得到的数据例
1. 氢封端硅的时间变化
目的·实验
研究了通过HF处理在表面用氢封端的硅晶片是如何随时间变化的。 我们将吸附在表面的氢脱附出来，进行了评估。
实验和评估步骤如下。
1. 准备用于实验的氢封端Si芯片。
2. 对经过2天，7天，14天和28天样品调整后的Si芯片进行升温脱附实验（升温速率=60 K/sec）。
3.对脱附后的氢比较裂解信号。
结果
如下图所示随着时间的推移，表面的氢逐渐减少。
至于减少到什么程度，还需要进一步的跟踪实验。
表面氢减少的原因可能是氧化加剧，表面产生羟基。
下图显示了表面氢气和羟基的结合，从而导致水脱附的情况。
正如预期的那样，随着时间的推移，水的量在增加。
下图显示了表面氢气和羟基的结合，从而导致水脱附的情况。
正如预期的那样，随着时间的推移，水的量在增加。
2. 氢离子注入样品的数据
氢离子注入试料1E16个/c㎡的例
氢离子注入试料1E17个/c㎡的例
注:出现峰值的温度取决于不同的条件，因此不同的设备会有一些差异。
3. 氢离子注入样品的重复性数据
氢离子注入试料1E17个/c㎡4测量的例
注:出现峰值的温度取决于不同的条件，因此不同的设备会有一些差异。
4. 草酸钙涂氩离子注入样品数据
草酸钙涂氩离子注入样品的例
注:出现峰值的温度取决于不同的条件，因此不同的设备会有一些差异。