2000～2004 - ESCO | 電子科學股份有限公司

2004:論文・雜誌・書籍

1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

• Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
• *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004:學會要旨

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
• Association of Super-Advanced Electronic Technologies
• Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

• Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
• Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

• Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
• 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
• Thin Solid Films,467,43(2004)

4.升溫脫離分析法中H2O的模式系數的決定法

• 常盤聰子*1，西出利一*2，橋詰昭夫*3，宮林延良*3
• *1 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
• *1 日本大學工學部次世代工學技術研究中心，*2日本大學工學部物質化學工學學科，*3電子科學（株）
• J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

 

2003:論文・雜誌・書籍

1.Different Adsorption States between Thiophene and α-Bithiophene Thin Films Prepared by Self-Assembly Method

• Eisuke ITO, Jaegeun NOH and Masahiko HARA
• Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research Systems, RIKEN
• Jpn.J.Appl.Phys.,42,852(2003)

2.Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition

• Kousaku Shimizu,JianJun Zhang,Jeong-Woo Lee and Jun-ichi Hanna
• Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta Midoriku Yokohama 226-8503 Japan
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol.762,pp.253-258(2003)

3.Quantitative Evaluation of the Photoinduced Hydrophilic Conversion Properties of TiO₂ Thin Film Surfaces by the Reciprocal of Contact Angle

• Nobuyuki Sakai, Akira Fujishima, Toshiya Watanabe, and Kazuhito Hashimoto
• *1)Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo
• *2)Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
• J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003:學會要旨

 

1.Water sorbability of Low-k dielectrics measured by Thermal Desorption Spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
• Asociation of Super-Advanced Electronic Technologies (ASET)
• Euorpian Cenference on Surface Science (ECOSS22), Abstract ID:17017(2003)

2.Surface fluorination of MgO protective film to reduce chemical reactivity with H2O and CO2

• Hideaki Sakurai, Ginjiro Toyoguchi, Yoshirou Kuromitsu
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Society for Information Display (SID) 03 DIGEST, 23.3(2003)

3.電子注入層對有機EL/Si發行層的影響

• 三富豐、高橋秀明、巖崎好孝、蓮見真彥、上野智雄、黑巖纮一、宮林延良*
• 東京農工大工，*電子科學（株）
• 第64屆應用物理學會學術講座（2003秋季）：31p-YL-11

4.使用H2O灰化降低對CVD-SiOC膜的灰化損傷

• 山中通成、湯淺寬、大冢俊宏、坂森重則*
• 松下電器產業株式會社導體公司工藝開發中心，*（株）瑞薩技術生產技術本部晶圓工藝技術統括部
• 第64屆應用物理學會學術講座（2003秋季）31a-ZK-8，p.669

5.通過氮氣等離子體處理防止層間絕緣膜的吸附水

• 大冢俊宏、久都內智慧、今西貞之
• 松下電器產業株式會社半導體社工藝開發中心
• 第64屆應用物理學會學術講座（2003秋季）2p-YC-1，p.706

6.Material Properties and Process Compatibility of Spin-on Nano-foamed Polybenzoxazole for Copper Damascene Process

• Takashi Enoki, Kenzo Maejima, Hidenori Saito, Akifumi Katsumura
• Fundamental Research Laboratory, Research Department, Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
• Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.740, 2003 Materials Research Society, I12.9.1

2002:論文・雜誌・書籍

1.Force Driving Cu Diffusion into Interlayer Dielectrics

• Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
• Association of Super-Advanced Electronics Technolugies
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,537(2002)

2.Formation of Ammonium Salts and Their Effects on Controlling Pattern Geometry in the Reactive Ion Etching Process for Fabricating Aluminium Wiring and Polysilicon Gate

• Shuichi Saito*1*2, Kazuyuki Sugita*1, Jyunichi Tonotani*2 and Masashi Yamage*2
• *1 Graduate School of Science and Technology, Chiba University, *2 Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide thin films fabricated by various deposition processes

• S.Seki*1, T.Aoyama*1, Y.Sawada*1, M.Ogawa*1, M.Sano*2, N.Miyabayashi*2, H.Yoshida*3, Y.Hoshi*1, M.Ide*4 and A.Shida*4
• *1 Graduate School of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics, *2 ESCO Ltd., *3 Geomatec Co., Ltd., *4 Yokohama City Center for Industrial Technology and Design
• J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4.通過升溫脫離法對透明導電膜的評價

• 澤田豐、關成之、青山剛志、佐野真紀子*、宮林延良*
• 東京工藝大學，*電子科學
• 透明導電膜的新發展，第15章，175（Ciemsey出版）

5.氘的超薄柵氧化膜的高信賴化實證和信賴性提高機構的闡明

• 三谷祐一郎、佐竹秀喜
• （株）東芝研究開發中心
• 東芝評論，57（11），34（2002）

6.藍色發光BaAl2S4：Eu薄膜的熱處理過程評價

• 永野真一、川西光弘、三浦登、松本皓永、中野鐐太郎
• 明治大學理工學部電子通信工學科
• 信學技報TECHNICAL REPORT OF IEICE.，EID2001-90，49（2002）

7.使用氫氣的鈦氧化膜的升溫脫離定量動態評價

• 山內康弘，水野善之**，田中彰博*，本間禎一
• 千葉工業大學，*Albak Fay，**斯坦福大學斯坦福直線加速器中心
• 真空，45（3），265（2002）

8.等離子體顯示面板用MgO的脫氣特性

• 植田康弘、黑川博志
• 三菱電機（株式會社）先進技術研究所
• 真空，45（2），97（2002）

9.表面科學——化學反應的物理——

• 村田好正
• 東京大學名譽教授
• 巖波講座物理的世界（巖波書店）

2002:學會要旨

1.使用升溫脫離法燒制二氧化鈦凝膠膜的工藝分析

• 矢部貴行，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日大工，*電子科學
• 2002年日本陶瓷協會年會講演予稿集（2002年3月）2I21

^2.18O 溶膠凝膠法燒制二氧化鈦凝膠膜工藝

• 西出利一，矢部貴行，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日大工，*電子科學
• 2002年日本陶瓷協會年會講演予稿集（2002年3月）2I22

3.析出相對銅合金中氫的擴散行為的影響

• 富田英昭，倉本繁*，菅野干宏**
• 東大院，*豐田中研，**東木匠
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2002）； （1384）

4.利用升溫脫離氣體分析的薄膜氣體傳感器的研究

• 高橋修、原和裕
• 東京電機大學
• 第63屆應用物理學會學術講演會預備稿集（2002秋季）24p-K-2

5.使用TDS對Alq3分子蒸鍍過程的評價~Alq3純化的效果~

• 平井敦、三富豐、巖崎好孝、蓮見真彥、上野智雄、黑巖纮一、*佐野真紀子、*宮林延良
• 東京農工大學，*電子科學
• 第63回應用物理學會學術講演會預備稿集（2002秋季）26p-ZH-1

6.藍色發光BaAl₂S₄：Eu EL元件的水定量分析

• 永野真一、三浦登、松本皓永、中野鐐太郎
• 明治大學理工學部
• 第63回應用物理學會學術講演會預備稿集（2002秋季）26p-ZD-14

2001:論文・雜誌・書籍

1.Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology

• Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
• ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,40,2679(2001)

2.Recovery of useful hydrocarbons from oil palm waste using ZrO2 supporting FeOOH catalyst

• T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
• Graduate School of Engineering, Kyoto University, Institute for Chemical Research, Kyoto University*, NGK Insulators LTD.**
• Chemical Engineering Science,56,897(2001)

3.Mechanism for low temperature activation of Mg-doped GaN with Ni catalysts

• (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)H.Miki, and M.Okuyama
• (1)Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, (2)Chichibu Research Laboratory, Central Reserch Laboratory, Showa Denko KK
• J.Appl.Phys.,90(12),6500(2001)

4.Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis

• N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama. M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, and N.Yabumoto
• Working Group of Equipment, Ultraclean Standardization Committee, Ultraclean Society
• J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001:學會要旨

1.采用升溫脫離分析的材料評價

• 宮林延良
• 電子科學
• 平成13年度日本產學公交流研究發表會（2001.10.19）

2.表面分析和TDS

• 佐野真紀子
• 電子科學
• 第4回實用表面分析研究會（2001.11.9）

3.使用溶膠凝膠法的二氧化鈦凝膠膜的升溫脫離法的燒制工藝的解析

• 矢部貴行，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大學工學部，*電子科學
• 日本陶瓷協會第14回秋季研討會講演預備稿集2B04

4.具有氣體選擇吸附特性的無機·有機混合的制作和評價

• 山田紀子、久保祐治、片山真吾
• 新日本制鐵株式會社尖端技術研究所
• 日本陶瓷協會第14回秋季研討會講演予稿集3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

• Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
• Department of Mechanical Engineering, Sophia University
• 日本材料學會50周年國際研討會（2001.05）

6.Al2O3，ZrO2的環境脆化和水，氫的存在狀態分析

• 野口和彥、高井健一、久森紀之、野末章
• 上智大學理工學部
• 第129回日本金屬學會秋期講演大會，No.100。

7.石英玻璃纖維的環境脆化和水、氫的存在狀態分析

• 山田大策、高井健一、野末章
• 上智大學理工學部
• 第129回日本金屬學會秋期講演大會，No.99。

8.溶膠凝膠法對哈夫尼亞薄膜的升溫脫離法燒制過程的研究

• 阿達金哉，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日大工，*電子科學
• 2001年日本陶瓷協會年會講演予稿集（2001年3月）2K26

9.通過含有9.18 O的溶膠凝膠法燒制哈夫尼亞薄膜的過程

• 西出利一、阿達金哉、宮林延良、佐野真紀子
• 日本大學工學部，*電子科學
• 2001年日本陶瓷協會年會講演予稿集（2001年3月）2K27

10.通過升溫脫離法探討ITO透明導電膜

• 關成之、澤田豐、宮林延良、佐野真紀子、井出美江子
• 東京工藝大學，*電子科學，**橫濱市工技支援社
• 2001年日本陶瓷協會年會講演予稿集（2001年3月）2K28

11.氮化矽粉末的氧行為(II)

• 別府義久、安藤元英、大司達樹*
• 協同研，*名工研
• 2001年日本陶瓷協會年會講演予稿集（2001年3月）2A34

12.利用升溫脫離法分析Al2O3和ZrO2中的水、氫的存在狀態

• 野口和彥、太田雅人、高井健一、久森紀之、野末章
• 上智大學理工
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （1002）

13.H2O、H2對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 山田大策、野田武、高井健一、野末章
• 上智大學理工
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （1071）

14.Ni-Ti合金的氫擴散速度和生物脆化

• 淺岡憲三、橫山賢一
• 德島大牙
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （126）

15.Fe含量對fcc Pd-Fe合金中氫排放光譜的影響

• 山下博史，*原田修治
• 新瀉大學研究生，*新瀉大學工學部
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （194）

16.BCC型Ti-Al-Zr合金的氫致非晶化

• 宮島啟將，*石川和宏，*青木清
• 北見工大，*北見工大
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （211）

17.納米結構石墨-氫體系的脫氫過程

• 松島智善、折茂慎一、藤井博信
• 廣島大學綜合科
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （212）

18.Ti3Al基合金的儲氫特性（化學計量比偏差的效果）

• 小島佑介、渡邊宗能、*田中一英
• 名工大（院），*名工大·工
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （214）

19.二元Ti-Al合金的儲氫·放出特性

• 橋邦彥，*石川和宏，**鈴木清策，*青木清
• 北見工大院、*北見工大工、**NSW大；
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （215）

20.LaNi5的轉移導入和氚陷阱

• 山本篤史郎，*乾晴行，*山口正治
• 京大工･院，*京大工
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （218）

21.晶格缺陷對LaNi5中殘余氫的影響

• 榊浩司、竹下博之、栗山信宏、村上幸男、水林博、荒木秀樹、白井泰治
• 阪大·院，*大工研，**筑波大，***阪大·工
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （219）

22.機械合金制備的Ti-Zr-Ni準晶和非晶粉末吸氫釋放特性的比較

• 高崎明人，*韓昶浩，**古谷吉男
• 芝浦工大·工，*芝浦工大（院），**長崎大學教育
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （222）

23.（Mg，Yb）Ni2合金吸氫器

• 大津秀貴，神田和幸，*石川和宏，*青木清
• 北見工大院，*北見工大工
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （230）

24.高容量納米復合Mg薄膜，可在低溫下吸放和流出

• 樋口浩一、梶岡秀、間島清和、本多正英、*山本研一、**折茂慎一、藤井博信
• 廣島縣西部工技社，*馬自達（株），**廣島大學綜合科
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （231）

25.通過吸氫處理的5083Al材料的晶粒微細化和機械性能

• 船見國男，*佐野龍圣
• 千葉工大工學部，*千葉工大研究生
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （256）

26.隨著陰極氫吸收SUS304不銹鋼硬度的增加

• 羽木秀樹
• 福井工業大學
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （264）

27.鐵素體鋼的氦、氘的吸藏特性

• 高尾康之，*巖切宏友，*吉田直亮
• 九大·大學院，*九大·應力研
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （64）

28.Mg2Ni/LaNi5復合材料的組織及氚吸·脫藏特性

• 奧村勇人、松井旭纮、山際真太郎、鐮土重晴、小島陽
• 長岡技科大（工）
• 日本金屬學會春季大會講演概要（2001）； （928）

29.ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO2 FILMS

• Akira Izumi, Hidekazu Sato and Hideki Matsumura
• JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol. 670,pp. K7.8.1-K7.8.6,2001

30.使用Ni催化劑的Mg摻雜GaN的低溫活性化機理

• 脅一太郎、藤岡洋、尾嶋正治、三木久幸、奧山峰夫　
• 東大工、*昭和電工　　
• 第62回應用物理學會學術講演會預備稿集（2001秋季）11p-Q-2

31.使用過渡金屬催化劑層的Mg摻雜GaN的低溫活性化

• 脅一太郎、藤岡洋、尾嶋正治、三木久幸、奧山峰夫　
• 東大工、*昭和電工　　
• 第62回應用物理學會學術講演會預備稿集（2001秋季）11p-Q-3

32.H+離子注入中Si的析像（ESR評價）

• 佐佐木志保，和泉富雄，*原徹
• 東海大學工，*法政大學工　
• 第62回應用物理學會學術講演會預備稿集（2001秋季）12a-V-7

33.從碳納米管中脫離的氣體的TDS分析

• 岡井誠、宗吉恭彥、矢口富雄、林伸明
• 日立顯示集團
• 第62回應用物理學會學術講演會予稿集（2001秋天）12a-ZT-4

34.Radical Shower-CVD中的膜質控制

• 熊谷晃，石橋啟次，張宏，田中雅彥，北野尚武，徐舸，橫川直明，池本學
• 阿內爾巴　
• 第62回應用物理學會學術講演會預備稿集（2001秋季）13a-C-7

35.外延生長SrRuO3薄膜特性的成膜依賴性

• 高橋健治，及川貴弘，*齋藤啟介，舟洼浩
• 東工大物創，*日本飛利浦　
• 第62回應用物理學會學術講演會予稿集（2001秋天）13a-ZR-8

36.藍色發光BaAl2S4Eu薄膜熱處理過程采用升溫解吸氣體光譜法分析

• 永野真一、三浦登、松本皓永、中野鐐太郎
• 明治大學　
• 第62回應用物理學會學術講演會預備稿集（2001秋季）14a-P14-12

37.使用流量調制操作CVD的TiN薄膜合成中氯脫離工藝的分析

• 霜垣幸浩、濱村浩孝
• 東大工　
• 第62回應用物理學會學術講演會預備稿集（2001秋季）14a-X-3

38.使用TDS的Alq3分子蒸鍍過程的評價及其應用

• *平井敦、巖崎好孝、逢見真彥、上野智雄、黑巖纮一、佐野真紀子、宮林延良
• *東京農工大工，**現，新能源產業省技術綜合開發機構（NEDO），***電子科學
• 第48回應用物理學關系聯合講演會講演予稿集（2001.3明治大學）； 29p-ZN-12

39.通過SiO2薄膜注入H+離子的Si的脫層（ESR評價）

• 佐佐木志保，和泉富雄，*原徹
• 東海大工，*法政大工
• 第48回應用物理學關系聯合講演會講演予稿集（2001.3明治大學）； 30a-P11-7

40.基于升溫脫離分析法的環境測量用傳感器的動作分析

• 橫山達也、原和裕
• 東京電機大學
• 第48回應用物理學關系聯合講演會講演予稿集（2001.3明治大學）； 30p-ZR-10

41.Mg摻雜GaN的低溫活化（1）-O3，N2O中的熱處理效果-

• 脅一太郎、藤岡洋、尾嶋正治、*三木久幸、*蕗澤朗
• 東大院·工，*昭和電工（株）秩父研究室
• 第48回應用物理學關系聯合講演會講演予稿集（2001.3明治大學）； 31p-K-2

42.真空升溫下的a-Ge:H膜氫鍵態和膜質評價（Ⅱ）

• 井關克登、小林信一、青木彪
• 東京工藝大學研究生院·合作最尖端技術研究中心
• 第48回應用物理學關系聯合講演會講演予稿集（2001.3明治大學）； 28a-ZL-8

43.使用氫氣的鈦氧化膜的升溫脫離動態評價

• 山內康弘、水野善之、*田中彰博、本間禎一
• 千葉工業大學，*Albac Phy（股票）
• 第48回應用物理學關系聯合講演會講演予稿集（2001.3明治大學）； 29p-ZF-6

44.石英玻璃的反沖氚氣體排放

• 那須昭一、文雅司、*谷藤隆昭、*實川資郎
• 金澤工業大學，*日本原子能研究所
• 第48回應用物理學關系聯合講演會講演予稿集（2001.3明治大學）； 29p-ZL-11

45.利用氫原子固相隧道反應研制半導體薄膜低溫反應器（II）

• 佐藤哲也、鈴木克憲、高橋幸則、菱木繁臣、岡崎重光、中川清和、平岡賢三、*佐藤升司、*宮田千治、**高松利行
• 山梨大工，*宮通信工業，**SST
• 第48回應用物理學關系聯合講演會講演予稿集（2001.3明治大學）； 30a-ZT-7

2000:論文・雜誌・書籍

1.Comparative Study of Hydride Organo Siloxane Polymer and Hydrogen Silsesquioxane

• Sung-Woong Chung, Sub-Young Kim, Joo-Han Shin, Jun Ki Kim and Jinwon Park
• Memory R&D Division, Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,39,5909(2000)

2. 基于升溫脫離分析法的分子性污染的評價和對裝置的影響

• 平下紀夫
• 沖電工業超大規模集成電路研究開發中心
• 瑞亞瑞公司，半導體清潔化技術系列基礎講座[UCT-10]

3. 恒溫變態溫度及拉絲加工對供析鋼儲氫特性的影響

• 高井健一、野末章
• 上智大學理工學部機械工程系
• 日本金屬學會志，64,669（2000）

4. 用于DRAM的Ta2O5電容形成技術

• 神山聰
• 日本電氣系統設備基礎研究本部
• 應用物理，69,106 7（2000）

5. 等離子顯示板用MgO膜的蒸鍍時氧分壓和氣體吸附特性

• 澤田隆夫，渡部勁二*，福山敬二，大平卓也，衣川勝，佐野耕**
• 三菱電機（株）先進技術研究所，*（株）Everlem，**三菱電機（株）顯示器設備管理事業部
• 真空，43（10），973（2000）

6. Characterization of Low-Dielectric-Constant Methylsiloxane Spin-on-Glass Films

• Noriko Yamada and Toru Takahashi
• Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. 1070-1073

2000:學會要旨

1. 結晶性不同的AlOOH的加熱相變

• 永島徹，龜島欣一，安盛敦雄，岡田清，*佐野真紀子
• 東工大院理工、*電子科學
• 日本陶瓷協會第13回秋期討論會要旨集，

2. 利用固體核磁共振分析氧化矽及其結構

• 荒又干夫、福岡宏文、藤岡一俊
• 信越化學群馬工廠
• 第61回分析化學討論會（2000.05.18長岡Lyric大廳）2H14

3. Hydrogen distributions near the SiO2-Si interface

• Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
• Analysis Technology Development Division, NEC Corporation, *Faculty of Engineering, Seiseki University
• The Proceeding of the Second International Symposium on SIMS and Related Techniques(2000.11)

4. 升溫解吸法燒制HfO2薄膜的過程研究

• 阿達金哉，西出利一，宮林延良*，佐野真紀子*
• 日大工、電子科學*
• 日本陶瓷協會東北北海道支部研究發表會第20回基礎科學部會東北北海道地區懇談會（2000秋季）1P19

5. 通過升溫脫離法分析HfO2膜

• 佐野真紀子、宮林延良、阿達金哉*、西出利一*、
• 電子科學、*日大工
• 第4回實用表面分析講座（2000.12.8）:P1-10

6. H2O、H2對石英玻璃纖維的環境脆化的影響

• 野田武、山田大策、高井健一、野末章
• 上智大學理工
• 日本金屬學會秋期大會講演概要（2000）p509

7. 水以及氫對石英玻璃纖維的環境脆化的影響

• 高井健一、野田武、野末章
• 上智大學理工
• (社)日本鋼鐵協會 材料的組織和特性部會 科學技術振興調整費綜合研究 第5次成果報告會研討會概要集 p7(2000秋)

8. H2O、H2對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 高井健一、野田武、河村真次、野末章
• 上智大學理工
• 第1回微材料討論會講演論文集p43（2000秋天）

9. 低介電常數多孔質膜的ICP氧等離子體照射引起的膜質變化

• 藤內篤、荒尾弘樹、江上美紀、中島昭、近藤英一*、淺野種正*
• 催化劑化成工業株式會社精細研究所，九州工業大學微型化綜合技術中心*
• 第61回應用物理學合學術講演會預備稿集（2000秋季）4a-P4-18

10. 升溫脫離分析法中矽基板溫度的校準方法1 UC標準規格

• 平下紀夫（沖電氣），豐田周邦（NTT-AT），奧村治樹（東京研究中心），島崎綾子（東芝），神保智子（日立），西冢勝（東芝微電子），西山巖男（NEC），松浦正純（三菱電機），松永利之（松下Techno Research），森田瑞穗（阪大）
• UCS半導體基礎技術研究會標準化委員會設備部會
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋季）4p-ZC-10

11. 升溫解吸分析法中矽襯底溫度的校準方法2 UC標準規格

• 平下紀夫（沖電氣），豐田周邦（NTT-AT），奧村治樹（東京研究中心），島崎綾子（東芝），神保智子（日立），西冢勝（東芝微電子），西山巖男（NEC），松浦正純（三菱電機），松永利之（松下Techno Research），森田瑞穗（阪大）
• UCS半導體基礎技術研究會標準化委員會設備部會
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋季）4p-ZC-11

12. 升溫脫離分析法中矽基板溫度的校準方法3 UC標準規格

• 平下紀夫（沖電氣），豐田周邦（NTT-AT），奧村治樹（東京研究中心），島崎綾子（東芝），神保智子（日立），西冢勝（東芝微電子），西山巖男（NEC），松浦正純（三菱電機），松永利之（松下Techno Research），森田瑞穗（阪大）
• UCS半導體基礎技術研究會標準化委員會設備部會
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋季）4p-ZC-12

13. 升溫脫離分析法中矽基板溫度的校準方法4 UC標準規格

• 平下紀夫（沖電氣），豐田周邦（NTT-AT），奧村治樹（東京研究中心），島崎綾子（東芝），神保智子（日立），西冢勝（東芝微電子），西山巖男（NEC），松浦正純（三菱電機），松永利之（松下Techno Research），森田瑞穗（阪大）
• UCS半導體基礎技術研究會標準化委員會設備部會
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋季）4p-ZC-13

14. 高選擇比氧化膜蝕刻中表面反應層的分析

• 小澤信夫、辰巳哲也、石川健治、栗原一彰、關根誠
• ASET等離子體磨床
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋季）6a-ZF-8

15. 通過薄SIO2膜注入高濃度H+離子的Si的退火特性

• 佐々木志保，宇治川浩章，周杜里·艾爾夏德·阿里，和泉富雄，原徹*
• 東海大工、法政大工*
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋天）6p-ZD-17

16. W聚合物膜的蝕刻特性

• 福永裕之、長友美樹、齋藤秀一
• （株）東芝生產技術中心
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋天）7a-W-8

17. 晶圓表面吸附有機物的吸脫附行為2

• 白水好美，高田俊和，駒田香織*
• 日本電氣（株），NEC軟件（株）*
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋季）3p-ZC-7

18. 用HMDSO等離子體CVD法形成低介電常數膜（1）-氧化劑用N2O-

• 山本陽一、豬鹿倉博志、石丸智美、小竹勇一郎、大河原昭司、鹽谷喜美*、大平浩一*、前田和夫*
• 佳能銷售（株），（株）半導體工藝研究所*
• 第61回應用物理學合學術講演會預備稿集（2000秋季）4a-P4-21

19. NH3/SiF4系列a-SiNx:F形成極低溫的柵極氮化膜(II)

• 大田裕之、堀勝、后藤俊夫
• 名古屋大學工
• 第61回應用物理學合學術講演會予稿集（2000秋天）5a-ZD-4

20. Si（100）2×1上的銫氧化物的TDS、UPS

• 石躍晶彥、藤井孝司、豐島誠也、浦野俊夫、本鄉昭三
• 神戶木匠
• 第61回應用物理學合學術講演會預備稿集（2000秋季）6a-S-1

21. 通過溶膠凝膠法對HfO2薄膜吸附氟化醇

• 阿達金哉，西出利一，渡部修*，高瀨接子*，宮林延良**
• 日本大學工學部，福島縣高科技廣場*，電子科學（株）**
• 第47回應用物理學相關聯合講演會預備稿集（2000春季）29a-ZG-3

22. 使用低介電常數絕緣膜的多機布線結構中電容的溫度依賴性

• 東和幸、松永范昭、中田鎮平、柴田英毅
• （株）東芝半導體公司微電子技術研究所
• 第47回應用物理學相關聯合講演會預備稿集（2000春季）29p-YA-11

23. 各種濕法處理對有機聚合物類低介電常數絕緣膜PAE的影響

• 北澤良幸、友久伸悟、西岡康隆、保田直紀、村中誠志*、后藤欣哉*、松浦正純*、豐田良彥、大森達夫
• 三菱電機（株式會社）先進技術綜合研究所，ULSI技術開發中心*
• 第47回應用物理學相關聯合講演會預備稿集（2000春季）29p-YA-16

24. 通過等離子體聚合法降低BCB膜的介電常數

• 多田宗弘、川原潤、林喜宏
• NEC矽系統實驗室
• 第47回應用物理學相關聯講演會預備稿集（2000春季）29p-YA-8

25. Investigation of Correlation between Structures and Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
• FRS RIKEN, Saitama Univ.*
• 第47回應用物理學相關聯講演會預備稿集（2000春季）29p-YA-8

26. 氟化烷基硫醇自組織單分子膜吸附·脫離課程的相關研究

• 鈴木章弘1，奧出由利子1，中村史夫2，原正彥12，玉田薰3，福島均4，T.R.Lee5
• 東京工大總理工1，理研2，物質研3，精工愛普生4，休斯頓大學5
• 第47回應用物理學相關聯講演會預備稿集（2000春季）29p-YA-8

27. Si晶片表面的水分及有機物吸附狀態的分析

• 森本敏弘、上村賢一
• 新日鐵先進技術研究所
• 第47回應用物理學相關聯講演會預備稿集（2000春季）28p-YH-7

28. 低介電常數SOG中官能團的等離子體反應性

• 近藤英一、弓井俊哉、淺野種正、荒尾弘樹*、中島昭*
• 九州工業大學微型化總技術中心，催化化成工業株式會社，精細研究所*
• 第47回應用物理學相關聯合講演會預備稿集（2000春季）29a-YA-10

29. 鈦的表面研磨產生的氣體排放特性

• 岡田隆弘、田中彰博、水野善之、本間禎一
• 千葉工業大學，Albac Phi（株）*，日本巴爾卡工業（株）**
• 第47回應用物理學相關聯合講演會預備稿集（2000春季）29a-ZG-1

30. Ta2O5/TiNx/Si（x>1）退火時TiN層釋放的過量氮

• N.Yasuda*,***,H.C.Lu*,E.Garfunnkel*,T.Gustafsson*,J.P.Chang**,G.Alers**
• Rutgers University*,Lucent Technologies**,On leave from Toshida Corporation***
• 第47回應用物理學相關聯合講演會預備稿集（2000春季）29a-ZG-3

31. 通過升溫脫離法對非晶矽膜中氫的定量

• 稻吉佐、齊藤一也、橋本征典*、淺利伸*
• 日本真空技術(株)筑波超材研、同千葉超材研*
• 第47回應用物理學相關聯合講演會預備稿集（2000春季）29p-ZH-1

32. 真空升溫下的a-Ge:H膜的氫鍵狀態和膜質評價

• 井關克登、小林信一、青木彪
• 東京工藝大學大學院聯合最先進技術研究中心
• 第47屆應用物理學相關聯講演會預備稿集（2000春季）29p-ZH-6

33. 輝光放電法制備的a-SiC:H的膜結構和表面觀察(II)

• 本橋光也、曾江久美、本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第47回應用物理學相關聯講演會預備稿集（2000春季）29p-ZH-9

34. 通過在氫端點Si（111）表面上選擇性脫氫來形成懸掛鍵合線串

• 井上浩介、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行
• 廣島大學工學部
• 第47回應用物理學相關聯講演會預備稿集（2000春季）30p-YH-11

35. 固體NMR在矽系化合物狀態分析中的應用

• 荒又干夫
• 信越化學群馬工廠
• 第26屆固體核磁共振與材料研究會（2000.05.08京都平安會館）

36. HfO2薄膜的升溫脫離法燒制工藝及表面狀態的研究

• 阿達金哉，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日大工，*電子科學
• 第36屆熱測定討論會講演要旨集,90(2000秋)

37. CeO2薄膜的升溫解吸法表面狀態的研究

• 西出利一、常磐聰子、宮林延良、佐野真紀子、**佐藤誓
• 日大工，*電子科學，**日產電弧
• 第36屆熱測定討論會講演要旨集,92(2000秋)

38. 金屬氧化物薄膜的TDS表面分析

• 西出利一
• 日本大學工學部
• 第8回TMS研究會預備稿集p4（2000.4.28）