1992～1999 - ESCO | 电子科学股份有限公司

1999：论文・杂志・书籍

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd₂O₂S:Pr Ceramic Scintillators

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO₂/SiLK resin dielectric based interconnects

• M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
• IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
• J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999：学会要旨

1.用二维相关光谱法分析升温解吸分析数据

• 杉田记男，阿部英次，宫林延良**
• 丰桥技术科学大学，*电子科学
• 第22回情报化学讨论会讲演要旨集（1999秋），:JP12

2. 关于升温脱离法吸附烷烃SAM膜状态的研究

• 荒木畅*，卢载根*，原正彦*，**
• *理研前沿，**东工大总理工
• 第60届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）2p-Q-8

3.Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
• FRP RIKEN（理研前沿）
• 第60届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）2p-Q-9

4 通过电感耦合等离子体CVD制作的SiO2膜的升温脱离气体分析

• 服部哲也，濑村滋，福田智惠，赤坂伸宏
• 住友电工（株）
• 第60届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）3p-H-1

5.SiN/SiO2膜中氢的热行为

• 川岛义也，刘紫园，川野英夫，平田刚*
• NEC器件评估技术研究所，*NEC半导体生产技术本部
• 第60回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）3p-ZT-16

6. 无机CVD-TiN膜中Cl腐蚀Al布线的机理

• 平泽贤斋，中村吉孝，田丸刚，关口敏宏，福田琢也
• （株）日立制作所设备开发中心
• 第60回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）3a-ZN-2

7. Co/a-Si:H/c-Si中的硅化过程

• 草村一文，土屋正彦，吉田阳子，曾江久美，本桥光也，本间和明
• 东京电机大工
• 第60届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）3a-ZN-6

8. APIMS-TDS对Si晶圆表面吸附水分的分析(IV)

• 森本敏弘，上村贤一
• 新日本制铁株式会社先进技术研究所
• 第60回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）3a-ZQ-9

9.真空中S端接GaAs（001）表面升温解吸过程分析

• 冢本史郎，杉山宗弘*，下田正彦，前山智*，渡边义夫*，大野隆央，小口信行
• 金材技研，*NTT基础研
• 第60回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）4a-ZK-3

10.通过高注准分子激光照射的非晶硅膜的脱氢行为

• 高桥道子，斋藤雅和，铃木坚吉
• 日立显示器组
• 第60届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1999秋季）4a-ZS-4

11.PDP用MgO膜的蒸镀时氧分压和气体吸附特性

• 泽田隆夫，渡部劲二，福山敬二，大平卓也，衣川胜
• 三菱电机尖端综合研究所
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）28p-M-4

12.升温脱离光谱中样品端低温部分的校正

• 尾高宪二
• 日立机械研究所
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-R-7

13.使用二氟对二甲苯的有机低介电常数膜的特性

• 室山雅和，森山一郎
• S.C.制程开发部，索尼（株）
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-ZQ-14

14.氟化非晶碳膜的层间绝缘膜相容工艺

• 小关胜成，有贺美智雄
• 日本应用材料株式会社
• 第46回应用物理学相关联讲演会予稿集（1999春季）30p-ZQ-19

15.氟化非晶碳膜在层间膜上的应用评价

• 松井孝幸，岸本光司，松原义久，井口学，堀内忠彦，远藤和彦*，辰巳彻*，五味英树
• 日本电气公司ULSI器件开发研究所，*硅系统研究所
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-ZQ-20

16.SiO2/Si中氢行为的分析

• 刘紫园，川岛义也，川野英男，浜田耕治*，浜嶋智宏*
• NEC黛瓦评价研，NEC UL黛瓦开研*
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）29p-ZS-14

17.升温解吸法对非对称二烷基二硫自组装单分子膜吸附状态的研究

• 荒木畅*，龟井宏二**，藤田克彦*，原正彦*，**，W。克诺尔*
• 理研前沿*，东工大总理工**
• 第46届应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-X-17

18.关于使用非对称二烷基二硫化物的自组织单分子膜的生长过程的研究

• 龟井宏二*，藤田克彦**，荒木畅**，原正彦*，**，雀部博之**，W。克诺尔**
• 东工大总理工*，理研前沿**
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-X-18

19.Destructive Adsorption and Phase Separation of Asymmetric Disulfide SAMs on AU(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy

• J.NOH，M.HARA，H.SASABE and W.KNOLL
• FRP, RIKEN
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-X-19

20.氢离子注入基板剥离法中晶圆直接接合工序的探讨

• 山内庄一，松井正树，大岛久纯
• 电装基础研
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）31a-ZP-2

21.氢终端Si表面的湿式处理时的终端氢的化学反应行为

• 永田阳一，藤原新也，坂上弘之，新宫原正三，高萩隆行
• 广岛大学工学部
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）28a-ZT-4

22.测量Si（100）表面上P的升温解吸光谱

• 广濑文彦，坂本仁志
• 三菱重工基盘研
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）28p-ZT-11

23.通过ECR等离子体CVD法制作的硬碳膜的热分解行为

• 丸山一则，曾谷朋子，佐藤英树
• 长冈技术科学大学工
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）29a-M-2

24.真空表面氢的行为序论

• 冢原园子
• 日本真空技术筑波超材研
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）29a-ZH-1

25.钢中氢的存在状态和晶格缺陷

• 南云道彦
• 早稻田大学理工学部物质开发工学科
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）29a-ZH-2

26.氢在金刚石表面的行为

• 川原田洋
• 早稻田大学理工学部，CREST
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）29a-ZH-6

27.APIMS-TDS对Si晶圆表面吸附水分的分析(III)

• 森本俊弘，上村贤一
• 新日本制铁株式会社先进技术研究所
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）29a-ZT-4

28.8英寸晶圆用升温脱离测量装置对SiO2膜的评价

• 稻吉佐，冢原园子，斋藤一也，星野洋一*，原康博*
• 日本真空技术（株）筑波超材研，*日本真空技术（株）超高（事）
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）29a-ZT-5

29.金刚石C（111）上的NO激光刺激释放

• 山田太郎，关元**，庄东荣***
• *早大材研，**IBM阿尔玛登研，***台湾中科院原子分子研
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30a-L-3

30.钛的平滑加工的表面氧化层和气体放出特性

• 石川一政，水野善之，冈田隆弘，本间祯一
• 千叶工业大学
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-R-2

31.具有硅烷键的低介电常数SOG膜的特性

• 田代裕治，樱井贵昭，清水泰雄
• 东燃（株）
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-ZQ-6

32.含乙烯基的二氧化硅膜的XeF2退火

• 佐野泰之，菅原聪，宇佐美浩一，服部健雄，松村正清
• 东京工业大学工学部，*武藏工业大学工学部
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）30p-ZQ-7

33.Ni/a-Si:H层压膜中的界面反应和硅化过程(II)

• 吉田阳子，曾江久美，本桥光也，本间和明
• 东京电机大工
• 第46回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1999春季）31a-ZQ-6

34.SIMS和TDS a-Si:H中H浓度的评价

• 三上朗，铃木崇之
• 三洋电气公司新材料研究所
• Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

• Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
• Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
• Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998：论文・杂志・书籍

1.TG-MS陶瓷薄膜和粉末形成过程的阐明

• 泽田丰，西出利一*，松下纯一**
• 东京工艺大学工学部，*日本大学工学部，**东海大学工学部
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,289(1998)

2.TPD-MS（Temperature Programmed Desorption or Decomposition Mass-Spectrumetry）在材料研究中的应用

• 朝比奈均，谷口金二
• 三菱化学株式会社筑波研究所
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

• H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
• J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

• H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
• Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6. 通过冷拉丝加工的纯铁及共析钢的升温脱离法进行的吸氢特性评价

• 高井健一*1，山内五郎*1，中村真理子*2，南云道彦*2
• *1）日本电报电话株式会社技术协力中心*2）早稻田大学理工学部
• 日本金属学会志，62，3，267-275（1998）

1998：学会要旨

1.对介孔铝硅酸盐的铜离子交换及其特性

• 寺冈靖刚，高桥基信，濑户口由加子，朝长成之*，安武昭典*，泉顺*，森口勇，鹿川修一
• 长崎大工，*三菱重工
• 第81回催化剂讨论会讨论会预备稿集，113（1998.3）2P55

2.二氧化钛粉末表面的NO吸附和升温脱离

• 王杨，柳泽保德
• 奈良教大
• 第81回催化剂讨论会讨论会预备稿集，115（1998.3）2P57

3. NH3-TPD光谱中吸附焓和脱离活化能分布的比较

• 增田隆夫，藤方恒博，桥本健治
• 京大院工
• 第81回催化剂讨论会讨论会预备稿集，24（1998.3）1P24

4.二氧化硅上的光烯烃代谢反应的活性种

• 田中庸裕，松尾繁展，竹中壮，吉田寿雄*，船引卓三，吉田乡弘
• 京大院工，*名大院工
• 第81回催化剂讨论会讨论会预备稿集，34（1998.3）1P34

5.钛酸锶系钙钛矿型氧化物的NO直接分解活性

• 横井泰治，内田洋
• 东京煤气基础研究所
• 第81回催化剂讨论会讨论会预备稿集，40（1998.3）1P40

6.噻吩通过Pt/HZSM-5的氢化脱硫反应

• 黑坂忠弘，杉冈正敏
• 室兰工大
• 第81次催化剂讨论会 讨论会A预稿集,51(1998.3):1P51

7.通过二氧化钛承载沸石催化剂还原NOx

• 岩户弘，古南博，桥本圭司*，计良善也
• 近大理工，*阪市工研
• 第81次催化剂讨论会 讨论会A预稿集,53(1998.3):1P53

8.铜离子交换沸石上NOx型吸附种的分解机构

• 小野博信，奥村耕平，下川部雅英，竹泽畅恒
• 北大院工
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，131（1998.9）3D425

9.对CH4-SCR有活性的Pd沸石中的Pd种类的研究

• 小仓贤，鹿毛晋，菊地英一
• 早稻田理工
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，132（1998.9）3D426

10.银氧化铝催化剂上的NOx选择还原反应中的钛处理效果

• 后藤一郎，山口真，王正明，熊谷干郎
• 产业创造研
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，134（1998.9）3D428

11.使用脉冲法的承载Ph催化剂上的N2O分解反应

• 青柳健司，汤崎浩一，上冢洋，伊藤伸一，国森公夫
• 筑波大物资工
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，147（1998.9）4D414

12.固溶体Co-MgO催化剂上的N2O分解反应中的O2脱离机理

• 押原健三，秋鹿研一*
• 山口东京理大基础工，*东工大总理工
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，148（1998.9）4D415

13.NO和CO吸附·升温脱离钛酸锶粉末

• 江户畅子，稻生加奈子，德留志穗，柳泽保德
• 奈良教大
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，2（1998.9）1P202

14.吸附在Ni（110）上的羧酸的分解反应

• 山片启，久保田纯，野村淳子，广濑千秋，堂面一成，若林文高*
• 东工大资源研，*国立科学博物馆
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，207（1998.9）3D601

15.金云母催化剂的酒精脱氢反应

• 桥本圭司，东海直治
• 阪市工研
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，21（1998.9）1P222

16.以加入Al，Zn，Cd盐的FSM-16为催化剂的气相贝克曼转位-催化剂的酸碱性，活性劣性及生成物选择性-

• 正路大辅，中岛刚
• 信州木匠
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，22（1998.9）1P223

17.各种金属氧化物上的氧化钨单层催化剂的表面结构和酸性

• 内藤宣博，片田直伸，丹羽干
• 鸟取木匠
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，233（1998.9）4D603

18.利用Co2（CO）8对Co/Al2O3固定化催化剂表面的复合设计和催化剂特性的研究

• 高村公启，紫藤贵文，朝仓清高，岩泽康裕
• 东大院理
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，237（1998.9）4D607

19. Ga-MCM-41的结构和酸性

• 奥村和，西垣亨一，丹羽干
• 鸟取木匠
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，254（1998.9）3D702

20.柱导入量不同的氧化铝交联云母的调整及其酸性质

• 北林茂明，镰田有希子，进藤隆世志，小泽泉太郎
• 秋田大工资
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，262（1998.9）3D710

21.SO4(2-)-ZrO2 catalysts for isomerization of n-butane. Study of deactivation process and characterization of coke deposits

• C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
• National Institute for Resources and Environment (Japan), *INCAPE (Argentina)
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，273（1998.9）3D721

22.水蒸气处理氨升温脱离法测定硅铁酸盐的酸性质

• 宫本哲夫，片田直伸，丹羽干，松本明彦*，堤和男*
• 鸟取大工，*丰桥技科大
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，298（1998.9）4D721

23.钙钛矿型氧化物催化剂的NO直接分解活性和电子状态的关联

• 横井泰治，安田勇，内田洋，*冈田治，**中村泰久，***川崎春次
• 东京煤气，*大阪煤气，**东邦煤气，***西部煤气
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，323（1998.9）3D824

24.氧化锆承载硫酸根单层固体超强酸催化剂对弗里德克拉夫反应的活性

• 安信直子，远藤纯一，片田直伸，丹羽干
• 鸟取木匠
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，343（1998.9）4D819

25.用于CFC分解的磷酸铝基催化剂的开发（5）

• 二宫麻衣子，若松广宪，西口宏泰，石原达己，泷田祐作
• 大分木匠
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，35（1998.9）2P205

26.V，W取代型12-磷酸钼催化剂的还原/h4>

• 森田丰田子，上田涉*，秋鹿研一
• 东工大总理工，*山口东理大基础工
• 第82回催化剂讨论会A讲演预备稿集，5（1998.9）1P205

27.吸附NO2/金属氧化物上丙烯的部分氧化反应

• 上田厚，小林哲彦
• 大工研究所
• 第82届催化剂讨论会 A演讲预稿集,71(1998.9):3D317

28.通过Pd复合蒸镀薄膜进行甲醇分解反应的研究

• 佐佐木基，伊藤建彦，浜田秀昭
• 工技院物资研
• 第82回催化剂讨论会讲演预备稿集，9（1998.9）1P209

29.固定化Co(II)/Al2O3催化剂上NO-CO反应的新机制

• 山口有朋，紫藤贵文，朝仓清高，岩泽康裕
• 东京大学研究生院理学系
• 第82回催化剂讨论会B讲演预备稿集，360（1998.9）1D105

30.氧化锡承载氧化钼薄层上生成的固体酸点的甲醇氧化反应中的催化作用

• 丹羽干，五十岚淳也，片田直伸
• 鸟取大学工学部
• 第82回催化剂讨论会B讲演预备稿集，442（1998.9）1D206

31.由二氧化碳产生的甲烷生成乙烷和乙烯的反应

• 王野，高桥喜元，大冢康夫
• 东北大学反应化学研究所
• 第82回催化剂讨论会B讲演预备稿集，458（1998.9）1D211

32.使用单独氧化物承载Pd催化剂的低温甲烷燃烧

• 关泽好史，江口浩一
• 九州大学大学院总合理工学研究科
• 第82回催化剂讨论会B讲演预备稿集，466（1998.9）1D213

33.FSM-16作为固体酸的催化特性

• 山本孝，田中庸裕，船引卓三，吉田乡弘
• 京都大学大学院工学研究科
• 第82回催化剂讨论会B讲演预备稿集，494（1998.9）2D207

34.微晶硅晶界缺陷的各向异性

• 近藤道雄，府川真，郭里辉，松田彰久
• 电总研薄膜硅太阳能电池超级实验室
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）15a-ZC-10

35.氧化膜蚀刻中添加CH2F2的效果

• 新村忠，大宫可容子，金田直也*，松下贵哉*
• （株）东芝生产技术研究所，*（株）东芝半导体生产技术推进中心
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）15a-C-5

36.大气中及真空中加热对荧光膜吸附气体特性的影响

• 山根未有希，平泽重实*，小关悦弘**
• (株)日立制作所机械研究所，*(株)日立制作所家电·信息媒体事业本部，***日立设备工程(株)
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）15p-M-5

37.Ni/a-Si:H层压膜中的界面反应和硅化过程(I)

• 吉田阳子，茂木梓，曾江久美，本桥光也，本间和明
• 东京电机大工
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）15p-ZL-16

38.三n-丁基磷在金刚石C（001）表面上的反应基过程

• 西森年彦，坂本仁志，高桑雄二*，**
• 三菱重工业·基础研究，*东北大学·科学研究，**科技团先驱
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）16p-N-6

39.氢处理添加Ge的SiO2玻璃中氢释放的温度依赖性

• 笠原敏明，藤卷真，大木义路，加藤真基重*，森下裕一*
• 早稻田大学，*昭和电线
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）16p-P13-7

40.开发半导体层间膜工艺的吸湿特性评价法的开发

• 大岳敦，小林金也，伊藤文俊*，高松朗*
• 日立制造所日立研究所，日立制造所半导体事业部
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）17a-ZG-1

41.低介电常数·低吸湿性有机SOG膜的制作

• 山田纪子，高桥彻
• 新日铁（株）尖端技术研究所
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）17p-ZG-3

42.低介电常数多孔质SOG膜的特性

• 荒尾弘树，藤内笃，江上美纪，村口良，井上一昭，中岛昭，小松通郎
• 催化化成工业（株）
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）17p-ZG-4

43.含有高浓度苯基的二氧化硅膜的评价

• 佐野泰之，宇佐美浩一，菅原聪，服部建雄，松村正清
• 东京工业大学工学部，*武藏工业大学工学部
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋）17p-ZG-9

44.Ar离子注入Si的升温脱离信号与非晶态Si内Ar分布变化的关系

• 中田让治，薮本周邦*
• NTT基础研究所，*NTT-AT
• 第59届应用物理学会学术讲演会讲演预备稿集（1998秋季）18a-ZL-4

45.极细孔中的表面反应

• 金森顺，池上尚克，平下纪夫
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 第45回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1998春季）29a-ZR-2

46.全芳族聚醚聚合物层间绝缘膜

• 北孝平
• 旭化成工业基础研究所
• 第45届应用物理学相关联讲演会预备稿集（1998春季）30p-M-4

47.硅晶片表面有机物的吸附/脱离行为

• 嵯峨幸一郎，服部毅
• 索尼半导体公司超LSi实验室
• 第45届应用物理学联合讲座预备稿集（1998春季）28p-PB-6

48.APIMS-TDS晶圆表面吸附水分分析

• 森本敏弘，上村贤一
• 新日铁先进技术研究所
• 第45届应用物理学联合讲座预备稿集（1998春季）28p-PB-7

49.晶圆表面吸附有机物的吸附解吸行为

• 白水好美，田中杰，北岛洋，名取岩*
• 日本电气株式会社
• 第45届应用物理学联合讲座预备稿集（1998春季）28p-PB-8

50.退火对MOCVD-BST的影响

• 上田路人，大冢隆，森田清之
• 松下电器产业（株）中央研究所
• 第45回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1998春季）28p-ZF-9

51.从乙炔吸附Si（100）表面脱氢

• 中泽日出树，末光真希
• 东北大学电信研究所
• 第45回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1998春季）29a-YG-11

52.Si表面的Si氢化物的吸附和氢脱离过程

• 末光真希
• 东北大学电信研究所
• 第45回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1998春季）29a-ZR-5

53.精密化学研磨在超高真空材料表面处理上的应用

• 稻吉佐，齐藤一也，佐藤幸惠，冢原园子，石泽克修，野村健，嶋田晃久，金泽实**
• 日本真空技术（株），*三爱石油（株），**三爱成套设备工业（株）
• 第45届应用物理学联合讲座预备稿集（1998春季）29p-X-10

54.不锈钢表面的水升温解吸特性

• 田中智成，竹内协子，辻泰
• 阿尔巴克公司中心
• 第45届应用物理学相关联合讲座预备稿集（1998春季）29p-X-5

55.用Si薄膜包膜的不锈钢的低气体排放特性

• 稻吉佐，佐藤幸惠，冢原园子，金原粲*
• 日本真空技术（株），*金泽工大
• 第45届应用物理学相关联合讲座预备稿集（1998春季）29p-X-7

56.LPD低介电常数有机二氧化硅膜(II)-各种含有有机基团的耐热性-

• 小林光男*，住村和仁，菅原聪，服部健雄*，松村正清
• 东工大工学部，*武藏工大工学部
• 第45回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1998春季）30a-M-10

57.CO/a-Si:H中的硅化物形成(I)

• 古林治，土屋正彦，曾江久美，本桥光也，本间和明
• 东京电机大学工学部
• 第45届应用物理学相关联合讲座预备稿集（1998春季）30a-N-5

58.CO硅化物在N2和NH3中的形成过程--残留氧的影响

• 堤纪久子，杉山龙男*，江藤龙二*，神前隆**，小川真一*
• 松下电子工业（株）微机事业部，*松下电子工业（株）Pro开世，**松下电子研究（株）
• 第45届应用物理学相关联讲演会预备稿集（1998春季）30a-N-6

59.通过H2O等离子体抑制HSQ膜劣化灰化的研究

• 玉冈英二，青井信雄，上田哲也，山本明广，真弓周一
• 松下电器工业株式会社工艺开发中心
• 第45回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1998春季）30p-M-10

60.低介电常数有机层间绝缘膜的高温特性

• 高相纯，富泽友博，猪留健，原彻
• 法政大学工学部
• 第45届应用物理学相关联讲演会预备稿集（1998春季）30p-M-7

61.低介电常数离子注入有机SOG膜的热释放特性

• 松原直辉，水原秀树，渡边裕之，实泽佳居，井上恭典，花房宽，吉年庆一
• 三洋电机微电子研究所
• 第45回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1998春季）30p-M-9

1997：论文・杂志・书籍

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

• Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
• Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

• G.A. Young and J.R. Scully
• Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
• Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
• Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

• Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

• Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,165,57(1997)

7.分析基板表面污染物的方法:升温解吸分析

• 薮本周邦
• NTT先进技术
• 半导体工艺环境中的化学污染及其对策，Realise公司，p291

1997：学会要旨

1.利用TDS，FT-IR评价氧化Si膜的膜质量

• 寺田久美，梅村园子，寺本章伸*，小林清辉*，黑川博志，马场文明*
• 三菱电机株式会社先端总研，*UL研
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）2a-D-10

2.PECVD-SiO2栅极绝缘膜中结构水的减少

• 汤田克久，田边浩，世良贤二，奥村藤男
• NEC功能电子学实验室
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-K-3

3.氦-氢两级注入硅晶片中的blister形成行为

• 中嶋健，高田凉子，须藤充，贝沼光浩*，中井哲弥，富泽宪治
• 三菱材料硅株式会社技术本部开发中心，*三菱材料株式会社综合研究所
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-PB-2

4.通过TDS直接观察Smart-Cut行为（2）

• 高田凉子，高石和成，富泽宪治
• 三菱材料硅株式会社技术本部开发中心
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-PB-3

5.C49/C54 TiSi2相变的TDS原位观察

• 田中宏幸，平下纪夫，北明夫
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）4a-D-10

6氟脱离ECR-CVD SiOF膜的影响

• 宇佐见达矢，五味秀树
• NEC ULSI设备开发实验室
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）4a-K-5

7.氟变性引起的氢氧化硅氧烷的低介电常数化研究

• 中田义弘，福山俊一，片山伦子，山口城
• （株）富士通研究所
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）4p-K-15

8.甲基硅烷-H2O2自平坦化CVD工艺

• 松浦正纯，井内敬彰*，增田员拓*，益子洋治
• 三菱电机（株）ULSI开发研究所，*菱电半导体（株）
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）4p-K-2

9.无机多孔膜SOG材料（HPS）的物理性质评价

• 村口良，中岛昭，小松通郎，大仓嘉之，宫岛基守，原田秀树**，福山俊一**
• 催化化成工业(株)Fine研究所，*富士通(株)，**(株)富士通研究所
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）4p-K-7

10.荧光体粉末和水玻璃的气体放出特性

• 山根美有希，高桥主人*，平泽重实**，小关悦弘***
• （株）日立制造所机械研究所，*Kasako工厂，**电子设备事业部，***日立设备工程（株）
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）4p-ZT-8

11.离子注入的硅片表面的有机物吸附的评价

• 嵯峨幸一郎，服部毅
• 索尼半导体公司超大规模集成电路实验室
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-D-2

12.晶圆盒存储时抗氧化剂（BHT）吸附到硅晶圆上的形式

• 今井利彦，水野亨彦，波多野彻
• 信越半导体白河研究所
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-D-4

13.各种清洗后，洁净室对Si表面的有机物污染和再清洗的去除

• 中森雅治，青砥奈美
• NEC ULSI设备开发实验室
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-D-5

14.APIMS-TDS对Si晶圆表面吸附IPA的分析

• 森本敏弘，上村贤一
• 新日铁先进技术研究所
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-D-7

15.H+注入空隙切割SOI（4）

• 柿崎惠男，原彻，井上森雄*，梶山健二*
• 法政大学工学部，*离子工程研究所
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-PB-4

16.1-MeV H+注入形成单晶Si薄膜

• 中田让治，西冈孝*
• NTT基础研究所，*NTT光电子研究所
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）3p-ZK-12

17.低介电常数氟碳膜的高温特性

• 高相纯，富泽友博，猪留健，原彻，Yang*，D.Evans*，柿崎惠三**
• 法政大学工学部，*SMT，**夏普ULSI研
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）4a-K-8

18.使用Benzene的a-C:H膜的特性研究

• 郑他
• 三星电子半导体研究所
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）4p-YA-3

19.细孔内残留硫酸组分的纯电解阳极水护发素

• 山崎进也，青木秀充，青砥奈美，二木高志*，山下幸福*，山中弘次*
• NEC ULSI设备开发实验室，*Organo公司
• 第58届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1997秋季）5a-D-8

20.多金属布线(VIII)~WNX膜中氮的脱离过程～

• 中嶋一明，赤坂泰志，宫野清孝，高桥护*，末广信太郎*，须黑恭一
• 东芝微电子技术研究所*东芝环境技术研究所
• 第44届应用物理学相关联讲演会预备稿集（1997春季）28a-PB-14

21.SiH4-H2O2系CVD氧化膜工艺中的NMOS Hot Carrier可靠性评价

• 久保诚，八寻和之，富田健一
• （株）东芝半导体生产技术推进中心
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）28p-F-18

22.使用三乙氧基硅烷(TRIES)的SiO2膜(II)

• 服部觉，原田胜可
• 东亚合成（株）新材料研究所
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）29p-F-13

23.通过TDS直接观察Smart-Cut行为

• 高田凉子，高石和成，富泽宪治
• 三菱材料硅株式会社技术本部开发中心
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）29p-G-11

24. 干燥后晶圆表面残留的吸附IPA的评价

• 嵯峨幸一郎，冈本彰，国安仁，服部毅
• 索尼半导体公司超大规模集成电路实验室
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-D-11

25.甲基硅烷-H2O2自平坦化CVD工艺（1）

• 松浦正纯，增田员拓*，井内敬彰*，益子洋治
• 三菱电机（株）ULSI开发研究所，*菱电半导体（株）
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-F-14

26.SiH4/H2O2 CVD氧化膜的成膜特性

• 吉江彻，下川公明，吉丸正树
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-F-15

27.使用氢自由基形成高可靠性SiOF膜成

• 福田琢也，佐佐木英二*，细川隆，小林伸好
• （株）日立制作所半导体技术开发中心，*日立超大规模集成电路工程
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-F-20

28.半导体层间绝缘膜水的升温解吸光谱分析

• 岳敦，小林金也，加藤圣隆*，福田琢也*
• 日立制造所日立研究所，日立制造所半导体事业部
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-F-21

29.Non-E.B.聚硅烷SOG的成膜特性

• 斋藤政良，平泽贤斋，坂井健志，堀田胜彦*，加藤圣隆，高松朗，小林伸好
• （株）日立制作所半导体事业部，*日立微机
• 第44届应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-F-5

30.低介电常数HSQ膜特性的结构依赖性

• 后藤欣哉，北泽良幸*，松浦正纯，益子洋治
• 三菱电机（株）ULSI开发研究所，*三菱电机（株）先进技术综合研究所
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-F-8

31.通过H+注入形成Si薄膜层

• 柿崎惠男，木花岳郎，大岛创太郎，原彻，井上森雄*，梶山健二*
• 法政大学工学部，*离子工程研究所
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）29p-G-12

32.PH3室温吸附到Si（100）表面

• 筑馆严和，末光真希
• 东北大学电信研究所
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）29p-ZN-10

33.SiH4和Si2H6室温吸附到P涂层Si（100）表面

• 筑馆严和，末光真希
• 东北大学电信研究所
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）29p-ZN-11

34.Si（100）表面上Te的吸附结构

• 田宫健一，大谷卓也，武田康，浦野俊夫，福原隆宏，金子秀一，本乡昭三
• 神户大学工学部
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）29p-ZN-2

35.利用MDS和TDS研究Cs和D在Si（100）表面上的共吸附结构

• 长谷部弘之，清水将之，小嶋薰，本乡昭三，浦野俊夫
• 神户大学工学部
• 第44届应用物理学相关联讲演会预备稿集（1997春季）29p-ZN-4

36.利用MDS，TDS对Li，D共吸附Si（100）表面的观测

• 福原隆宏，金子秀一，小嶋薰，本乡昭三，浦野俊夫
• 神户大学工学部
• 第44届应用物理学相关联讲演会预备稿集（1997春季）29p-ZN-5

37.当Ba和D一起吸附时，氘从Si（100）表面脱离的机制

• 小嶋薰，藤内重良，本乡昭三，浦野俊夫
• 神户大学工学部
• 第44届应用物理学相关联讲演会预备稿集（1997春季）29p-ZN-6

38.微孔内部的残留硫酸成分

• 山崎进也，青木秀充，西山岩男*，青砥奈美
• NEC ULSI器件开发实验室、*NEC微电子实验室
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-D-8

39.SiOF膜中的水分对介电常数的影响

• 上田聪，菅原岳，上田哲也，玉冈英二，真弓周一
• 松下电器产业半导体研究中心
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-F-18

40.通过电子束照射改善氢化异构硅氧烷无机SOG的膜质

• 杨京俊，崔东圭，王时庆，L.福斯特，中野正
• 对准信号AMM
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）30p-F-2

41.TOF-ESD和FTIR原位观察法对金属表面CO吸附的研究

• 上田一之，伊达正和，芳村雅满，白轮地菊雄*，西泽诚治*
• 丰田工大（院），日本分光
• 第44回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1997春季）31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

• Nigel P. Hacker
• Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

43.HSQ膜特性的结构依赖性

• 松浦正纯
• 三菱电机ULSI开发研究所
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996：论文・杂志・书籍

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3.平下纪夫学位论文

• 平下纪夫
• 冲电工业超大规模集成电路开发中心
• 电气通信大学（1996）

4.Si基板表面吸附物的热脱离行为

• 神保智子，石川胜彦*，伊藤雅树*，津金贤，田边义和，斋藤由雄，富冈秀起
• 日立制作所器件开发中心，*日立制作所半导体事业部
• 信学技报TECHNNICAL REPORT OF IEICE.，ED96-11，SDM96-11，75（1996）

5.Extreme Trace Analysis for Clean Process of LSI Fabrication

• Norikuni Yabumoto
• NTT Advanced Technology Corporation
• NTT REVIEW,8,70(1996)

6.Thermal Desorption Spectroscopy of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition

• Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
• Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996：学会要旨

1.Evidence for Asymmetrical Hydrogen Profile in Thin D2O Oxidized SiO2 by SIMS and Modified TDS

• Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2.Significant Effect of OH inside Silicon Chemical Oxides on AHF(Anhydrous Hydrofluoric Acid) Etching

• Kouichi MURAOKA, Iwao KUNISHIMA, Nobuo HAYASAKA and Shin-ichi TAKAGI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3.通过TDS升温脱离分析评价热氧化膜中的氢

• 寺田久美，黑川博志，小林清辉*，川崎洋司*
• 三菱电机株式会社先端总研，*UL研
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）7a-H-3

4.残留氟对有机物晶圆表面的吸附加速

• 嵯峨幸一郎，服部毅
• 索尼半导体公司超大规模集成电路实验室
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）8a-L-7

5.晶圆表面吸附物对粘合界面的影响

• 高田凉子，大嶋升，高石一成，富泽宪治，新行内隆之*
• 三菱材料硅（株）技术本部开发中心，*三菱材料硅（株）技术本部工艺技术部
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）8p-L-6

6.LPCVD-SiN膜中的氢引起的热载流子寿命降低现象（2）

• 内田英次，时藤俊一，涩泽胜彦，村上则夫，中村隆治，青木浩，山本祐广，平下纪夫
• 冲电气工业（株式会社）超大规模集成电路研究开发中心，*冲电气工业（株式会社）工艺技术中心
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）8p-R-18

7.基于分子轨道法的SiOF膜成膜用气体的分子解离反应分析

• 大山敦，小林金也，田子一农，福田琢也*，细川隆*，加藤圣隆*
• 日立制造所日立研究所，日立制造所半导体事业部
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）9a-H-1

8.改变碳含有率的有机SOG的平坦化特性

• 平泽贤斋，斋藤政良，加藤圣隆
• 日立制作所半导体事业部
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）9a-H-20

9.使用（C2H5O）3SiF/（C2H5O）3SiH的PECVD法的SiOF膜的成膜特性

• 鬼头英至，室山雅和，佐佐木正义
• 索尼(株) 半导体公司 第1 LSI部门
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）9a-H-5

10.氟添加SiO膜的吸湿机理的研究

• 室山雅和，芳贺丰，佐佐木正义
• 索尼(株)S.C.第1LSI部门
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）9a-H-9

11.Si晶圆表面的附着有机物观察

• 松尾千鹤子，高石一成，富泽宪治，新行内隆之*
• 三菱材料硅（株）技术本部开发中心，*三菱材料硅（株）技术本部工艺技术部
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）9a-L-8

12.Pd/a-Si:H/c-Si层压膜中的硅化过程（1）

• 安藤伸一，古林治，安达久美，本桥光也，本间和明
• 东京电机大学工学部
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）7p-N-18

13.Si（100）表面的高阶氢脱离过程

• 中泽日出树，末光真希，宫本信雄*
• 东北大学电讯研究所，*东北学院大学工学部
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）8p-W-12

14.利用MDS对Cs，D共吸附Si（100）表面的观测

• 长谷部弘之，福原隆宏，小嶋薰，清水将之，本乡昭三，浦野俊夫
• 神户大学工学部
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）8p-W-13

15.HREELS研究叔丁基膦在Si（001）表面上的分解过程

• 金田源太，真田则明，福田安生
• 静冈大学电子研究所
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）8p-W-17

16.进行电子束固化的有机SOG膜的特性化

• 崔东圭，J.肯尼迪，L.福斯特，中野正
• 对准信号AMM
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）9p-H-17

17.TD-APIMS对离子注入缺陷的氢阱观察

• 薮本周邦，佐藤芳之*，斋藤和之**
• NTT境界研，*NTT LSI研，**会津大学
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）9p-L-1

18.H+注入空隙切割SOI（2）

• 柿崎惠男，木花岳郎，大岛创太郎，北村平，原彻
• 法政大学工学部
• 第57届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1996秋季）9p-P-2

19.偏置ECR-CVD SiOF膜使用SiH4/CF4气体的特性

• 宇佐美达矢，石川拓，本间哲哉
• NEC ULSI设备开发实验室
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）26a-N-10

20.低介电常数PTFE薄膜的评价

• 长谷川利昭，松泽伸行*，门村新吾，青山纯一
• 索尼超大规模集成电路实验室*中央实验室
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）26a-N-2

21.Hydrogen Silsesquioxane(HSQ)介电常数评估

• 宫永隆史，佐佐木直人，龟冈克也，森山一郎，佐佐木正义
• 索尼半导体公司第一LSI分部
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）26a-N-6

22.利用离子注入方法改性有机SOG膜(V)

• 渡边裕之，平濑征基，实泽佳居，水原秀树，青江弘行，豆野和延
• 三洋电机微电子研究所
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）26a-N-7

23.LPCVD-SiN膜的氢引起的热载流子寿命劣化现象

• 时藤俊一，涩泽胜彦，村上则夫，内田英次，中村隆治，青木浩，山本祐广，平下纪夫
• 冲海电气超大规模集成电路研发中心，工艺技术中心
• 第43回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1996春季）27p-E-4

24.塑料盒释放的有机添加剂在晶圆表面的吸附机制

• 嵯峨幸一郎，古谷田作夫，服部毅
• 索尼半导体公司超大规模集成电路实验室
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）27p-F-12

25.无水HF气体的原位自然氧化膜蚀刻机理

• 村冈浩一，国岛岩，早坂伸夫，高木信一，鸟海明
• 东芝ULSI研究所
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）28a-K-3

26.Bias ECR CVD SiO膜释放气体对W Plug工艺的影响

• 芳贺丰，室山雅和，佐佐木正义
• 索尼(株) 半导体公司 第1 LSI部门
• 第43回应用物理学相关联合讲座预备稿集（1996春季）29p-N-8

27.通过四甲基替兰/氧自由基反应形成低介电常数绝缘膜

• 奈良明子，伊藤仁
• 东芝ULSI研究所
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）26a-N-1

28.吸附在石墨表面的氧的升温脱离

• 吉田岩，杉田利男*，野口峰男*
• 东京理科大学基础工，*工学部
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）26a-PA-12

29.a-Si:H膜结构微晶过程评价（Ⅱ）

• 中岛乡子，大嶋孝文，本桥光也，本间和明
• 东京电机大学工学部
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）26a-TC-10

30.SiOF膜的吸湿性研究

• 筱原理华，工藤宽，武石俊作，山田雅雄
• 富士通工艺开发部
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）26p-N-12

31.从注入氧离子的Si衬底中脱离SiO

• 石川由加里，柴田典义
• 陶瓷中心
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）27p-P-9

32.通过升温脱离法评价纯钛的真空特性

• 抱谷修二，本间祯一
• 千叶工业大学
• 第43回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1996春季）28p-ZL-3

1995：论文・杂志・书籍

1.The distribution of activation energy for hydrogen desorption over silica-supported nickel catalysts determined from temperature-programmed desorption spectra

• Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, *Takao Masuda, *Kenji Hashimoto
• Institute for Chemical Reaction Science, Tohoku University, *Depertment of Chemical Engineering, Kyoto University
• Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.升温脱离分析在硅表面评价中的应用

• 薮本周邦
• NTT先进技术
• 表面技术，46，47（1995）

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

• Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

• Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
• ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
• J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7.硅晶圆表面分析评估技术:晶圆上吸附分子的分析评价技术

• 薮本周邦
• NTT先进技术
• 硅片表面清洁技术别册，Larrise公司，p101

1995年：学会要旨

1.利用Helicon波等离子体CVD对SiOF膜的膜质进行评价

• 芳贺丰，室山雅和，佐佐木正义
• 索尼半导体公司第一LSI分部
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26a-ZB-3

2.吸湿对低介电常数表面保护膜的影响

• 足立悦志，足达广士，武藤浩隆，藤井治久
• 三菱电机株式会社中央研究所
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26a-ZB-6

3.等离子体氧化膜的水分透过抑制机构的研究

• 内田博章，时藤俊一*，酒谷义广，平下纪夫*
• 冲电工业（株式会社）工艺技术中心，*超大规模集成电路研发中心
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26a-ZB-9

4.电极界面附近CVD-BST膜的特性

• 山向干雄，川原孝昭，中畑匠，结城昭正，斧高一
• 三菱电机半导体基础研究所
• 第56回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26a-ZG-7

5.高介电常数材料（Ba，Sr）TiO3膜的形成和界面控制

• 结城昭正
• 三菱电机半导体基础研究所
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26p-W-6

6.使用TiCl4的CVD TiN膜的氯含量和膜质

• 川岛淳志，宫本孝章，门村新吾，青山纯一
• 索尼半导体公司超大规模集成电路实验室
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）27a-PB-8

7.高温成膜O3-TEOS NSG膜的评价

• 味泽治彦，齐藤正树，森山一郎，佐佐木正义
• 索尼半导体公司第一LSI分部
• 第56回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）28a-PC-11

8.氢化半硅氧烷SOG作为层间绝缘膜的特性

• 小柳贤一，岸本光司，本间哲哉
• 日本电气公司ULSI设备开发研究所
• 第56回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）28a-PC-2

9.利用离子注入法改性有机SOG膜(IV)

• 渡边裕之，平濑征基，实泽佳居，水原秀树，青江弘行
• 三洋电机微电子研究所
• 第56回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）28a-PC-4

10.通过H2O添加溅射法形成的非晶ITO膜的热处理引起的结构变化

• 西村悦子，安藤正彦，鬼泽贤一，峯村哲郎，高畠胜*
• （株）日立制作所日立研，*电子设备事业部
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）28a-ZH-8

11.通过密度控制实现SiOF膜的低吸湿化

• 工藤宽，淡路直树*，筱原理华，武石俊作，星野雅孝，山田雅雄
• 富士通（株）工艺开发部，*ULSI研究部
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26a-ZB-10

12.高介质电极材料的TDS评价

• 芦田裕，中林正明，记村隆章，森治久
• 富士通（株）
• 第56回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26a-ZG-1

13.用TDS法分析砷（注）素离子注入缺陷

• 齐藤和之，佐藤芳之*，薮本周邦**
• 会津大学，*NTT LSI研，**NTT境界研
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26p-ZP-9

14.钝化膜中氢对Si悬挂键的影响

• 寺田久美，黑川博志，小林淳二，河野博明*，小林和雄**，子蒲哲夫
• 三菱电机（株式会社）材研，*北伊丹制作所，**熊本制作所
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26p-ZV-15

15.表面氢脱离引起的Si上的Al选择CVD反应

li>胜田义彦，小永田忍，坂上弘之，新宫原正三，高萩隆行
• 广岛大学工学部
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）26p-ZV-8

16.通过TDS及SIMS对SiO2膜中的Ar进行定量

• 冢本和芳，松永利之，渡边启一，森田弘洋，山西齐*，吉冈芳明
• 松下电子研究技术部半导体解析组，松下电器产业株式会社生产技术本部薄膜加工研究所
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）27a-C-3

17.Ar+-IBARD法制备的TiOX薄膜的Ar升温解吸特性

• 笹濑雅人，山木孝博*，三宅洁**，鹰野一朗，矶部昭二
• 工学院大学工学部，*日立制作所日立研，**日立制作所电开本
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）27p-ZH-9

18.氢端点Si（100）2×1表面上的Na吸附/解吸和电子态(I)

• 藤本训弘，小嶋薰，本乡昭三，浦野俊夫
• 神户大学工学部
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）27p-ZL-2

19.醇在TEOS/O3常压CVD反应中的添加效应（IV）——在四甲氧基硅烷原料中的添加——

• 池田浩一，前田正彦
• NTT LSI实验室
• 第56回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）28a-PC-9

20.通过氧自由基退火降低Ta2O5薄膜漏电流的效果

• 松井裕一，鸟居和功，糸贺敏彦，饭岛晋平*，大路让*
• 日立中研，*日立半事
• 第56届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1995秋季）28p-PC-3

21.TDS对贴合晶圆的评估-晶圆背面的贡献-

• 高田凉子，冈田千鹤子，近藤英之，龙田次郎，降屋久，新行内隆之
• 三菱材料硅株式会社中央研究所
• 第42回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1995春季）28a-X-2

22.TDS评估贴合晶圆II-贴合界面的贡献-

• 冈田千鹤子，高田凉子，近藤英之，龙田次郎，降屋久，新行内隆之
• 三菱材料硅株式会社中央研究所
• 第42回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1995春季）28a-X-3

23.DCS-WSiX膜中氟，氯含量和TDS分析

• 山崎治，大南信之，谷川真，井口胜次，崎山惠三
• 夏普超大规模集成电路开发研究所
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）29a-K-8

24.使用离子注入法重整有机SOG膜（II）

• 渡边裕之，平濑征基，实泽佳居，水原秀树，青江弘行
• 三洋电机微电子研究所
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）30a-C-1

25.TEOS-O3沉积膜的应力和结构，组成的热变化

• 梅泽华织，土屋宪彦，矢吹宗，藤井修*，大森广文*，松本明治*
• （株）东芝半导体事业本部，*（株）东芝研究开发中心
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）30a-C-10

26.利用SiH4-H2O2基CVD氧化膜形成层间绝缘膜的工艺（2）

• 松浦正纯，西村恒幸*，林出吉生，平山诚，井内敬彰*
• 三菱电机（株）ULSI开发研究所，*菱电半导体（株）
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）30a-C-4

27.使用Polycarbosilane的平坦化

• 小林伦子，福山俊一，中田义弘
• （株）富士通研究所
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）30a-C-6

28.通过苯酚化合物促进Perhydrosilazane的氧化

• 中田义弘，福山俊一，小林伦子，原田秀树*，大仓嘉之*
• （株）富士通研究所，*富士通（株）
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）30a-C-7

29. 通过TDS分析氢气注入Si基板的氢气脱离行为

• 奥村治树，长谷川刚启，添田房美
• 东丽研究中心
• 第42回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1995春季）30a-H-1

30.等离子体CVD-SiO膜特性的RF频率依赖性

• 河野浩幸，岩崎贤也
• 宫崎冲电气（株）
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）30p-C-13

31.通过TDS检测离子注入杂质（B，P，As）

• 薮本周邦，本间芳和，佐藤芳之*，斋藤和之**
• NTT境界研，*NTT LSI研，**会津大学
• 第42回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1995春季）28a-X-1

32.通过升温脱离法评价玻璃基板上有机分子的行为

• 高桥善和，稻吉溯，斋藤一也，冢原园子，饭岛正行
• 日本真空技术（株）筑波超材料研
• 第42回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1995春季）28a-ZS-4

33.Si晶片表面有机污染物的化学组成

• 高萩隆行，小岛章弘，坂上弘之，新宫原正三，八嶋博*
• 广岛大学工学部，东丽研究
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）29a-PA-14

34.磷酸处理后的GaAs表面的评价

• 林荣治，永井直人，中川善嗣，中山阳一，添田房美
• 东丽研究中心
• 第42回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1995春季）29a-ZN-2

35.CVD-TiN膜氯的脱气特性评价

• 铃木寿哉，井拓哉*，大场隆之，八木春良
• 富士通（株），*富士通VLSI（株）
• 第42回应用物理学相关联讲演会预备稿集（1995春季）29p-K-3

36.HF处理Si表面上的IPA吸附II

• 宫田典幸，小尻英博*，山下良美，冈村茂，久继德重
• （株）富士通研究所，*富士通（株）
• 第42回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1995春季）29p-PA-20

1994：论文・杂志・书籍

1.Thermal Desorption Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of CFx Layer Deposited on Si and SiO₂

• Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui and Jun Kanamori
• VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2.In situ infrared study of chemical state of Si surface in etching solution

• Michio Niwano, Yasuo Kimura and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3.利用升温脱离气体分析法对半导体集成电路材料释放气体进行定量分析

• 平下纪夫，内山泰三*
• 冲电工业（株式会社）超大规模集成电路研究开发中心，*电子科学（株式会社）
• 分析化学，43,757（1994）

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

• E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
• Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
• IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

• Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO₂ Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

• Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.有机物造成的表面污染

• 高萩隆行
• （株）东京研究中心
• Journal of Japan Air Cleaning Association,7,32(1994)

9.Fine Contact Hole Etching in Magneto-Microwave Plasma

• Y.Miyakawa, J.Hashimoto, N.Ikegami, T.Matsui and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10.Determination of Hydrogen Concentration in Austenitic Stainless Steels by Thermal Desorption Spectroscopy

• Masako Mizuno, Hideya Anzai, Takashi Aoyama and Takaya Suzuki
• Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
• Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.以电子材料为中心的TDS解吸气体分析

• 奥村治树，高萩隆行
• （株）东京研究中心表面科学研究部
• THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994：学会要旨

1.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, *Process Technology Center
• Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1994, pp.925-927

2.用TDS法评价CVD成膜（Ba，St）TiO3膜的特性

• 山向干雄，川原孝昭，莳田哲郎，结城昭正，斧高一，上原康*
• 三菱电机（株）半导体基础研究所，*材料设备研究所
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）19p-M-5

3.PECVD SiOF膜的吸湿特性(II)

• 宇佐美隆志，下川公明，吉丸正树
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）20p-ZC-14

4.Perhydrosilazane的成膜机理II

• 大仓嘉之，原田秀树，清水敦男，渡部洁，福山俊一，中岛昭**，高桥美纪**，小松通郎**
• 富士通（株）工艺开发部，*（株）富士通研究所，**催化化成工业（株）精细研究所
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）20p-ZC-7

5.光刻胶热反应行为分析（TDS）

• 佐久间彻夫，池田章彦，吉信达夫*，岩崎裕*
• 旭化成工业（株式会社），*大阪大学产业科学研究所
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）22a-ZB-8

6.Si（100）表面原子平坦度的氢升温解吸光谱

• 中泽日出树，末光真希，金基俊，宫本信雄
• 东北大学电信研究所
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）20a-ZB-5

7.硅表面的氟脱离和氢吸附

• 久保田彻，白石修司，斋藤洋司
• 成蹊大学工学部
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）20p-ZB-10

8.醇加入TEOS/O3常压CVD反应的效果（Ⅲ）——氘代醇的加入——

• 池田浩一，中山谕，前田正彦
• NTT LSI实验室
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）20p-ZC-1

9.等离子体CVD法成膜条件对寄生MOS-Tr.的影响

• 大田裕之，浅田仁志，佐藤幸博，清水敦男，渡部洁
• 富士通（株）
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）20p-ZC-9

10.热氧化膜水的吸湿

• 奥野昌树，片冈祐治，小尻英博*，杉田义博，渡边悟，高崎金刚
• （株）富士通研究所，富士通（株）
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）21p-ZB-15

11.Si（111）表面氧化膜的TDS观察

• 渡部宏治，伊藤文则，平山博之
• NEC微电子研究所
• 第55届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1994秋季）21p-ZB-16

12.TDS对Si表面有机物污染的分析

• 奥村治树，高萩隆行
• 东丽研究中心
• 第41回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1994春季）29a-ZK-11

13.有机SOG的无机化烘烤处理

• 小针英也，冈野进，大桥直史*，根津广树*
• 东京应化工业（株）开发本部，*（株）日立制作所设备开发中心
• 第41回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1994春季）30p-ZW-13

14.聚乙烯有机硅氧烷作为SOG的应用研究

• 足立悦志，足达弘士，西村浩之，南伸太朗，松浦正纯*
• 三菱电气（株）中央研究所，*ULSI开发研究所
• 第41回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1994春季）30p-ZW-14

15.NH3从多层布线通孔中脱离

• 时藤俊一，内田英次，奥野泰幸，伏见公久，酒谷义广，平下纪夫
• 冲电工业超大规模集成电路研发中心，*工艺技术中心
• 第41回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1994春季）30p-ZW-15

16.O3-TEOS绝缘膜的膜质重整質

• 谷川真，土居司，石滨晃，崎山惠三
• 夏普超大规模集成电路开发研究所
• 第41回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1994春季）30p-ZW-2

17.改善O3-TEOS绝缘膜的膜质量

• 小针英也，冈野进，凑光朗
• 东京应化工业（株）开发本部
• 第41回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1994春季）30p-ZW-3

18.PECVD SiOF膜的吸湿特性

• 宇佐美隆志，下川公明，吉丸正树
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 第41回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1994春季）30p-ZW-8

19.通过控制基膜中残留物的化学种类提高TEOS/O3 SiO2膜的嵌入性

• 久保享，广濑和之，本间哲哉，村尾幸信
• NEC ULSI设备开发实验室
• 第41回应用物理学相关联合讲演会预备稿集（1994春季）30p-ZW-4

20.基础对化学镀铜形成针状结晶的影响

• 藤波知之，横井池加子，本间英夫*
• EBARA YUJILT（株），*关东学院大学工学部
• 表面技术协会第90届讲演大会要旨集，168，（1994）5C-19

1993：论文・杂志・书籍

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

• N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
• NTT LSI Laboratories
• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

• Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

• Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
• NTT LSI Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

• Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

• Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

• N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

• H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
• Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
• J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8.CVD氧化膜的吸湿过程和水的脱离机构

• 时藤俊一，内田英次，平下纪夫
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 信学技报TECHNICAL REPORT OF IEICE.，SDM93-9，59（1993）

9.Improvement of Water-Induced Hot-Carrier Immunity Degradation Using ECR Plasma-SiO2 with Si-H Bonds

• K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 信学技报TECHNICAL REPORT OF IEICE.，SDM93-39，47（1993）

10.等离子体CVD-SiO2膜的吸湿特性

• 下川公明
• 冲电工业超大规模集成电路开发研究中心
• Semiconductor World月刊（1993.2）

11.绝缘膜吸湿性的各种问题--评价方法和对策

• 小谷秀夫，松浦正纯，林出吉生
• 三菱电气LSI研究所
• Semiconductor World月刊（1993.2）

12.低温退火对TEOS-O3常压CVD NSG膜吸湿性的效果

• 细田幸男，原田秀树，清水敦男，渡部洁，芦田裕
• 富士通基础工艺开发部，开发推进本部
• Semiconductor World月刊（1993.2）

1993：学会要旨

1.利用升温热脱离分析仪对Si晶圆表面的有机物进行评价

• 冈田千鹤子
• 三菱材料株式会社中研
• 第54回分析化学讨论会要旨集（1993.06）

2.通过升温脱离法分析不锈钢中氢的方法的探讨

• 水野昌子，三泽丰，国谷治郎，木田利孝
• （株）日立制作所日立研究所
• 第54回分析化学讨论会要旨集（1993.06）

3.Single Step Gap Filling Technology for Subhalf Micron Metal Spacings on Plasma Enhanced TEOS/O2 Chemical Vapor Deposition System

• Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
• Applied Materials Japan Inc. Technology Center
• Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, pp.510-512

4.Si（100）和（111）表面上SC1氧化膜的升温分解解吸光谱法

• 岩崎裕，中尾基，吉信达夫，内山泰三*
• 大阪大学产业科学研究所，*电子科学（株）
• 第54回应用物理学会学术讲演会予稿集（1993秋）

5.氢端点Si（111）表面上氢的热解吸行为

• 高萩隆行，名古屋浩贵，中川善嗣，永井直人，石谷炯
• 东丽研究中心
• 第54回应用物理学会学术讲演会予稿集（1993秋）

6.用TDS（升温解吸气体分析）评价Al膜

• 针生武德，大野秀树，井上实
• 富士通（株）
• 第54回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）16a-ZR-11

7.高浓度BPSG膜的缺陷析出及其抑制方法（3）-硅烷化处理的效果

• 矢野航作，寺井由佳，杉山龙男，远藤正孝，上田哲也，野村登
• 松下电器半研中心
• 第54届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）16p-ZQ-16

8.热处理等离子体-CVD SiO膜的升温解吸气体分析（TDS）

• 时藤俊一，内田英次，平下纪夫
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 第54届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）16p-ZQ-5

9.TEOS-O3 NSG的基础P-SiO依赖性

• 宇佐美隆志，下川公明，吉丸正树
• 冲电工业超大规模集成电路研究开发中心
• 第54届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）16p-ZQ-7

10.绝缘膜的高温应力

• 星野和弘，菅野幸保
• 索尼超大规模集成电路开发本部
• 第54回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）17p-ZQ-16

11.通过升温脱离气体分析法探讨脱离气体的定量分析法

• 平下纪夫，时藤俊一，内山泰三*，日永康*
• 冲电工业（株式会社）超大规模集成电路研究开发中心，*电子科学（株式会社）
• 第54回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）27a-ZL-8

12.用TDS法研究Si表面的氢

• 高萩隆行，名古屋浩贵，长泽佳克，石谷炯
• 东丽研究中心
• 第54回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）28a-ZD-7

13.被TiN/Ti膜覆盖的通孔的气体排放特性

• 松浦正纯，山口澄夫，林出吉生，古谷秀夫
• 三菱电机LSI实验室
• 第54届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）29a-X-1

14.Perhydrosilazane的成膜机理

• 长嶋隆，原田秀树
• 富士通（株）
• 第54届应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）29a-X-10

15.通过热解离分析评估偏角（111）Si晶圆表面

• 龙田次郎，小林弘之，高桥功，新行内隆之，冈田千鹤子*
• 三菱材料中研，*三菱材料硅
• 第54回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）29a-ZD-10

16.利用升温热脱离分析仪对Si晶圆表面的有机物进行评价

• 冈田千鹤子，森田悦郎，井上文雄，龙田次郎*，新行内隆之*
• 三菱材料硅，*三菱材料中研
• 第54回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）29a-ZD-11

17.接触孔底部Si表面自然氧化膜的TDS观测

• 中森雅治，寺冈有殿*，青砥奈美，青木秀充，西山岩男*，井川英治，吉川公麿
• 日本电气（株）微电光电光研，*光电光电光研
• 第54回应用物理学会学术讲演会预备稿集（1993秋季）17p-ZP-8

1992：论文・杂志・书籍

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

• Norio Hirashita, Masayuki Kobayakawa, Akira Arimatsu, Fumitaka Yokoyama, and Tsuneo Ajioka
• Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.Mechanisms of Surface Reaction in Fluorocarbon Dry Etching of Silicon Dioxide - An Effect of Thermal Excitation

• N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100)

• Y.K.Sun, D.J.Bonser and Thomas Engel
• Department of Chemistry BG-10. University of Washington
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4.Preoxidation Si cleaning and its impact on metal oxide semiconductor characteristics

• S.R.Kasi and M.Liehr
• IBM Research Division, Thomas J.Watson Research Center
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5.硅玻璃中气体的分析方法

• 森本幸裕
• 牛奥电机技术研究所
• 新陶瓷，9，65（1992）

6.TEOS/O3氧化膜中的水分引起的热载体耐性劣化和使用ECR-SiO2膜的劣化抑制方法

• 下山展弘，高桥淳一，町田克之，村濑克实，峰岸一茂*，土屋敏章
• NTT LSI实验室，*NTT电子技术
• 信学技报TECHNICAL REPORT OF IEICE.，SDM92-33，51（1992）

7.MOSFET可靠性劣化的等离子体CVD SiO膜的抑制

• 下川公明，宇佐美隆志，时藤俊一，平下纪夫，吉丸正树
• 冲电工业VLSI研究开发中心
• 信学技报TECHNICAL REPORT OF IEICE.，SDM92-133，89（1992）

8.表面吸附分子分析技术-升温解吸光谱法在ULSI中的应用-

• 岩崎裕
• 大阪大学工业科学研究所
• Larrise公司突破研讨会材料No2，为ULSI制造建立分析评估技术-先进分析评估技术应用于生产线（1992.11）