矽表面評價中的應用

• 藪本周邦
• NTT先進技術
• 表面技術,46,47(1995)

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

• Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

• Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
• ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
• J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7.矽晶圓表面分析評估技術:晶圓上吸附分子的分析評價技術

• 藪本周邦
• NTT先進技術
• 矽片表面清潔技術別冊，Larrise公司，p101

1995年:學會要旨

1.利用Helicon波等離子體CVD對SiOF膜的膜質進行評價

• 芳賀豐、室山雅和、佐佐木正義
• 索尼半導體公司第一LSI分部
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26a-ZB-3

2.吸濕對低介電常數表面保護膜的影響

• 足立悅志、足達廣士、武藤浩隆、藤井治久
• 三菱電機株式會社中央研究所
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26a-ZB-6

3.等離子體氧化膜的水分透過抑制機構的研究

• 內田博章，時藤俊一*，酒谷義廣，平下紀夫*
• 沖電工業（株式會社）工藝技術中心，*超大規模集成電路研發中心
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26a-ZB-9

4.電極界面附近CVD-BST膜的特性

• 山向干雄、川原孝昭、中畑匠、結城昭正、斧高一
• 三菱電機半導體基礎研究所
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26a-ZG-7

5.高介電常數材料（Ba，Sr）TiO3膜的形成和界面控制

• 結城昭正
• 三菱電機半導體基礎研究所
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26p-W-6

6.使用TiCl4的CVD TiN膜的氯含量和膜質

• 川島淳志、宮本孝章、門村新吾、青山純一
• 索尼半導體公司超大規模集成電路實驗室
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：27a-PB-8

7.高溫成膜O3-TEOS NSG膜的評價

• 味澤治彥、齊藤正樹、森山一郎、佐佐木正義
• 索尼半導體公司第一LSI分部
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：28a-PC-11

8.氫化半矽氧烷SOG作為層間絕緣膜的特性

• 小柳賢一、岸本光司、本間哲哉
• 日本電氣公司ULSI設備開發研究所
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：28a-PC-2

9.利用離子注入法改性有機SOG膜(IV)

• 渡邊裕之、平瀨征基、實澤佳居、水原秀樹、青江弘行
• 三洋電機微電子研究所
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：28a-PC-4

10.通過H2O添加濺射法形成的非晶ITO膜的熱處理引起的結構變化

• 西村悅子、安藤正彥、鬼澤賢一、峯村哲郎、高畠勝*
• （株）日立制作所日立研，*電子設備事業部
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：28a-ZH-8

11.通過密度控制實現SiOF膜的低吸濕化

• 工藤寬、淡路直樹*、筱原理華、武石俊作、星野雅孝、山田雅雄
• 富士通（株）工藝開發部，*ULSI研究部
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26a-ZB-10

12.高介質電極材料的TDS評價

• 蘆田裕、中林正明、記村隆章、森治久
• 富士通(株)
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26a-ZG-1

13.用TDS法分析砷（注）素離子注入缺陷

• 齊藤和之、佐藤芳之*、藪本周邦**
• 會津大學，*NTT LSI研，**NTT境界研
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26p-ZP-9

14.鈍化膜中氫對Si懸掛鍵的影響

• 寺田久美、黑川博志、小林淳二、河野博明*、小林和雄**、子蒲哲夫
• 三菱電機（株式會社）材研，*北伊丹制作所，**熊本制作所
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26p-ZV-15

15.表面氫脫離引起的Si上的Al選擇CVD反應

• 勝田義彥、小永田忍、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行
• 廣島大學工學部
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：26p-ZV-8

16.通過TDS及SIMS對SiO2膜中的Ar進行定量

• 冢本和芳、松永利之、渡邊啟一、森田弘洋、山西齊*、吉岡芳明
• 松下電子研究技術部半導體解析組，松下電器產業株式會社生產技術本部薄膜加工研究所
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：27a-C-3

17.Ar+-IBARD法制備的TiOX薄膜的Ar升溫熱脫附特性

• 笹瀨雅人，山木孝博*，三宅潔**，鷹野一朗，磯部昭二
• 工學院大學工學部，*日立制作所日立研，**日立制作所電開本
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：27p-ZH-9

18.氫端點Si（100）2×1表面上的Na吸附/脫附和電子態(I)

• 藤本訓弘、小嶋薰、本鄉昭三、浦野俊夫
• 神戶大學工學部
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：27p-ZL-2

19.醇在TEOS/O3常壓CVD反應中的添加效應（IV）——在四甲氧基矽烷原料中的添加——

• 池田浩一、前田正彥
• NTT LSI實驗室
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：28a-PC-9

20.通過氧自由基退火降低Ta2O5薄膜漏電流的效果

• 松井裕一、鳥居和功、糸賀敏彥、飯島晉平*、大路讓*
• 日立中研，*日立半事
• 第56屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1995秋季)：28p-PC-3

21.TDS對貼合晶圓的評估-晶圓背面的貢獻-

• 高田涼子、岡田千鶴子、近藤英之、龍田次郎、降屋久、新行內隆之
• 三菱材料矽株式會社中央研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：28a-X-2

22.TDS評估貼合晶圓II-貼合界面的貢獻-

• 岡田千鶴子、高田涼子、近藤英之、龍田次郎、降屋久、新行內隆之
• 三菱材料矽株式會社中央研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：28a-X-3

23.DCS-WSiX膜中氟、氯含量和TDS分析

• 山崎治、大南信之、谷川真、井口勝次、崎山惠三
• 夏普超大規模集成電路開發研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：29a-K-8

24.使用離子注入法重整有機SOG膜（II）

• 渡邊裕之、平瀨征基、實澤佳居、水原秀樹、青江弘行
• 三洋電機微電子研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：30a-C-1

25.TEOS-O3沉積膜的應力和結構、組成的熱變化

• 梅澤華織、土屋憲彥、矢吹宗、藤井修*、大森廣文*、松本明治*
• （株）東芝半導體事業本部，*（株）東芝研究開發中心
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：30a-C-10

26.利用SiH4-H2O2基CVD氧化膜形成層間絕緣膜的工藝（2）

• 松浦正純、西村恒幸*、林出吉生、平山誠、井內敬彰*
• 三菱電機（株）ULSI開發研究所，*菱電半導體（株）
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：30a-C-4

27.使用Polycarbosilane的平坦化

• 小林倫子、福山俊一、中田義弘
• （株）富士通研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：30a-C-6

28.通過苯酚化合物促進Perhydrosilazane的氧化

• 中田義弘、福山俊一、小林倫子、原田秀樹*、大倉嘉之*
• （株）富士通研究所，*富士通（株）
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：30a-C-7

29.通過TDS分析氫氣注入Si基板的氫氣脫離行為

• 奧村治樹、長谷川剛啟、添田房美
• 東麗研究中心
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：30a-H-1

30.等離子體CVD-SiO膜特性的RF頻率依賴性

• 河野浩幸、巖崎賢也
• 宮崎沖電氣（株）
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：30p-C-13

31.通過TDS檢測離子注入雜質（B，P，As）

• 藪本周邦、本間芳和、佐藤芳之*、齋藤和之**
• NTT境界研，*NTT LSI研，**會津大學
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：28a-X-1

32.通過升溫脫離法評價玻璃基板上有機分子的行為

• 高橋善和、稻吉溯、齋藤一也、冢原園子、飯島正行
• 日本真空技術（株）筑波超材料研
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：28a-ZS-4

33.Si晶片表面有機污染物的化學組成

• 高萩隆行、小島章弘、坂上弘之、新宮原正三、八嶋博*
• 廣島大學工學部、東麗研究
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：29a-PA-14

34.磷酸處理后的GaAs表面的評價

• 林榮治、永井直人、中川善嗣、中山陽一、添田房美
• 東麗研究中心
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：29a-ZN-2

35.CVD-TiN膜氯的脫氣特性評價

• 鈴木壽哉，坂井拓哉*，大場隆之，八木春良
• 富士通（株），*富士通VLSI（株）
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：29p-K-3

36.HF處理Si表面上的IPA吸附II

• 宮田典幸，小尻英博*，山下良美，岡村茂，久繼德重
• （株）富士通研究所，*富士通（株）
• 第42屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1995春季)：29p-PA-20

1994:論文・雜誌・書籍

1.Thermal Desorption Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of CFx Layer Deposited on Si and SiO₂

• Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui and Jun Kanamori
• VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2.In situ infrared study of chemical state of Si surface in etching solution

• Michio Niwano, Yasuo Kimura and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3.利用升溫脫離氣體分析法對半導體集成電路材料釋放氣體進行定量分析

• 平下紀夫，內山泰三*
• 沖電工業（株式會社）超大規模集成電路研究開發中心，*電子科學（株式會社）
• 分析化學，43,757（1994）

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

• E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
• Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
• IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

• Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO₂ Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

• Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.有機物造成的表面污染

• 高萩隆行
• （株）東京研究中心
• Journal of Japan Air Cleaning Association,7,32(1994)

9.Fine Contact Hole Etching in Magneto-Microwave Plasma

• Y.Miyakawa, J.Hashimoto, N.Ikegami, T.Matsui and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10.Determination of Hydrogen Concentration in Austenitic Stainless Steels by Thermal Desorption Spectroscopy

• Masako Mizuno, Hideya Anzai, Takashi Aoyama and Takaya Suzuki
• Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
• Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.以電子材料為中心的TDS脫附氣體分析

• 奧村治樹、高萩隆行
• （株）東京研究中心表面科學研究部
• THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994:學會要旨

1.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, *Process Technology Center
• Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1994, pp.925-927

2.用TDS法評價CVD成膜（Ba，St）TiO3膜的特性

• 山向干雄、川原孝昭、蒔田哲郎、結城昭正、斧高一、上原康*
• 三菱電機（株）半導體基礎研究所，*材料設備研究所
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：19p-M-5

3.PECVD SiOF膜的吸濕特性(II)

• 宇佐美隆志、下川公明、吉丸正樹
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：20p-ZC-14

4.Perhydrosilazane的成膜機理II

• 大倉嘉之、原田秀樹、清水敦男、渡部潔、福山俊一、中島昭**、高橋美紀**、小松通郎**
• 富士通（株）工藝開發部、*（株）富士通研究所、**催化化成工業（株）精細研究所
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：20p-ZC-7

5.光刻膠熱反應行為分析（TDS）

• 佐久間徹夫，池田章彥，吉信達夫*，巖崎裕*
• 旭化成工業（株式會社），*大阪大學產業科學研究所
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：22a-ZB-8

6.Si（100）表面原子平坦度的氫升溫熱脫附光譜

• 中澤日出樹、末光真希、金基俊、宮本信雄
• 東北大學電信研究所
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：20a-ZB-5

7.矽表面的氟脫離和氫吸附

• 久保田徹、白石修司、齋藤洋司
• 成蹊大學工學部
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：20p-ZB-10

8.醇加入TEOS/O3常壓CVD反應的效果（Ⅲ）——氘代醇的加入——

• 池田浩一、中山諭、前田正彥
• NTT LSI實驗室
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：20p-ZC-1

9.等離子體CVD法成膜條件對寄生MOS-Tr.的影響

• 大田裕之、淺田仁志、佐藤幸博、清水敦男、渡部潔
• 富士通（株）
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：20p-ZC-9

10.熱氧化膜水的吸濕

• 奧野昌樹，片岡祐治，小尻英博*，杉田義博，渡邊悟，高崎金剛
• （株）富士通研究所，富士通（株）
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：21p-ZB-15

11.Si（111）表面氧化膜的TDS觀察

• 渡部宏治、伊藤文則、平山博之
• NEC微電子研究所
• 第55屆應用物理學會學術講演會預備稿集(1994秋季)：21p-ZB-16

12.TDS對Si表面有機物污染的分析

• 奧村治樹、高萩隆行
• 東麗研究中心
• 第41屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1994春季)：29a-ZK-11

13.有機SOG的無機化烘烤處理

• 小針英也，岡野進，大橋直史*，根津廣樹*
• 東京應化工業（株）開發本部，*（株）日立制作所設備開發中心
• 第41屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1994春季)：30p-ZW-13

14.聚乙烯有機矽氧烷作為SOG的應用研究

• 足立悅志、足達弘士、西村浩之、南伸太朗、松浦正純*
• 三菱電氣（株）中央研究所，*ULSI開發研究所
• 第41屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1994春季)：30p-ZW-14

15.NH3從多層布線通孔中脫離

• 時藤俊一，內田英次，奧野泰幸，伏見公久，酒谷義廣，平下紀夫
• 沖電工業超大規模集成電路研發中心，*工藝技術中心
• 第41屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1994春季)：30p-ZW-15

16.O3-TEOS絕緣膜的膜質重整

• 谷川真、土居司、石濱晃、崎山惠三
• 夏普超大規模集成電路開發研究所
• 第41屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1994春季)：30p-ZW-2

17.改善O3-TEOS絕緣膜的膜質量

• 小針英也、岡野進、湊光朗
• 東京應化工業（株）開發本部
• 第41屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1994春季)：30p-ZW-3

18.PECVD SiOF膜的吸濕特性

• 宇佐美隆志、下川公明、吉丸正樹
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 第41屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1994春季)：30p-ZW-8

19.通過控制基膜中殘留物的化學種類提高TEOS/O3 SiO2膜的嵌入性

• 久保享、廣瀨和之、本間哲哉、村尾幸信
• NEC ULSI設備開發實驗室
• 第41屆應用物理學相關聯合講演會預備稿集(1994春季)：30p-ZW-4

20.基礎對化學鍍銅形成針狀結晶的影響

• 藤波知之、橫井池加子、本間英夫*
• EBARA YUJILT（株），*關東學院大學工學部
• 表面技術協會第90屆講演大會要旨集,168,(1994)：5C-19

1993:論文・雜誌・書籍

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

• N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
• NTT LSI Laboratories
• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

• Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

• Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
• NTT LSI Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

• Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

• Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

• N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

• H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
• Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
• J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8.CVD氧化膜的吸濕過程和水的脫離機構

• 時藤俊一、內田英次、平下紀夫
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 信學技報TECHNICAL REPORT OF IEICE.，SDM93-9，59（1993）

9.Improvement of Water-Induced Hot-Carrier Immunity Degradation Using ECR Plasma-SiO2 with Si-H Bonds

• K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 信學技報TECHNICAL REPORT OF IEICE.，SDM93-39，47（1993）

10.等離子體CVD-SiO2膜的吸濕特性

• 下川公明
• 沖電工業超大規模集成電路開發研究中心
• Semiconductor World月刊（1993.2）

11.絕緣膜吸濕性的各種問題--評價方法和對策

• 小谷秀夫、松浦正純、林出吉生
• 三菱電氣LSI研究所
• Semiconductor World月刊（1993.2）

12.低溫退火對TEOS-O3常壓CVD NSG膜吸濕性的效果

• 細田幸男、原田秀樹、清水敦男、渡部潔、蘆田裕
• 富士通基礎工藝開發部、開發推進本部
• Semiconductor World月刊（1993.2）

1993:學會要旨

1.利用升溫熱脫離分析儀對Si晶圓表面的有機物進行評價

• 岡田千鶴子
• 三菱材料株式會社中研
• 第54回分析化學討論會要旨集（1993.06）

2.通過升溫脫離法分析不銹鋼中氫的方法的探討

• 水野昌子、三澤豐、國谷治郎、木田利孝
• （株）日立制作所日立研究所
• 第54回分析化學討論會要旨集（1993.06）

3.Single Step Gap Filling Technology for Subhalf Micron Metal Spacings on Plasma Enhanced TEOS/O2 Chemical Vapor Deposition System

• Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
• Applied Materials Japan Inc. Technology Center
• Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, pp.510-512

4.Si（100）和（111）表面上SC1氧化膜的升溫分解脫附光譜法

• 巖崎裕，中尾基，吉信達夫，內山泰三*
• 大阪大學產業科學研究所，*電子科學（株）
• 第54回應用物理學會學術講演會予稿集（1993秋），

5.氫端點Si（111）表面上氫的熱脫附行為

• 高萩隆行、名古屋浩貴、中川善嗣、永井直人、石谷炯
• 東麗研究中心
• 第54回應用物理學會學術講演會予稿集（1993秋），

6.用TDS（升溫熱脫附氣體分析）評價Al膜

• 針生武德、大野秀樹、井上實
• 富士通(株)
• 第54回應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）16a-ZR-11

7.高濃度BPSG膜的缺陷析出及其抑制方法（3）-矽烷化處理的效果

• 矢野航作、寺井由佳、杉山龍男、遠藤正孝、上田哲也、野村登
• 松下電器半研中心
• 第54屆應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）16p-ZQ-16

8.熱處理等離子體-CVD SiO膜的升溫熱脫附氣體分析（TDS）

• 時藤俊一、內田英次、平下紀夫
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 第54屆應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）16p-ZQ-5

9.TEOS-O3 NSG的基礎P-SiO依賴性

• 宇佐美隆志、下川公明、吉丸正樹
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 第54屆應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）16p-ZQ-7

10.絕緣膜的高溫應力

• 星野和弘、菅野幸保
• 索尼超大規模集成電路開發本部
• 第54回應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）17p-ZQ-16

11.通過升溫脫離氣體分析法探討脫離氣體的定量分析法

• 平下紀夫，時藤俊一，內山泰三*，日永康*
• 沖電工業（株式會社）超大規模集成電路研究開發中心，*電子科學（株式會社）
• 第54回應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）27a-ZL-8

12.用TDS法研究Si表面的氫

• 高萩隆行、名古屋浩貴、長澤佳克、石谷炯
• 東麗研究中心
• 第54回應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）28a-ZD-7

13.被TiN/Ti膜覆蓋的通孔的氣體排放特性

• 松浦正純、山口澄夫、林出吉生、古谷秀夫
• 三菱電機LSI實驗室
• 第54屆應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）29a-X-1

14.Perhydrosilazane的成膜機理

• 長嶋隆、原田秀樹
• 富士通(株)
• 第54屆應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）29a-X-10

15.通過熱解離分析評估偏角（111）Si晶圓表面

• 龍田次郎、小林弘之、高橋功、新行內隆之、岡田千鶴子*
• 三菱材料中研，*三菱材料矽
• 第54回應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）29a-ZD-10

16.利用升溫熱脫離分析儀對Si晶圓表面的有機物進行評價

• 岡田千鶴子，森田悅郎，井上文雄，龍田次郎*，新行內隆之*
• 三菱材料矽，*三菱材料中研
• 第54回應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）29a-ZD-11

17.接觸孔底部Si表面自然氧化膜的TDS觀測

• 中森雅治、寺岡有殿*、青砥奈美、青木秀充、西山巖男*、井川英治、吉川公麿
• 日本電氣（株）微電光電光研，*光電光電光研
• 第54回應用物理學會學術講演會預備稿集（1993秋季）17p-ZP-8

1992:論文・雜誌・書籍

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

• Norio Hirashita, Masayuki Kobayakawa, Akira Arimatsu, Fumitaka Yokoyama, and Tsuneo Ajioka
• Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.Mechanisms of Surface Reaction in Fluorocarbon Dry Etching of Silicon Dioxide - An Effect of Thermal Excitation

• N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100)

• Y.K.Sun, D.J.Bonser and Thomas Engel
• Department of Chemistry BG-10. University of Washington
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4.Preoxidation Si cleaning and its impact on metal oxide semiconductor characteristics

• S.R.Kasi and M.Liehr
• IBM Research Division, Thomas J.Watson Research Center
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5.矽玻璃中氣體的分析方法

• 森本幸裕
• 牛奧電機技術研究所
• 新陶瓷，9，65（1992）

6.TEOS/O3氧化膜中的水分引起的熱載體耐性劣化和使用ECR-SiO2膜的劣化抑制方法

• 下山展弘、高橋淳一、町田克之、村瀨克實、峰岸一茂*、土屋敏章
• NTT LSI實驗室，*NTT電子技術
• 信學技報TECHNICAL REPORT OF IEICE.，SDM92-33，51（1992）

7.MOSFET可靠性劣化的等離子體CVD SiO膜的抑制

• 下川公明、宇佐美隆志、時藤俊一、平下紀夫、吉丸正樹
• 沖電工業VLSI研究開發中心
• 信學技報TECHNICAL REPORT OF IEICE.，SDM92-133，89（1992）

8.表面吸附分子分析技術-升溫熱脫附光譜法在ULSI中的應用-

• 巖崎裕
• 大阪大學工業科學研究所
• Larrise公司突破研討會材料No2，為ULSI制造建立分析評估技術-先進分析評估技術應用于生產線（1992.11）