2000～2004 - ESCO | 电子科学股份有限公司

2004：论文・杂志・书籍

1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

• Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
• *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004:学会要旨

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
• Association of Super-Advanced Electronic Technologies
• Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

• Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
• Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

• Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
• 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
• Thin Solid Films,467,43(2004)

4.升温脱附分析法中H2O的模式系数的决定法

• 常盘聪子*1，西出利一*2，桥诘昭夫*3，宫林延良*3
• *1 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
• *1 日本大学工学部次世代工学技术研究中心，*2日本大学工学部物质化学工学学科，*3电子科学（株）
• J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

 

2003:论文・杂志・书籍

1.Different Adsorption States between Thiophene and α-Bithiophene Thin Films Prepared by Self-Assembly Method

• Eisuke ITO, Jaegeun NOH and Masahiko HARA
• Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research Systems, RIKEN
• Jpn.J.Appl.Phys.,42,852(2003)

2.Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition

• Kousaku Shimizu,JianJun Zhang,Jeong-Woo Lee and Jun-ichi Hanna
• Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta Midoriku Yokohama 226-8503 Japan
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol.762,pp.253-258(2003)

3.Quantitative Evaluation of the Photoinduced Hydrophilic Conversion Properties of TiO₂ Thin Film Surfaces by the Reciprocal of Contact Angle

• Nobuyuki Sakai, Akira Fujishima, Toshiya Watanabe, and Kazuhito Hashimoto
• *1)Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo
• *2)Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
• J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003:学会要旨

 

1.Water sorbability of Low-k dielectrics measured by Thermal Desorption Spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
• Asociation of Super-Advanced Electronic Technologies (ASET)
• Euorpian Cenference on Surface Science (ECOSS22), Abstract ID:17017(2003)

2.Surface fluorination of MgO protective film to reduce chemical reactivity with H2O and CO2

• Hideaki Sakurai, Ginjiro Toyoguchi, Yoshirou Kuromitsu
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Society for Information Display (SID) 03 DIGEST, 23.3(2003)

3.电子注入层对有机EL/Si发行层的影响

• 三富丰、高桥秀明、岩崎好孝、莲见真彦、上野智雄、黑岩纮一、宫林延良*
• 东京农工大工，*电子科学（株）
• 第64届应用物理学会学术讲座（2003秋季）：31p-YL-11

4.使用H2O灰化降低对CVD-SiOC膜的灰化损伤

• 山中通成、汤浅宽、大冢俊宏、坂森重则*
• 松下电器产业株式会社导体公司工艺开发中心，*（株）瑞萨技术生产技术本部晶圆工艺技术统括部
• 第64届应用物理学会学术讲座（2003秋季）31a-ZK-8，p.669

5.通过氮气等离子体处理防止层间绝缘膜的吸附水

• 大冢俊宏、久都内智慧、今西贞之
• 松下电器产业株式会社半导体社工艺开发中心
• 第64届应用物理学会学术讲座（2003秋季）2p-YC-1，p.706

6.Material Properties and Process Compatibility of Spin-on Nano-foamed Polybenzoxazole for Copper Damascene Process

• Takashi Enoki, Kenzo Maejima, Hidenori Saito, Akifumi Katsumura
• Fundamental Research Laboratory, Research Department, Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
• Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.740, 2003 Materials Research Society, I12.9.1

2002:论文・杂志・书籍

1.Force Driving Cu Diffusion into Interlayer Dielectrics

• Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
• Association of Super-Advanced Electronics Technolugies
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,537(2002)

2.Formation of Ammonium Salts and Their Effects on Controlling Pattern Geometry in the Reactive Ion Etching Process for Fabricating Aluminium Wiring and Polysilicon Gate

• Shuichi Saito*1*2, Kazuyuki Sugita*1, Jyunichi Tonotani*2 and Masashi Yamage*2
• *1 Graduate School of Science and Technology, Chiba University, *2 Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide thin films fabricated by various deposition processes

• S.Seki*1, T.Aoyama*1, Y.Sawada*1, M.Ogawa*1, M.Sano*2, N.Miyabayashi*2, H.Yoshida*3, Y.Hoshi*1, M.Ide*4 and A.Shida*4
• *1 Graduate School of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics, *2 ESCO Ltd., *3 Geomatec Co., Ltd., *4 Yokohama City Center for Industrial Technology and Design
• J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4. 通过升温脱附法对透明导电膜的评估

• 泽田丰、关成之、青山刚志、佐野真纪子*、宫林延良*
• 东京工艺大学，*电子科学
• 透明导电膜的新发展，第15章，175（Ciemsey出版）

5. 氘的超薄栅氧化膜的高信赖化实证和信赖性提高原理的阐明

• 三谷祐一郎、佐竹秀喜
• （株）东芝研究开发中心
• 东芝评论，57（11），34（2002）

6. 蓝色发光BaAl2S4：Eu薄膜的热处理过程评价

• 永野真一、川西光弘、三浦登、松本皓永、中野镣太郎
• 明治大学理工学部电子通信工学科
• 信学技报TECHNICAL REPORT OF IEICE.，EID2001-90，49（2002）

7. 使用氢气的钛氧化膜的升温脱附定量动态评价

• 山内康弘，水野善之**，田中彰博*，本间祯一
• 千叶工业大学，*Albak Fay，**斯坦福大学斯坦福直线加速器中心
• 真空，45（3），265（2002）

8. 等离子体显示面板用MgO的脱气特性

• 植田康弘、黑川博志
• 三菱电机（株式会社）先进技术研究所
• 真空，45（2），97（2002）

9. 表面科学——化学反应的物理——

• 村田好正
• 东京大学名誉教授
• 岩波讲座物理的世界（岩波书店）

2002：学会要旨

1.使用升温脱附法烧制二氧化钛凝胶膜的工艺分析

• 矢部贵行，西出利一，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日大工，*电子科学
• 2002年日本陶瓷协会年会讲演予稿集（2002年3月）2I21

^2.18O 溶胶凝胶法烧制二氧化钛凝胶膜工艺

• 西出利一，矢部贵行，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日大工，*电子科学
• 2002年日本陶瓷协会年会讲演予稿集（2002年3月）2I22

3. 析出相对铜合金中氢的扩散行为的影响

• 富田英昭，仓本繁*，菅野干宏**
• 东大院，*丰田中研，**东木匠
• 日本金属学会春季大会讲演概要（

  2002）； （1384）

4. 利用升温脱附气体分析的薄膜气体传感器的研究

• 高桥修、原和裕
• 东京电机大学
• 第63届应用物理学会学术讲演会预备稿集（2002秋季）24p-K-2

5. 使用TDS对Alq3分子蒸镀过程的评价~Alq3纯化的效果~

• 平井敦、三富丰、岩崎好孝、莲见真彦、上野智雄、黑岩纮一、*佐野真纪子、*宫林延良
• 东京农工大学，*电子科学
• 第63回应用物理学会学术讲演会预备稿集（2002秋季）26p-ZH-1

6.蓝色发光BaAl₂S₄：Eu EL元件的水定量分析

• 永野真一、三浦登、松本皓永、中野镣太郎
• 明治大学理工学部
• 第63回应用物理学会学术讲演会预备稿集（2002秋季）26p-ZD-14

2001:论文・杂志・书籍

1.Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology

• Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
• ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,40,2679(2001)

2.Recovery of useful hydrocarbons from oil palm waste using ZrO2 supporting FeOOH catalyst

• T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
• Graduate School of Engineering, Kyoto University, Institute for Chemical Research, Kyoto University*, NGK Insulators LTD.**
• Chemical Engineering Science,56,897(2001)

3.Mechanism for low temperature activation of Mg-doped GaN with Ni catalysts

• (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)H.Miki, and M.Okuyama
• (1)Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, (2)Chichibu Research Laboratory, Central Reserch Laboratory, Showa Denko KK
• J.Appl.Phys.,90(12),6500(2001)

4.Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis

• N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama. M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, and N.Yabumoto
• Working Group of Equipment, Ultraclean Standardization Committee, Ultraclean Society
• J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001:学会要旨

1. 采用升温脱附分析的材料评价

• 宫林延良
• 电子科学
• 平成13年度日本产学公交流研究发表会（2001.10.19）

2. 表面分析和TDS

• 佐野真纪子
• 电子科学
• 第4回实用表面分析研究会（2001.11.9）

3. 使用溶胶凝胶法的二氧化钛凝胶膜的升温脱附法的烧制工艺的解析

• 矢部贵行，西出利一，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日本大学工学部，*电子科学
• 日本陶瓷协会第14回秋季研讨会讲演预备稿集2B04

4. 具有气体选择吸附特性的无机·有机混合的制作和评价

• 山田纪子、久保祐治、片山真吾
• 新日本制铁株式会社尖端技术研究所
• 日本陶瓷协会第14回秋季研讨会讲演予稿集3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

• Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
• Department of Mechanical Engineering, Sophia University
• 日本材料学会50周年国际研讨会（2001.05）

6. Al2O3，ZrO2的环境脆化和水，氢的存在状态分析

• 野口和彦、高井健一、久森纪之、野末章
• 上智大学理工学部
• 第129回日本金属学会秋期讲演大会，No.100。

7. 石英玻璃纤维的环境脆化和水、氢的存在状态分析

• 山田大策、高井健一、野末章
• 上智大学理工学部
• 第129回日本金属学会秋期讲演大会，No.99。

8. 溶胶凝胶法对哈夫尼亚薄膜的升温脱附法烧制过程的研究

• 阿达金哉，西出利一，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日大工，*电子科学
• 2001年日本陶瓷协会年会讲演予稿集（2001年3月）2K26通过含有

9.18 O的溶胶凝胶法烧制哈夫尼亚薄膜的过程

• 西出利一、阿达金哉、宫林延良、佐野真纪子
• 日本大学工学部，*电子科学
• 2001年日本陶瓷协会年会讲演予稿集（2001年3月）2K27

10. 通过升温脱附法探讨ITO透明导电膜

• 关成之、泽田丰、宫林延良、佐野真纪子、井出美江子
• 东京工艺大学，*电子科学，**横滨市工技支援社
• 2001年日本陶瓷协会年会讲演予稿集（2001年3月）2K28

11. 氮化硅粉末的氧行为(II)

• 别府义久、安藤元英、大司达树*
• 协同研，*名工研
• 2001年日本陶瓷协会年会讲演予稿集（2001年3月）2A34

12. 利用升温脱附法分析Al2O3和ZrO2中的水、氢的存在状态

• 野口和彦、太田雅人、高井健一、久森纪之、野末章
• 上智大学理工
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （1002）

13. H2O、H2对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 山田大策、野田武、高井健一、野末章
• 上智大学理工
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （1071）

14.Ni-Ti合金の水素拡散速度と生体内脆化

• 浅岡憲三，横山賢一
• 徳島大･歯
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(126)

15. Fe含量对fcc Pd-Fe合金中氢排放光谱的影响

• 山下博史，*原田修治
• 新泻大学研究生，*新泻大学工学部
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （194）

16. BCC型Ti-Al-Zr合金的氢致非晶化

• 宫岛启将，*石川和宏，*青木清
• 北见工大，*北见工大
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （211）

17. 纳米结构石墨-氢体系的脱氢过程

• 松岛智善、折茂慎一、藤井博信
• 广岛大学综合科
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （212）

18. Ti3Al基合金的储氢特性（化学计量比偏差的效果）

• 小岛佑介、渡边宗能、*田中一英
• 名工大（院），*名工大·工
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （214）

19. 二元Ti-Al合金的储氢·放出特性

• 桥邦彦，*石川和宏，**铃木清策，*青木清
• 北见工大院、*北碚工大工、**NSW大；
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （215）

20. LaNi5的转移导入和氚陷阱

• 山本笃史郎，*乾晴行，*山口正治
• 京大･院，*京大･工
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （218）

21. 晶格缺陷对LaNi5中残余氢的影响

• 榊浩司、竹下博之、栗山信宏、村上幸男、水林博、荒木秀树、白井泰治
• 阪大·院，*大工研，**筑波大，***阪大·工
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （219）

22. 机械合金制备的Ti-Zr-Ni准晶和非晶粉末吸氢释放特性的比较

• 高崎明人，*韩昶浩，**古谷吉男
• 芝浦工大·工，*芝浦工大（院），**长崎大学教育
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （222）

23. （Mg，Yb）Ni2合金吸氢器

• 大津秀贵，神田和幸，*石川和宏，*青木清
• 北见工大院，*北见工大工
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （230）

24. 高容量纳米复合Mg薄膜，可在低温下吸放和流出

• 樋口浩一、梶冈秀、间岛清和、本多正英、*山本研一、**折茂慎一、藤井博信
• 广岛县西部工技社，*马自达（株），**广岛大学综合科
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （231）

25. 通过吸氢处理的5083Al材料的晶粒微细化和机械性能

• 船见国男，*佐野龙圣
• 千叶工大工学部，*千叶工大研究生
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （256）

26.随着阴极氢吸收SUS304不锈钢硬度的增加

• 羽木秀树
• 福井工业大学
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （264）

27.铁素体钢的氦、氘的吸藏特性

• 高尾康之，*岩切宏友，*吉田直亮
• 九大·大学院，*九大·应力研
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （64）

28.Mg2Ni/LaNi5复合材料的组织及氚吸·脱藏特性

• 奥村勇人、松井旭纮、山际真太郎、镰土重晴、小岛阳
• 长冈技科大（工）
• 日本金属学会春季大会讲演概要（2001）； （928）

29.ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO2 FILMS

• Akira Izumi, Hidekazu Sato and Hideki Matsumura
• JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol. 670,pp. K7.8.1-K7.8.6,2001

30.使用Ni催化剂的Mg掺杂GaN的低温活性化机理

• 胁一太郎、藤冈洋、尾嶋正治、三木久幸、奥山峰夫　
• 东大工、*昭和电工　　
• 第62回应用物理学会学术讲演会预备稿集（2001秋季）11p-Q-2

31.使用过渡金属催化剂层的Mg掺杂GaN的低温活性化

• 胁一太郎、藤冈洋、尾嶋正治、三木久幸、奥山峰夫　
• 东大工、*昭和电工　　
• 第62回应用物理学会学术讲演会预备稿集（2001秋季）11p-Q-3

32.H＋离子注入中Si的析像（ESR评价）

• 佐佐木志保，和泉富雄，*原彻
• 东海大学工，*法政大学工　
• 第62回应用物理学会学术讲演会预备稿集（2001秋季）12a-V-7

33.从碳纳米管中脱附的气体的TDS分析

• 冈井诚、宗吉恭彦、矢口富雄、林伸明
• 日立显示集团
• 第62回应用物理学会学术讲演会予稿集（2001秋天）12a-ZT-4

34.Radical Shower-CVD中的膜质控制

• 熊谷晃，石桥启次，张宏，田中雅彦，北野尚武，徐舸，横川直明，池本学
• 阿内尔巴　
• 第62回应用物理学会学术讲演会预备稿集（2001秋季）13a-C-7

35.外延生长SrRuO3薄膜特性的成膜依赖性

• 高桥健治，及川贵弘，*斋藤启介，舟洼浩
• 东工大物创，*日本飞利浦　
• 第62回应用物理学会学术讲演会予稿集（2001秋天）13a-ZR-8

36.蓝色发光BaAl2S4Eu薄膜热处理过程采用升温热脱附气体光谱法分析

• 永野真一、三浦登、松本皓永、中野镣太郎
• 明治大学　
• 第62回应用物理学会学术讲演会预备稿集（2001秋季）14a-P14-12

37.使用流量调制操作CVD的TiN薄膜合成中氯脱附工艺的分析

• 霜垣幸浩、滨村浩孝
• 东大工　
• 第62回应用物理学会学术讲演会预备稿集（2001秋季）14a-X-3

38.基于升温脱附分析法的环境测量用传感器的动作分析

• *平井敦、岩崎好孝、逢见真彦、上野智雄、黑岩纮一、佐野真纪子、宫林延良
• *东京农工大工，**现，新能源产业省技术综合开发机构（NEDO），***电子科学
• 第48回应用物理学关系联合讲演会讲演予稿集（2001.3明治大学）； 29p-ZN-12

39. 通过SiO2薄膜注入H+离子的Si的脱层（ESR评价）

• 佐佐木志保，和泉富雄，*原彻
• 东海大工，*法政大工
• 第48回应用物理学关系联合讲演会讲演予稿集（2001.3明治大学）； 30a-P11-7

40. 基于升温脱附分析法的环境测量用传感器的动作分析

• 横山达也、原和裕
• 东京电机大学
• 第48回应用物理学关系联合讲演会讲演予稿集（2001.3明治大学）； 30p-ZR-10

41. Mg掺杂GaN的低温活化（1）-O3，N2O中的热处理效果-

• 胁一太郎、藤冈洋、尾嶋正治、*三木久幸、*蕗泽朗
• 东大院·工，*昭和电工（株）秩父研究室
• 第48回应用物理学关系联合讲演会讲演予稿集（2001.3明治大学）； 31p-K-2

42. 真空升温下的a-Ge:H膜氢键态和膜质评价（Ⅱ）

• 井关克登、小林信一、青木彪
• 东京工艺大学研究生院·合作最尖端技术研究中心
• 第48回应用物理学关系联合讲演会讲演予稿集（2001.3明治大学）； 28a-ZL-8

43. 使用氢气的钛氧化膜的升温脱附动态评价

• 山内康弘、水野善之、*田中彰博、本间祯一
• 千叶工业大学，*Albac Phy（股票）
• 第48回应用物理学关系联合讲演会讲演予稿集（2001.3明治大学）； 29p-ZF-6

44. 石英玻璃的反冲氚气体排放

• 那须昭一、文雅司、*谷藤隆昭、*实川资郎
• 金泽工业大学，*日本原子能研究所
• 第48回应用物理学关系联合讲演会讲演予稿集（2001.3明治大学）； 29p-ZL-11

45. 利用氢原子固相隧道反应研制半导体薄膜低温反应器（II）

• 佐藤哲也、铃木克宪、高桥幸则、菱木繁臣、冈崎重光、中川清和、平冈贤三、*佐藤升司、*宫田千治、**高松利行
• 山梨大工，*宫通信工业，**SST
• 第48回应用物理学关系联合讲演会讲演予稿集（2001.3明治大学）； 30a-ZT-7

2000:论文・杂志・书籍

1.Comparative Study of Hydride Organo Siloxane Polymer and Hydrogen Silsesquioxane

• Sung-Woong Chung, Sub-Young Kim, Joo-Han Shin, Jun Ki Kim and Jinwon Park
• Memory R&D Division, Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,39,5909(2000)

2. 基于升温脱附分析法的分子性污染的评价和对装置的影响

• 平下纪夫
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 瑞亚瑞公司，半导体清洁化技术系列基础讲座[UCT-10]

3. 恒温变态温度及拉丝加工对供析钢储氢特性的影响

• 高井健一、野末章
• 上智大学理工学部机械工程系
• 日本金属学会志，64,669（2000）

4. 用于DRAM的Ta2O5电容形成技术

• 神山聪
• 日本电气系统设备基础研究本部
• 应用物理，69,106 7（2000）

5. 等离子显示板用MgO膜的蒸镀时氧分压和气体吸附特性

• 泽田隆夫，渡部劲二*，福山敬二，大平卓也，衣川胜，佐野耕**
• 三菱电机（株）先进技术研究所，*（株）Everlem，**三菱电机（株）显示器设备管理事业部
• 真空，43（10），973（2000）

6.Characterization of Low-Dielectric-Constant Methylsiloxane Spin-on-Glass Films

• Noriko Yamada and Toru Takahashi
• Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. 1070-1073

2000:学会要旨

1. 结晶性不同的AlOOH的加热相变

• 永岛彻，龟岛欣一，安盛敦雄，冈田清，*佐野真纪子
• 东工大院理工、*电子科学（株）
• 日本陶瓷协会第13回秋期讨论会要旨集，

2. 利用固体核磁共振分析氧化硅及其结构

• 荒又干夫、福冈宏文、藤冈一俊
• 信越化学群马工厂
• 第61回分析化学讨论会（2000.05.18长冈Lyric大厅）2H14

3.Hydrogen distributions near the SiO2-Si interface

• Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
• Analysis Technology Development Division, NEC Corporation, *Faculty of Engineering, Seiseki University
• The Proceeding of the Second International Symposium on SIMS and Related Techniques(2000.11)

4. 升温热脱附法烧制HfO2薄膜的过程研究

• 阿达金哉，西出利一，宫林延良*，佐野真纪子*
• 日大工、电子科学*
• 日本陶瓷协会东北北海道支部研究发表会第20回基础科学部会东北北海道地区恳谈会（2000秋季）1P19

5. 通过升温脱附法分析HfO2膜

• 佐野真纪子、宫林延良、阿达金哉*、西出利一*、
• 电子科学、*日大工
• 第4回实用表面分析讲座（2000.12.8）:P1-10

6. H2O、H2对石英玻璃纤维的环境脆化的影响

• 野田武、山田大策、高井健一、野末章
• 上智大学理工
• 日本金属学会秋期大会讲演概要（2000）p509

7. 水以及氢对石英玻璃纤维的环境脆化的影响

• 高井健一、野田武、野末章
• 上智大学理工
• (社)日本钢铁协会 材料的组织和特性部会 科学技术振兴调整费综合研究 第5次成果报告会研讨会概要集 p7(2000秋)

8. H2O、H2对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 高井健一、野田武、河村真次、野末章
• 上智大学理工
• 第1回微材料讨论会讲演论文集p43（2000秋天）

9. 低介电常数多孔质膜的ICP氧等离子体照射引起的膜质变化

• 藤内笃、荒尾弘树、江上美纪、中岛昭、近藤英一*、浅野种正*
• 催化剂化成工业株式会社精细研究所，九州工业大学微型化综合技术中心*
• 第61回应用物理学合学术讲演会预备稿集（2000秋季）4a-P4-18

10. 升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法1 UC标准规格

• 平下纪夫（冲电气），丰田周邦（NTT-AT），奥村治树（东京研究中心），岛崎绫子（东芝），神保智子（日立），西冢胜（东芝微电子），西山岩男（NEC），松浦正纯（三菱电机），松永利之（松下Techno Research），森田瑞穗（阪大）
• UCS半导体基础技术研究会标准化委员会设备部会
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋季）4p-ZC-10

11. 升温热脱附分析法中硅衬底温度的校准方法2 UC标准规格

• 平下纪夫（冲电气），丰田周邦（NTT-AT），奥村治树（东京研究中心），岛崎绫子（东芝），神保智子（日立），西冢胜（东芝微电子），西山岩男（NEC），松浦正纯（三菱电机），松永利之（松下Techno Research），森田瑞穗（阪大）
• UCS半导体基础技术研究会标准化委员会设备部会
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋季）4p-ZC-11

12. 升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法3 UC标准规格

• 平下纪夫（冲电气），丰田周邦（NTT-AT），奥村治树（东京研究中心），岛崎绫子（东芝），神保智子（日立），西冢胜（东芝微电子），西山岩男（NEC），松浦正纯（三菱电机），松永利之（松下Techno Research），森田瑞穗（阪大）
• UCS半导体基础技术研究会标准化委员会设备部会
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋季）4p-ZC-12

13. 升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法4 UC标准规格

• 平下纪夫（冲电气），丰田周邦（NTT-AT），奥村治树（东京研究中心），岛崎绫子（东芝），神保智子（日立），西冢胜（东芝微电子），西山岩男（NEC），松浦正纯（三菱电机），松永利之（松下Techno Research），森田瑞穗（阪大）
• UCS半导体基础技术研究会标准化委员会设备部会
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋季）4p-ZC-13

14. 高选择比氧化膜蚀刻中表面反应层的分析

• 小泽信夫、辰巳哲也、石川健治、栗原一彰、关根诚
• ASET等离子体磨床
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋季）6a-ZF-8

15. 通过薄SIO2膜注入高浓度H+离子的Si的退火特性

• 佐々木志保，宇治川浩章，周杜里·艾尔夏德·阿里，和泉富雄，原彻*
• 东海大工、法政大工*
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋天）6p-ZD-17

16. W聚合物膜的蚀刻特性

• 福永裕之、长友美树、斋藤秀一
• （株）东芝生产技术中心
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋天）7a-W-8

17. 晶圆表面吸附有机物的吸脱附行为2

• 白水好美，高田俊和，驹田香织*
• 日本电气（株），NEC软件（株）*
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋季）3p-ZC-7

18. 用HMDSO等离子体CVD法形成低介电常数膜（1）-氧化剂用N2O-

• 山本阳一、猪鹿仓博志、石丸智美、小竹勇一郎、大河原昭司、盐谷喜美*、大平浩一*、前田和夫*
• 佳能销售（株），（株）半导体工艺研究所*
• 第61回应用物理学合学术讲演会预备稿集（2000秋季）4a-P4-21

19. NH3/SiF4系列a-SiNx:F形成极低温的栅极氮化膜(II)

• 大田裕之、堀胜、后藤俊夫
• 名古屋大学工
• 第61回应用物理学合学术讲演会予稿集（2000秋天）5a-ZD-4

20. Si（100）2×1上的铯氧化物的TDS、UPS

• 石跃晶彦、藤井孝司、丰岛诚也、浦野俊夫、本乡昭三
• 神户木匠
• 第61回应用物理学合学术讲演会预备稿集（2000秋季）6a-S-1

21. 通过溶胶凝胶法对HfO2薄膜吸附氟化醇

• 阿达金哉，西出利一，渡部修*，高濑接子*，宫林延良**
• 日本大学工学部，福岛县高科技广场*，电子科学（株）**
• 第47回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（2000春季）29a-ZG-3

22. 使用低介电常数绝缘膜的多机布线结构中电容的温度依赖性

• 东和幸、松永范昭、中田镇平、柴田英毅
• （株）东芝半导体公司微电子技术研究所
• 第47回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（2000春季）29p-YA-11

23. 各种湿法处理对有机聚合物类低介电常数绝缘膜PAE的影响

• 北泽良幸、友久伸悟、西冈康隆、保田直纪、村中诚志*、后藤欣哉*、松浦正纯*、丰田良彦、大森达夫
• 三菱电机（株式会社）先进技术综合研究所，ULSI技术开发中心*
• 第47回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（2000春季）29p-YA-16

24. 通过等离子体聚合法降低BCB膜的介电常数

• 多田宗弘、川原润、林喜宏
• NEC硅系统实验室
• 第47回应用物理学相关联讲演会预备稿集（2000春季）29p-YA-8

25.Investigation of Correlation between Structures and Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
• FRS RIKEN, Saitama Univ.*
• 第47回应用物理学相关联讲演会预备稿集（2000春季）29p-YA-8

26. 氟化烷基硫醇自组织单分子膜吸附·脱附课程的相关研究

• 铃木章弘1，奥出由利子1，中村史夫2，原正彦12，玉田薰3，福岛均4，T.R.Lee5
• 东京工大总理工1，理研2，物质研3，精工爱普生4，休斯顿大学5
• 第47回应用物理学相关联讲演会预备稿集（2000春季）29p-YA-8

27. Si晶片表面的水分及有机物吸附状态的分析

• 森本敏弘、上村贤一
• 新日铁先进技术研究所
• 第47回应用物理学相关联讲演会预备稿集（2000春季）28p-YH-7

28. 低介电常数SOG中官能团的等离子体反应性

• 近藤英一、弓井俊哉、浅野种正、荒尾弘树*、中岛昭*
• 九州工业大学微型化总技术中心，催化化成工业株式会社，精细研究所*
• 第47回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（2000春季）29a-YA-10

29. 钛的表面研磨产生的气体排放特性

• 冈田隆弘、田中彰博、水野善之、本间祯一
• 千叶工业大学，Albac Phi（株）*，日本巴尔卡工业（株）**
• 第47回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（2000春季）29a-ZG-1

30. Ta2O5/TiNx/Si（x>1）退火时TiN层释放的过量氮

• N.Yasuda*,***,H.C.Lu*,E.Garfunnkel*,T.Gustafsson*,J.P.Chang**,G.Alers**
• Rutgers University*,Lucent Technologies**,On leave from Toshida Corporation***
• 第47回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（2000春季）29a-ZG-3

31. 通过升温脱附法对非晶硅膜中氢的定量

• 稻吉佐、齐藤一也、桥本征典*、浅利伸*
• 日本真空技术(株)筑波超材研、同千叶超材研*
• 第47回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（2000春季）29p-ZH-1

32. 真空升温下的a-Ge:H膜的氢键状态和膜质评价

• 井关克登、小林信一、青木彪
• 东京工艺大学大学院联合最先进技术研究中心
• 第47届应用物理学相关联讲演会预备稿集（2000春季）29p-ZH-6

33. 辉光放电法制备的a-SiC:H的膜结构和表面观察(II)

• 井上浩介、坂上弘之、新宫原正三、高萩隆行
• 广岛大学工学部
• 第47回应用物理学相关联讲演会预备稿集（2000春季）30p-YH-11

34. 通过在氢端点Si（111）表面上选择性脱氢来形成悬挂键合线串

• 井上浩介、坂上弘之、新宫原正三、高萩隆行
• 广岛大学工学部
• 第47回应用物理学相关联讲演会预备稿集（2000春季）30p-YH-11

35. 固体NMR在硅系化合物状态分析中的应用

• 荒又干夫
• 信越化学群马工厂
• 第26届固体核磁共振与材料研究会（2000.05.08京都平安会馆）

36. HfO2薄膜的升温脱附法烧制工艺及表面状态的研究

• 阿达金哉，西出利一，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日大工，*电子科学
• 第36届热测定讨论会讲演要旨集,90(2000秋)

37. CeO2薄膜的升温热脱附法表面状态的研究

• 西出利一、常磐聪子、宫林延良、佐野真纪子、**佐藤誓
• 日大工，*电子科学，**日产电弧
• 第36届热测定讨论会讲演要旨集,92(2000秋)

38. 金属氧化物薄膜的TDS表面分析

• 西出利一
• 日本大学工学部
• 第8回TMS研究会预备稿集p4（2000.4.28）