1991：论文・杂志・书籍
1.Oxidation Process of Hydrogen Terminated Silicon Surface Studied by Thermal Desorption Spectroscopy
- Norikuni Yabumoto, Kazuyuki Saito, Mizuho Morita* and Tadahiro Ohmi*
- NTT LSI Laboratories, *Faculty of Engineering,Tohoku University
- Jpn.J.Appl.Phys.,30,L419(1991)
2.新型升温脱附气体分析装置的开发和在VLSI材料及工艺评价中的应用
- 平下纪夫、味冈恒夫、日永康*
- 冲电工业（株）超大规模集成电路开发中心，*电子科学（株）
- 真空，34,813（1991）
～1991:学会要旨
1.清洗硅表面的物理性质及其分析
- 薮本周邦、斋藤和之、森田瑞穗*、大见忠弘*
- NTT LSI研究所，*东北大学工学部
- 1991 电子信息通信学会春季全国大会要旨集，5-331，（1991）:SC-9-1
发布年份不详:论文杂志书籍
1.使用APIMS的升温脱附气体分析
- 沟上员章、中野和男、小池让治、小川哲也
- 日立东爱勒电子设备事业部
- 日立东丽TECHNICAL REPORT，11，10（？ ？ ？ ？）
2.升温热脱附气体分析法（TDS）的应用
- 东丽研究中心
- 东丽研究中心
- Technical Information
3.Improved Interconnect Yield Through Surface Control By Silylation (SCS) Method
- K.Yano, M.Yamanaka, Y.Terai, T.Sugiyama, M.Kubota, M.Endo and N.Nomura
- Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.
- Symposium 1993 on VLSI Technology
4.超薄镀锡向电场铜箔的扩散行为
- 山下胜，大熊秀雄*
- （株）日本Ites信赖性·材料技术部，日本IBM（株）野洲事业所液晶技术部
- 来源不详
5.使用硫化物堆积的各向异性蚀刻
- 门村新吾、辰巳哲也、长山哲治、佐藤淳一
- 索尼公司
- Semiconductor World 12:1993年01月
6.利用升温脱附分析仪对Si晶圆表面的有机物评价
- 冈田千鹤子、龙田次郎、新行内隆行
- 三菱材料株式会社中央研究所
- 来源不详
7.MODEL STUDIES OF DIELECTRIC THIN FILM GROWTH CVD DEPOSITION OF SiO2 FROM TEOS
- J.E.Crowell, H-C.Cho, F.M.Cascarano, L.L.Tedder and M.A.Logan*
- Department of Chemistry, University of California, San diego, *Lam Reserch Corporation, Advanced Research Center
- 来源不详
8.Evaluation of adsorbed molecules on silicon wafers
- Norikuni YABUMOTO
- NTT Interdisciplinary Research Laboratories
- 来源不详
9.使用了TDS的O2+H2O向下流动的腐蚀抑制机构的研究
- 小尻英博，松尾二郎*，渡边孝二，中村守孝
- 富士通，*富士通研究所
- 电子信息通信学会技术研究报告 SDM，硅材料器件94（11），39-46，1994-04-21
10.硅晶片表面吸附成分-升温热脱附法分析
- 薮本周邦
- NTT LSI研究所
- 来源不详
发布年份不详:学会要旨
1.着色羟基磷灰石的特性評価
- 石川刚
- 旭光学工业（株）新陶瓷事业部
- 磷灰石研究会
2.Recovery of Useful Hydrocarbons from Oil Palm Waste Using ZrO2 Supporting FeOOH Catalyst
- Takao MASUDA, Yumi KONDO, Masahiro MIWA, Shin R. MUKAI, Kenji HASHIMOTO and *Mikio TAKANO
- Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University and *Institute for Chemical Research, Kyoto University
- Book of Abstracts, 16th International Symposium on Chemical Reaction Engineering
3.SiO2孔中的蚀刻表面反应
- 平下纪夫、池上尚克
- 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
- 第44回半导体专业讲习会预备稿集，139