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1992~1999

1999:論文・雑誌・本

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

  • Norio Hirashita
  • VLSI R&D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd2O2S:Pr Ceramic Scintillators

  • Norio Hirashita
  • VLSI R&D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO2/SiLK resin dielectric based interconnects

  • M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
  • IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
  • J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999:学会要旨

1.二次元相関分光法による昇温脱離分析データの解析

  • 杉田記男,阿部英次,宮林延良*
  • 豊橋技術科学大学,*電子科学
  • 第22回情報化学討論会講演要旨集(1999秋):JP12

2.昇温脱離法によるアルカンチオールSAM膜の吸着状態に関する研究

  • 荒木暢*,盧載根*,原正彦*,**,W.クノール*
  • *理研フロンティア,**東工大総理工
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):2p-Q-8

3.Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

  • J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
  • FRP RIKEN(理研フロンティア)
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):2p-Q-9

4.誘導結合プラズマCVDにより作製したSiO2膜の昇温脱離ガス分析

  • 服部哲也,瀬村滋,福田智恵,赤坂伸宏
  • 住友電工(株)
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):3p-H-1

5.SiN/SiO2膜中水素の熱的挙動

  • 川島義也,劉紫園,川野英夫,平田剛*
  • NECデバイス評価技術研究所,*NEC半導体生産技術本部
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):3p-ZT-16

6.無機CVD-TiN膜中ClによるAl配線腐食のメカニズム

  • 平沢賢斎,中村吉孝,田丸剛,関口敏宏,福田琢也
  • (株)日立製作所デバイス開発センタ
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):3a-ZN-2

7.Co/a-Si:H/c-Siにおけるシリサイド化過程

  • 草村一文,土屋正彦,吉田陽子,曽江久美,本橋光也,本間和明
  • 東京電機大工
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):3a-ZN-6

8.APIMS-TDSによるSiウェーハ表面吸着水分の解析(IV)

  • 森本敏弘,上村賢一
  • 新日本製鉄(株)先端技術研究所
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):3a-ZQ-9

9.真空中S終端処理GaAs(001)表面の昇温脱離過程の解析

  • 塚本史郎,杉山宗弘*,下田正彦,前山智*,渡辺義夫*,大野隆央,小口信行
  • 金材技研,*NTT基礎研
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):4a-ZK-3

10.高フルエンスエキシマレーザ照射によるアモルファスシリコン膜の脱水素挙動

  • 高橋道子,斎藤雅和,鈴木堅吉
  • 日立製作所ディスプレイグループ
  • 第60回応用物理学会学術講演会予稿集(1999秋):4a-ZS-4

11.PDP用MgO膜の蒸着時酸素分圧とガス吸着特性

  • 沢田隆夫,渡部勁二,福山敬二,大平卓也,衣川勝
  • 三菱電機 先端総研
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):28p-M-4

12.昇温脱離スペクトルにおける試料端低温部分の補正

  • 尾高憲二
  • (株)日立製作所 機械研究所
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-R-7

13.ジフルオロパラキシレンを用いた有機系低誘電率膜の特性

  • 室山雅和,森山一郎
  • ソニー(株) S.C.プロセス開発部
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-ZQ-14

14.フッ素化アモルファスカーボン膜の層間絶縁膜適合プロセス

  • 小関勝成,有賀美智雄
  • アプライドマテリアルズジャパン(株)
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-ZQ-19

15.フッ素化アモルファスカーボン膜の層間膜への適用評価

  • 松井孝幸,岸本光司,松原義久,井口学,堀内忠彦,遠藤和彦*,辰巳徹*,五味英樹
  • 日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所,*シリコンシステム研究所
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-ZQ-20

16.SiO2/Siにおける水素挙動の分析

  • 劉紫園,川島義也,川野英男,浜田耕治*,浜嶋智宏*
  • NEC デバ評価研,NEC UL デバ開研*
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):29p-ZS-14

17.昇温脱離法による非対称ジアルキルジスルフィド自己組織化単分子膜の吸着状態に関する研究

  • 荒木暢*,亀井宏二**,藤田克彦*,原正彦*,**,W.クノール*
  • 理研フロンティア*,東工大総理工**
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-X-17

18.非対称ジアルキルジスルフィドを用いた自己組織化単分子膜の成長過程に関する研究

  • 亀井宏二*,藤田克彦**,荒木暢**,原正彦*,**,雀部博之**,W.クノール**
  • 東工大総理工*,理研フロンティア**
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-X-18

19.Destructive Adsorption and Phase Separation of Asymmetric Disulfide SAMs on AU(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy

  • J.NOH,M.HARA,H.SASABE and W.KNOLL
  • FRP, RIKEN
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-X-19

20.水素イオン注入基板剥離法におけるウェハ直接接合工程の検討

  • 山内庄一,松井正樹,大島久純
  • デンソー基礎研
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):31a-ZP-2

21.水素終端Si表面における湿式処理時の終端水素の化学反応挙動

  • 永田陽一,藤原新也,坂上弘之,新宮原正三,高萩隆行
  • 広島大学・工学部
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):28a-ZT-4

22.Si(100)表面上Pの昇温脱離スペクトルの測定

  • 広瀬文彦,坂本仁志
  • 三菱重工基盤研
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):28p-ZT-11

23.ECRプラズマCVD法により作成した硬質炭素膜の熱分解挙動

  • 丸山一則,曽谷朋子,佐藤英樹
  • 長岡技術科学大学 工
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):29a-M-2

24.真空表面における水素の挙動 序論

  • 塚原園子
  • 日本真空技術 筑波超材研
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):29a-ZH-1

25.鋼中の水素の存在状態と格子欠陥

  • 南雲道彦
  • 早稲田大学 理工学部 物質開発工学科
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):29a-ZH-2

26.ダイヤモンド表面での水素の挙動

  • 川原田洋
  • 早稲田大学 理工学部,CREST
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):29a-ZH-6

27.APIMS-TDSによるSiウェハ表面吸着水分の解析(III)

  • 森本俊弘,上村賢一
  • 新日本製鉄(株) 先端技術研究所
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):29a-ZT-4

28.8インチウェーハ用昇温脱離測定装置によるSiO2膜の評価

  • 稲吉さかえ,塚原園子,斎藤一也,星野洋一*,原康博*
  • 日本真空技術(株) 筑波超材研,*日本真空技術(株) 超高(事)
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):29a-ZT-5

29.ダイヤモンドC(111)上のNOレーザー光刺激脱離

  • 山田太郎*,関元**,荘東榮***
  • *早大材研,**IBMアルマデン研,***台湾中科院原子分子研
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30a-L-3

30.チタニウムの平滑加工による表面酸化層とガス放出特性

  • 石川一政,水野善之,岡田隆弘,本間禎一
  • 千葉工業大学
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-R-2

31.シラザン結合を有する低誘電率SOG膜の特性

  • 田代裕治,櫻井貴昭,清水泰雄
  • 東燃(株)
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-ZQ-6

32.エチレン基含有シリカ膜のXeF2アニール

  • 佐野泰之*,菅原聡,宇佐美浩一,服部健雄*,松村正清
  • 東京工業大学 工学部,*武蔵工業大学 工学部
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):30p-ZQ-7

33.Ni/a-Si:H積層膜における界面反応とシリサイド化過程(II)

  • 吉田陽子,曽江久美,本橋光也,本間和明
  • 東京電機大工
  • 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集(1999春):31a-ZQ-6

34.SIMS及びTDSによるa-Si:H中H濃度の評価

  • 三上朗,鈴木崇之
  • 三洋電気(株)ニューマテリアル研究所
  • Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

  • Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
  • Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998:論文・雑誌・本

1.TG-MSによるセラミック薄膜および粉体の形成過程の解明

  • 澤田豊, 西出利一*, 松下純一**
  • 東京工芸大学工学部, *日本大学工学部, **東海大学工学部
  • J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,289(1998)

2.材料研究におけるTPD-MS(Temperature Programmed Desorption or Decomposition Mass-Spectrumetry)の応用

  • 朝比奈均, 谷口金二
  • 三菱化学(株)筑波研究所
  • J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

  • H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
  • J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

  • H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
  • VLSI R&D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

  • Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
  • Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
  • Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6.冷間伸線加工した純鉄および共析鋼の昇温脱離法による水素吸蔵特性評価

  • 高井健一*1, 山内五郎*1, 中村真理子*2, 南雲道彦*2
  • *1)日本電信電話株式会社技術協力センタ *2)早稲田大学理工学部
  • 日本金属学会誌, 62, 3, 267-275(1998)

1998:学会要旨

1.メソポーラスアルミノシリケートへの銅イオン交換とその特性

  • 寺岡靖剛, 高橋基信, 瀬戸口由加子, 朝長成之*, 安武昭典*, 泉順*, 森口勇, 鹿川修一
  • 長崎大工, *三菱重工
  • 第81回触媒討論会 討論会A予稿集,113(1998.3):2P55

2.二酸化チタン粉末表面へのNO吸着と昇温脱離

  • Wang Yang, 柳沢保徳
  • 奈良教大
  • 第81回触媒討論会 討論会A予稿集,115(1998.3):2P57

3.NH3-TPDスペクトルから得られる吸着エンタルピーと脱離の活性化エネルギー分布の比較

  • 増田隆夫, 藤方恒博, 橋本健治
  • 京大院工
  • 第81回触媒討論会 討論会A予稿集,24(1998.3):1P24

4.シリカ上での光オレフィンメタセシス反応の活性種

  • 田中庸裕, 松尾繁展, 竹中壮, 吉田寿雄*, 船引卓三, 吉田郷弘
  • 京大院工, *名大院工
  • 第81回触媒討論会 討論会A予稿集,34(1998.3):1P34

5.チタン酸ストロンチウム系ペロブスカイト型酸化物のNO直接分解活性

  • 横井泰治, 内田洋
  • 東京ガス基礎研
  • 第81回触媒討論会 討論会A予稿集,40(1998.3):1P40

6.Pt/HZSM-5によるチオフェンの水素化脱硫反応

  • 黒坂忠弘, 杉岡正敏
  • 室蘭工大
  • 第81回触媒討論会 討論会A予稿集,51(1998.3):1P51

7.チタニア担持ゼオライト触媒によるNOxの還元

  • 岩戸弘, 古南博, 橋本圭司*, 計良善也
  • 近大理工, *阪市工研
  • 第81回触媒討論会 討論会A予稿集,53(1998.3):1P53

8.銅イオン交換ゼオライト上のNOx型吸着種の分解機構

  • 小野博信, 奥村耕平, 下川部雅英, 竹澤暢恒
  • 北大院工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,131(1998.9):3D425

9.CH4-SCRに活性なPdゼオライト中のPd種の検討

  • 小倉賢, 鹿毛晋, 菊地英一
  • 早大理工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,132(1998.9):3D426

10.銀アルミナ触媒上のNOx選択還元反応におけるチタン処理効果

  • 後藤一郎, 山口真, 王正明, 熊谷幹郎
  • (財)産業創造研
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,134(1998.9):3D428

11.パルス法を用いた担持Ph触媒上でのN2O分解反応

  • 青柳健司, 湯崎浩一, 上塚洋, 伊藤伸一, 国森公夫
  • 筑波大物資工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,147(1998.9):4D414

12.固溶体Co-MgO触媒上でのN2O分解反応におけるO2脱離機構

  • 押原健三, 秋鹿研一*
  • 山口東京理大基礎工, *東工大総理工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,148(1998.9):4D415

13.チタン酸ストロンチウム粉末へのNO及びCO吸着・昇温脱離

  • 江戸暢子, 稲生加奈子, 徳留志穂, 柳澤保徳
  • 奈良教大
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,2(1998.9):1P202

14.Ni(110)上に吸着したカルボン酸の分解反応

  • 山片啓, 久保田純, 野村淳子, 広瀬千秋, 堂面一成, 若林文高*
  • 東工大資源研, *国立科学博物館
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,207(1998.9):3D601

15.金雲母触媒によるアルコールの脱水素反応

  • 橋本圭司, 東海直治
  • 阪市工研
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,21(1998.9):1P222

16.Al, Zn, Cd塩を添加したFSM-16を触媒とした気相ベックマン転位-触媒の酸・塩基性,活性劣及び生成物選択性-

  • 正路大輔, 中島剛
  • 信州大工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,22(1998.9):1P223

17.様々な金属酸化物上の酸化タングステンモノレイヤー触媒の表面構造と酸性質

  • 内藤宣博, 片田直伸, 丹羽幹
  • 鳥取大工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,233(1998.9):4D603

18.Co2(CO)8を用いたCo/Al2O3固定化触媒表面の複合設計と触媒特性の研究

  • 高村公啓, 紫藤貴文, 朝倉清高, 岩澤康裕
  • 東大院理
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,237(1998.9):4D607

19.Ga-MCM-41の構造と酸性質

  • 奥村和, 西垣亨一, 丹羽幹
  • 鳥取大工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,254(1998.9):3D702

20.ピラー導入量の異なるアルミナ架橋マイカの調整とその酸性質

  • 北林茂明, 鎌田有希子, 進藤隆世志, 小沢泉太郎
  • 秋田大工資
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,262(1998.9):3D710

21.SO4(2-)-ZrO2 catalysts for isomerization of n-butane. Study of deactivation process and characterization of coke deposits

  • C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
  • National Institute for Resources and Environment (Japan), *INCAPE (Argentina)
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,273(1998.9):3D721

22.水蒸気処理アンモニア昇温脱離法によるフェロシリケートの酸性質測定

  • 宮本哲夫, 片田直伸, 丹羽幹, 松本明彦*, 堤和男*
  • 鳥取大工, *豊橋技科大
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,298(1998.9):4D721

23.ペロブスカイト型酸化物触媒のNO直接分解活性と電子状態の関連

  • 横井泰治, 安田勇, 内田洋, *岡田治, **中村泰久, ***川崎春次
  • 東京ガス, *大阪ガス, **東邦ガス, ***西部ガス
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,323(1998.9):3D824

24.ジルコニア担持硫酸根モノレイヤー固体超強酸触媒のフリーデルクラフツ反応に対する活性

  • 安信直子, 遠藤純一, 片田直伸, 丹羽幹
  • 鳥取大工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,343(1998.9):4D819

25.CFC分解用リン酸アルミニウム系触媒の開発(5)

  • 二宮麻衣子, 若松広憲, 西口宏泰, 石原達己, 滝田祐作
  • 大分大工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,35(1998.9):2P205

26.V,W置換型12-モリブドリン酸触媒の還元

  • 森田トヨ子, 上田渉*, 秋鹿研一
  • 東工大総理工, *山口東理大基礎工
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,5(1998.9):1P205

27.吸着NO2/金属酸化物上でのプロペンの部分酸化反応

  • 上田厚, 小林哲彦
  • 大工研
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,71(1998.9):3D317

28.Pd複合蒸着薄膜によるメタノール分解反応の検討

  • 佐々木基, 伊藤建彦, 浜田秀昭
  • 工技院物資研
  • 第82回触媒討論会 A講演予稿集,9(1998.9):1P209

29.固定化Co(II)/Al2O3触媒上のNO-CO反応における新機構

  • 山口有朋, 紫藤貴文, 朝倉清高, 岩澤康裕
  • 東京大学大学院理学系
  • 第82回触媒討論会 B講演予稿集,360(1998.9):1D105

30.酸化スズ担持酸化モリブデン薄層上に生成する固体酸点のメタノール酸化反応における触媒作用

  • 丹羽幹, 五十嵐淳也, 片田直伸
  • 鳥取大学工学部
  • 第82回触媒討論会 B講演予稿集,442(1998.9):1D206

31.二酸化炭素によるメタンからのエタンとエチレンの生成反応

  • 王野, 高橋喜元, 大塚康夫
  • 東北大学反応化学研究所
  • 第82回触媒討論会 B講演予稿集,458(1998.9):1D211

32.単独酸化物担持Pd触媒を用いた低温メタン燃焼

  • Widjaja Hardiyanto, 関澤好史, 江口浩一
  • 九州大学大学院総合理工学研究科
  • 第82回触媒討論会 B講演予稿集,466(1998.9):1D213

33.固体酸としてのFSM-16の触媒特性

  • 山本孝, 田中庸裕, 船引卓三, 吉田郷弘
  • 京都大学大学院工学研究科
  • 第82回触媒討論会 B講演予稿集,494(1998.9):2D207

34.微結晶シリコンにおける粒界欠陥の異方性

  • 近藤道雄, 府川真, 郭里輝, 松田彰久
  • 電総研・薄膜シリコン系太陽電池スーパーラボ
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):15a-ZC-10

35.酸化膜エッチングにおけるCH2F2添加効果

  • 新村忠, 大宮可容子, 金田直也*, 松下貴哉*
  • (株)東芝 生産技術研究所, *(株)東芝 半導体生産技術推進センター
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):15a-C-5

36.蛍光膜の吸着ガス特性への大気中及び真空中加熱の影響

  • 山根未有希, 平沢重実*, 小関悦弘**
  • (株)日立製作所 機械研究所, *(株)日立製作所 家電・情報メディア事業本部, **日立デバイスエンジニアリング(株)
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):15p-M-5

37.Ni/a-Si:H積層膜における界面反応とシリサイド化過程(I)

  • 吉田陽子, 茂木梓, 曽江久美, 本橋光也, 本間和明
  • 東京電機大工
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):15p-ZL-16

38.ダイヤモンドC(001)表面でのトリ-n-ブチルフォスフィンの表面反応素過程

  • 西森年彦, 坂本仁志, 高桑雄二*,**
  • 三菱重工業・基盤研, *東北大・科研, **科技団さきがけ
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):16p-N-6

39.水素処理Ge添加SiO2ガラスにおける水素放出の温度依存性

  • 笠原敏明, 藤巻真, 大木義路, 加藤真基重*, 森下裕一*
  • 早稲田大学, *昭和電線
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):16p-P13-7

40.半導体層間膜プロセス開発のための吸湿特性評価法の開発

  • 大嶽敦, 小林金也, 伊藤文俊*, 高松朗*
  • (株)日立製作所 日立研究所, *(株)日立製作所 半導体事業部
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):17a-ZG-1

41.低誘電率・低吸湿性有機SOG膜の作成

  • 山田紀子, 高橋徹
  • 新日鉄(株) 先端技研
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):17p-ZG-3

42.低誘電率多孔質SOG膜の特性

  • 荒尾弘樹, 藤内篤, 江上美紀, 村口良, 井上一昭, 中島昭, 小松通郎
  • 触媒化成工業(株)
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):17p-ZG-4

43.高濃度フェニル基含有シリカ膜の評価

  • 佐野泰之*, 宇佐美浩一, 菅原聡, 服部建雄*, 松村正清
  • 東京工業大学 工学部, *武蔵工業大学 工学部
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):17p-ZG-9

44.Arイオン注入Siの昇温脱離信号と非晶質Si内Ar分布変化との関係

  • 中田穣治, 薮本周邦*
  • NTT 基礎研究所, *NTT-AT
  • 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1998秋):18a-ZL-4

45.極微細ホール内の表面反応

  • 金森順, 池上尚克, 平下紀夫
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センター
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):29a-ZR-2

46.全芳香族ポリエーテル系高分子層間絶縁膜

  • 北孝平
  • 旭化成工業 基礎研究所
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):30p-M-4

47.シリコンウェーハ表面の有機物の吸着・脱離挙動

  • 嵯峨幸一郎, 服部毅
  • ソニー(株) セミコンダクターカンパニー 超LSi研究所
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):28p-PB-6

48.APIMS-TDSによるウェハ表面吸着水分の解析

  • 森本敏弘, 上村賢一
  • 新日本製鐵(株) 先端技術研究所
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):28p-PB-7

49.ウェーハ表面吸着有機物の吸脱着挙動

  • 白水好美, 田中傑, 北島洋, 名取巌*
  • 日本電気(株), 日立東京エレクトロニクス
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):28p-PB-8

50.MOCVD-BSTに対するアニールの効果

  • 上田路人, 大塚隆, 森田清之
  • 松下電器産業(株) 中央研究所
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):28p-ZF-9

51.アセチレン吸着Si(100)表面からの水素脱離

  • 中澤日出樹, 末光眞希
  • 東北大学 電気通信研究所
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):29a-YG-11

52.Si表面におけるSi水素化物の吸着と水素脱離過程

  • 末光眞希
  • 東北大学 電気通信研究所
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):29a-ZR-5

53.超高真空材料の表面処理への精密化学研磨適用

  • 稲吉さかえ, 斉藤一也, 佐藤幸恵, 塚原園子, 石澤克修*, 野村健*, 嶋田晃久*, 金澤実**
  • 日本真空技術(株), *三愛石油(株), **三愛プラント工業(株)
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):29p-X-10

54.ステンレス鋼表面における水昇温脱離特性

  • 田中智成, 竹内協子, 辻泰
  • (株)アルバック・コーポレートセンター
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):29p-X-5

55.Si薄膜で被膜したステンレス鋼の低ガス放出特性

  • 稲吉さかえ, 佐藤幸恵, 塚原園子, 金原粲*
  • 日本真空技術(株), *金沢工大
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):29p-X-7

56.LPD低誘電率有機シリカ膜(II)-各種含有有機基の耐熱性-

  • 小林光男*, 住村和仁, 菅原聡, 服部健雄*, 松村正清
  • 東工大 工学部, *武蔵工大 工学部
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):30a-M-10

57.CO/a-Si:Hにおけるシリサイド形成(I)

  • 古林治, 土屋正彦, 曽江久美, 本橋光也, 本間和明
  • 東京電機大 工学部
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):30a-N-5

58.N2及びNH3中におけるCOシリサイドの形成過程-残留酸素の影響-

  • 堤紀久子, 杉山龍男*, 江藤竜二*, 神前隆**, 小川真一*
  • 松下電子工業(株) マイコン事業部, *松下電子工業(株) プロ開セ, **松下テクノリサーチ(株)
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):30a-N-6

59.H2OプラズマによるHSQ膜劣化抑制アッシングの検討

  • 玉岡英二, 青井信雄, 上田哲也, 山本明広, 真弓周一
  • 松下電器産業(株) プロセス開発センター
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):30p-M-10

60.低誘電率有機層間絶縁膜の高温特性

  • 高相純, 富沢友博, 猪留健, 原徹
  • 法政大学 工学部
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):30p-M-7

61.低誘電率イオン注入有機SOG膜における熱脱離特性

  • 松原直輝, 水原秀樹, 渡辺裕之, 実沢佳居, 井上恭典, 花房寛, 吉年慶一
  • 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
  • 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集(1998春):30p-M-9

1997:論文・雑誌・本

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

  • Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
  • Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

  • Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
  • *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
  • Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

  • G.A. Young and J.R. Scully
  • Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
  • Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

  • Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
  • Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
  • Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

  • Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
  • Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
  • Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

  • Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
  • Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
  • Appl.Catal.A,165,57(1997)

7.基板表面の汚染物の分析法:昇温脱離分析

  • 薮本周邦
  • NTTアドバンステクノロジ
  • 半導体プロセス環境における化学汚染とその対策,リアライズ社,p291

1997:学会要旨

1.TDS,FT-IRによるSi酸化膜の膜質評価

  • 寺田久美, 梅村園子, 寺本章伸*, 小林清輝*, 黒川博志, 馬場文明
  • 三菱電機(株) 先端総研, *UL研
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):2a-D-10

2.PECVD-SiO2ゲート絶縁膜中構造水の低減

  • 湯田克久, 田辺浩, 世良賢二, 奥村藤男
  • NEC 機能エレクトロニクス研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-K-3

3.ヘリウム・水素2段注入シリコンウェーハにおけるblister形成挙動

  • 中嶋健, 高田涼子, 須藤充, 貝沼光浩*, 中井哲弥, 冨澤憲治
  • 三菱マテリアルシリコン(株) 技術本部 開発センター, *三菱マテリアル(株) 総合研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-PB-2

4.TDSによるSmart-Cut挙動の直接観察(2)

  • 高田涼子, 高石和成, 冨澤憲治
  • 三菱マテリアルシリコン(株) 技術本部 開発センター
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-PB-3

5.C49/C54 TiSi2相転移のTDSによるその場観察

  • 田中宏幸, 平下紀夫, 北明夫
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):4a-D-10

6.ECR-CVD SiOF膜からのフッ素の脱離の影響

  • 宇佐見達矢, 五味秀樹
  • NEC ULSIデバイス開発研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):4a-K-5

7.フッ素変性による水素シルセスキオキサンの低誘電率化検討

  • 中田義弘, 福山俊一, 片山倫子, 山口城
  • (株)富士通研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):4p-K-15

8.メチルシラン-H2O2系自己平坦化CVDプロセス

  • 松浦正純, 井内敬彰*, 増田員拓*, 益子洋治
  • 三菱電機(株) ULSI開発研究所, *菱電セミコンダクタ(株)
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):4p-K-2

9.無機多孔質膜SOG材料(HPS)の物性評価

  • 村口良, 中島昭, 小松通郎, 大倉嘉之*, 宮嶋基守*, 原田秀樹**, 福山俊一**
  • 触媒化成工業(株) ファイン研究所, *富士通(株), **(株)富士通研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):4p-K-7

10.蛍光体粉体と水ガラスのガス放出特性

  • 山根美有希, 高橋主人*, 平沢重実**, 小関悦弘***
  • (株)日立製作所 機械研究所, *笠戸工場, **電子デバイス事業部, ***日立デバイスエンジニアリング(株)
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):4p-ZT-8

11.イオン注入したシリコンウェーハ表面への有機物吸着の評価

  • 嵯峨幸一郎, 服部毅
  • ソニー(株) セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-D-2

12.ウェーハBox保管時の酸化防止剤(BHT)のシリコンウェーハへの吸着形態

  • 今井利彦, 水野亨彦, 波多野徹
  • 信越半導体(株) 半導体白河研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-D-4

13.各種洗浄後Si表面へのクリーンルームからの有機物汚染と再洗浄による除去

  • 中森雅治, 青砥なほみ
  • NEC ULSIデバイス開発研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-D-5

14.APIMS-TDSによるSiウェハ表面吸着IPAの解析

  • 森本敏弘, 上村賢一
  • 新日本製鐵(株) 先端技術研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-D-7

15.H+注入によるボイドカットSOI(4)

  • 柿崎恵男, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
  • 法政大学 工学部, *イオン工学研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-PB-4

16.1-MeV H+注入による単結晶Si薄膜の形成

  • 中田穣治, 西岡孝*
  • NTT 基礎研究所, *NTT 光エレクトロニクス研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):3p-ZK-12

17.低誘電率フロロカーボン膜の高温特性

  • 高相純, 富沢友博, 猪留健, 原徹, Yang*, D.Evans*, 柿崎恵三**
  • 法政大学 工学部, *SMT, **シャープULSI研
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):4a-K-8

18.Benzeneを用いたa-C:H膜の特性研究

  • 鄭 他
  • 三星電子(株) 半導体研究所
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):4p-YA-3

19.微細ホール内部残留硫酸成分の純粋電解アノード水リンス

  • 山崎進也, 青木秀充, 青砥なほみ, 二ツ木高志*, 山下幸福*, 山中弘次*
  • NEC ULSIデバイス開発研究所, *オルガノ(株)
  • 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋):5a-D-8

20.ポリメタル配線(VIII)~WNX膜中の窒素の脱離過程~

  • 中嶋一明, 赤坂泰志, 宮野清孝, 高橋護*, 末廣信太郎*, 須黒恭一
  • (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所, *(株)東芝 環境技術研究所
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):28a-PB-14

21.SiH4-H2O2系CVD酸化膜プロセスにおけるNMOS Hot Carrier信頼性評価

  • 久保誠, 八尋和之, 冨田健一
  • (株)東芝 半導体生産技術推進センター
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):28p-F-18

22.トリエトキシシラン(TRIES)を用いたSiO2膜(II)

  • 服部覚, 原田勝可
  • 東亜合成(株) 新材料研究所
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-F-13

23.TDSによるSmart-Cut挙動の直接観察

  • 高田涼子, 高石和成, 冨沢憲治
  • 三菱マテリアルシリコン(株) 技術本部 開発センター
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-G-11

24.乾燥後のウェーハ表面に残留する吸着IPAの評価

  • 嵯峨幸一郎, 岡本彰, 国安仁, 服部毅
  • ソニー(株) セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-D-11

25.メチルシラン-H2O2系自己平坦化CVDプロセス(1)

  • 松浦正純, 増田員拓*, 井内敬彰*, 益子洋治
  • 三菱電機(株) ULSI開発研究所, *菱電セミコンダクタ(株)
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-F-14

26.SiH4/H2O2 CVD酸化膜の成膜特性

  • 吉江徹, 下川公明, 吉丸正樹
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-F-15

27.水素ラジカルを用いた高信頼SiOF膜形成

  • 福田琢也, 佐々木英二*, 細川隆, 小林伸好
  • (株)日立製作所 半導体技術開発センター, *日立超LSIエンジニアリング
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-F-20

28.半導体層間絶縁膜からの水の昇温脱離スペクトル解析

  • 大嶽敦, 小林金也, 加藤聖隆*, 福田琢也*
  • (株)日立製作所 日立研究所, *(株)日立製作所 半導体事業部
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-F-21

29.Non-E.B.ポリシラザンSOGの成膜特性

  • 斎藤政良, 平沢賢斎, 坂井健志, 堀田勝彦*, 加藤聖隆, 高松朗, 小林伸好
  • (株)日立製作所 半導体事業部, *日立マイコン
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-F-5

30.低誘電率HSQ膜特性の構造依存性

  • 後藤欣哉, 北沢良幸*, 松浦正純, 益子洋治
  • 三菱電機(株) ULSI開発研究所, *三菱電機(株) 先端技術総合研究所
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-F-8

31.H+注入によるSi薄膜層の形成

  • 柿崎恵男, 木花岳郎, 大島創太郎, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
  • 法政大学工学部, *イオン工学研究所
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-G-12

32.Si(100)表面へのPH3室温吸着過程

  • 築舘厳和, 末光眞希
  • 東北大学 電気通信研究所
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-ZN-10

33.P被覆Si(100)表面へのSiH4およびSi2H6室温吸着

  • 築舘厳和, 末光眞希
  • 東北大学 電気通信研究所
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-ZN-11

34.Si(100)表面上におけるTeの吸着構造

  • 田宮健一, 大谷卓也, 武田康, 浦野俊夫, 福原隆宏, 金子秀一, 本郷昭三
  • 神戸大 工学部
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-ZN-2

35.Si(100)表面へのCs, D共吸着構造のMDS, TDSによる研究

  • 長谷部弘之, 清水将之, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
  • 神戸大 工学部
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-ZN-4

36.Li, D共吸着Si(100)表面のMDS, TDSによる観測

  • 福原隆宏, 金子秀一, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
  • 神戸大 工学部
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-ZN-5

37.Ba, Dを共吸着させたSi(100)表面からの重水素の脱離機構

  • 小嶋薫, 藤内重良, 本郷昭三, 浦野俊夫
  • 神戸大 工学部
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):29p-ZN-6

38.微細ホール内部の残留硫酸成分

  • 山崎進也, 青木秀充, 西山岩男*, 青砥なほみ
  • NEC ULSIデバイス開発研究所, *NEC マイクロエレクトロニクス研究所
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-D-8

39.SiOF膜中の水分が誘電率に与える影響

  • 上田聡, 菅原岳, 上田哲也, 玉岡英二, 真弓周一
  • 松下電器産業(株) 半導体研究センター
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-F-18

40.電子ビーム照射による水素化シルセスキオキサン無機SOGの膜質改善

  • 楊京俊, 崔東圭, 王時慶, L.フォースター, 中野正
  • アライドシグナル AMM
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):30p-F-2

41.TOF-ESDとFTIRその場観察による金属表面へのCO吸着の研究

  • 上田一之, 伊達正和, 芳村雅満, 白輪地菊雄*, 西沢誠治*
  • 豊田工大(院), 日本分光
  • 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集(1997春):31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

  • Nigel P. Hacker
  • Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
  • The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal & Rasa Industries LSD.

43.HSQ膜特性の構造依存性

  • 松浦正純
  • 三菱電機(株) ULSI開発研究所
  • The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal & Rasa Industries LSD.

1996:論文・雑誌・本

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

  • Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
  • *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
  • Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

  • Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
  • *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
  • Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3.平下紀夫学位論文

  • 平下紀夫
  • 沖電気工業(株) 超LSI開発センター
  • 電気通信大学(1996)

4.Si基板表面吸着物の熱脱離挙動

  • 神保智子, 石川勝彦*, 伊藤雅樹*, 津金賢, 田辺義和, 斎藤由雄, 富岡秀起
  • 日立製作所 デバイス開発センタ, *日立製作所 半導体事業部
  • 信学技報 TECHNNICAL REPORT OF IEICE.,ED96-11,SDM96-11,75(1996)

5.Extreme Trace Analysis for Clean Process of LSI Fabrication

  • Norikuni Yabumoto
  • NTT Advanced Technology Corporation
  • NTT REVIEW,8,70(1996)

6.Thermal Desorption Spectroscopy of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition

  • Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
  • Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
  • Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996:学会要旨

1.Evidence for Asymmetrical Hydrogen Profile in Thin D2O Oxidized SiO2 by SIMS and Modified TDS

  • Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
  • ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
  • Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2.Significant Effect of OH inside Silicon Chemical Oxides on AHF(Anhydrous Hydrofluoric Acid) Etching

  • Kouichi MURAOKA, Iwao KUNISHIMA, Nobuo HAYASAKA and Shin-ichi TAKAGI
  • ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
  • Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3.TDS昇温脱離分析による熱酸化膜中水素評価

  • 寺田久美, 黒川博志, 小林清輝*, 川崎洋司*
  • 三菱電機(株) 先端総研, *UL研
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):7a-H-3

4.残留フッ素による有機物のウェーハ表面への吸着加速

  • 嵯峨幸一郎, 服部毅
  • ソニー(株) セミコンダクターカンパニー 超LSI研究所
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):8a-L-7

5.貼り合わせ界面に及ぼすウェーハ表面吸着物の影響

  • 高田涼子, 大嶋昇, 高石一成, 冨沢憲治, 新行内隆之*
  • 三菱マテリアルシリコン(株) 技術本部 開発センター, *三菱マテリアルシリコン(株)技術本部 プロセス技術部
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):8p-L-6

6.LPCVD-SiN膜の水素に起因するホットキャリア寿命劣化現象(2)

  • 内田英次, 時藤俊一, 渋沢勝彦*, 村上則夫*, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐広*, 平下紀夫
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ, *沖電気工業(株) プロセス技術センタ
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):8p-R-18

7.分子軌道法によるSiOF膜成膜用ガスの分子解離反応解析

  • 大嶽敦, 小林金也, 田子一農, 福田琢也*, 細川隆*, 加藤聖隆*
  • (株)日立製作所 日立研究所, *(株)日立製作所 半導体事業部
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):9a-H-1

8.炭素含有率を変化させた有機SOGの平坦化特性

  • 平沢賢斎, 斎藤政良, 加藤聖隆
  • (株)日立製作所 半導体事業部
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):9a-H-20

9.(C2H5O)3SiF/(C2H5O)3SiHを用いたPECVD法によるSiOF膜の成膜特性

  • 鬼頭英至, 室山雅和, 佐々木正義
  • ソニー(株) セミコンダクターカンパニー 第1LSI部門
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):9a-H-5

10.弗素添加SiO膜の吸湿機構の検討

  • 室山雅和, 芳賀豊, 佐々木正義
  • ソニー(株) S.C.第1LSI部門
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):9a-H-9

11.Siウェーハ表面の付着有機物観察

  • 松尾千鶴子, 高石一成, 冨沢憲治, 新行内隆之*
  • 三菱マテリアルシリコン(株) 技術本部 開発センター, *三菱マテリアルシリコン(株) 技術本部 プロセス技術部
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):9a-L-8

12.Pd/a-Si:H/c-Si積層膜におけるシリサイド化過程(1)

  • 安藤伸一, 古林治, 安達久美, 本橋光也, 本間和明
  • 東京電機大 工学部
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):7p-N-18

13.Si(100)表面からの高次水素脱離過程

  • 中澤日出樹, 末光眞希, 宮本信雄*
  • 東北大学 電気通信研究所, *東北学院大学 工学部
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):8p-W-12

14.Cs, D共吸着Si(100)表面のMDSによる観測

  • 長谷部弘之, 福原隆宏, 小嶋薫, 清水将之, 本郷昭三, 浦野俊夫
  • 神戸大学 工学部
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):8p-W-13

15.ターシャリブチルホスフィンのSi(001)表面上での分解過程のHREELSによる研究

  • 金田源太, 眞田則明, 福田安生
  • 静岡大学 電子研
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):8p-W-17

16.電子ビームキュアを行った有機SOG膜のキャラクタリゼーション

  • 崔東圭, J.ケネディ, L.フォースター, 中野正
  • アライドシグナル AMM
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):9p-H-17

17.TD-APIMSによるイオン注入欠陥への水素トラップの観察

  • 薮本周邦, 佐藤芳之*, 斎藤和之**
  • NTT 境界研, *NTT LSI研, **会津大学
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):9p-L-1

18.H+注入によるボイドカットSOI(2)

  • 柿崎恵男, 木花岳郎, 大島創太郎, 北村平, 原徹
  • 法政大学 工学部
  • 第57回応用物理学会学術講演会予稿集(1996秋):9p-P-2

19.SiH4/CF4ガスを用いたバイアスECR-CVD SiOF膜の特性

  • 宇佐美達矢, 石川拓, 本間哲哉
  • NEC ULSIデバイス開発研究所
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):26a-N-10

20.低誘電率PTFE薄膜の評価

  • 長谷川利昭, 松澤伸行*, 門村新吾, 青山純一
  • ソニー(株) 超LSI研究所, *中央研究所
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):26a-N-2

21.Hydrogen Silsesquioxane(HSQ)の誘電率評価

  • 宮永隆史, 佐々木直人, 亀岡克也, 森山一郎, 佐々木正義
  • ソニー(株) セミコンダクタカンパニー 第一LSI部門
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):26a-N-6

22.イオン注入法を用いた有機SOG膜の改質(V)

  • 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行, 豆野和延
  • 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):26a-N-7

23.LPCVD-SiN膜の水素に起因するホットキャリア寿命劣化現象

  • 時藤俊一, 渋沢勝彦, 村上則夫*, 内田英次, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐広*, 平下紀夫
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ, プロセス技術センタ
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):27p-E-4

24.プラスチックボックスから放出する有機添加剤のウェーハ表面への吸着機構

  • 嵯峨幸一郎, 古谷田作夫, 服部毅
  • ソニー(株) セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):27p-F-12

25.無水HFガスによるin-situ自然酸化膜エッチング機構

  • 村岡浩一, 國島巌, 早坂伸夫, 高木信一, 鳥海明
  • (株)東芝 ULSI研究所
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):28a-K-3

26.Bias ECR CVD SiO膜の放出ガスのW Plugプロセスに与える影響

  • 芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
  • ソニー(株) セミコンダクタカンパニー 第1LSI部門
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):29p-N-8

27.テトラメチルチラン/酸素ラジカル反応による低誘電率絶縁膜の形成

  • 奈良明子, 伊藤仁
  • (株)東芝 ULSI研究所
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):26a-N-1

28.グラファイト表面に吸着した酸素の昇温脱離

  • 吉田巌, 杉田利男*, 野口峰男*
  • 東京理科大 基礎工, *工学部
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):26a-PA-12

29.a-Si:H膜構造の微結晶化過程による評価(III)

  • 中島郷子, 大嶋孝文, 本橋光也, 本間和明
  • 東京電機大 工学部
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):26a-TC-10

30.SiOF膜における吸湿性の検討

  • 篠原理華, 工藤寛, 武石俊作, 山田雅雄
  • 富士通(株) プロセス開発部
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):26p-N-12

31.酸素イオン注入Si基板からのSiOの脱離

  • 石川由加里, 柴田典義
  • ファインセラミックスセンター
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):27p-P-9

32.昇温脱離法による純チタンの真空特性評価

  • 穐谷修二, 本間禎一
  • 千葉工業大学
  • 第43回応用物理学関係連合講演会予稿集(1996春):28p-ZL-3

1995:論文・雑誌・本

1.The distribution of activation energy for hydrogen desorption over silica-supported nickel catalysts determined from temperature-programmed desorption spectra

  • Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, *Takao Masuda, *Kenji Hashimoto
  • Institute for Chemical Reaction Science, Tohoku University, *Depertment of Chemical Engineering, Kyoto University
  • Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.昇温脱離分析のシリコン表面評価への応用

  • 薮本周邦
  • NTTアドバンステクノロジ
  • 表面技術,46,47(1995)

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

  • Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
  • VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

  • S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
  • VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
  • Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

  • N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
  • VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

  • Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
  • ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
  • J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7.シリコンウェーハ表面の分析評価技術:ウェーハ上の吸着分子の分析評価技術

  • 薮本周邦
  • NTTアドバンステクノロジ
  • シリコンウェーハ表面のクリーン化技術 別冊,リアライズ社,p101

1995年:学会要旨

1.ヘリコン波プラズマCVDによるSiOF膜の膜質評価

  • 芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
  • ソニー(株) セミコンダクターカンパニー 第一LSI部門
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26a-ZB-3

2.低誘電率表面保護膜に及ぼす吸湿の影響

  • 足立悦志, 足達廣士, 武藤浩隆, 藤井治久
  • 三菱電機(株) 中央研究所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26a-ZB-6

3.プラズマ酸化膜の水分透過抑制機構の検討

  • 内田博章, 時藤俊一*, 酒谷義広, 平下紀夫*
  • 沖電気工業(株) プロセス技術センタ, *超LSI研究開発センタ
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26a-ZB-9

4.電極界面近傍におけるCVD-BST膜の特性

  • 山向幹雄, 川原孝昭, 中畑匠, 結城昭正, 斧高一
  • 三菱電機(株) 半導体基礎研究所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26a-ZG-7

5.高誘電率材料(Ba, Sr)TiO3膜の形成と界面制御

  • 結城昭正
  • 三菱電機(株) 半導体基礎研究所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26p-W-6

6.TiCl4を用いたCVD TiN膜の塩素含有量と膜質

  • 川島淳志, 宮本孝章, 門村新吾, 青山純一
  • ソニー(株) セミコンダクターカンパニー 超LSI研究所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):27a-PB-8

7.高温成膜O3-TEOS NSG膜の評価

  • 味沢治彦, 斉藤正樹, 森山一郎, 佐々木正義
  • ソニー(株) セミコンダクターカンパニー 第一LSI部門
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):28a-PC-11

8.水素化シルセスキオキサンSOGの層間絶縁膜としての特性

  • 小柳賢一, 岸本光司, 本間哲哉
  • 日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):28a-PC-2

9.イオン注入法を用いた有機SOG膜の改質(IV)

  • 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行
  • 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):28a-PC-4

10.H2O添加スパッタ法で形成したアモルファスITO膜の熱処理による構造変化

  • 西村悦子, 安藤正彦, 鬼沢賢一, 峯村哲郎, 高畠勝*
  • (株)日立製作所 日立研, *電子デバイス事業部
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):28a-ZH-8

11.密度制御によるSiOF膜の低吸湿化

  • 工藤寛, 淡路直樹*, 篠原理華, 武石俊作, 星野雅孝, 山田雅雄
  • 富士通(株) プロセス開発部, *ULSI研究部
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26a-ZB-10

12.高誘電体用電極材料のTDS評価

  • 芦田裕, 中林正明, 記村隆章, 森治久
  • 富士通(株)
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26a-ZG-1

13.TDS法によるヒ(注)素イオン注入欠陥の解析

  • 斉藤和之, 佐藤芳之*, 本間芳和**, 薮本周邦**
  • 会津大学, *NTT LSI研, **NTT 境界研
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26p-ZP-9

14.パッシベーション膜中水素のSiダングリングボンドに与える影響

  • 寺田久美, 黒川博志, 小林淳二, 河野博明*, 小林和雄**, 子蒲哲夫
  • 三菱電機(株) 材研, *北伊丹製作所, **熊本製作所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26p-ZV-15

15.表面水素脱離に誘起されたSi上へのAl選択CVD反応

  • 勝田義彦, 小永田忍, 坂上弘之, 新宮原正三, 高萩隆行
  • 広島大学 工学部
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):26p-ZV-8

16.TDS及びSIMSによるSiO2膜中のArに関する定量

  • 塚本和芳, 松永利之, 渡辺啓一, 森田弘洋, 山西斉*, 吉岡芳明
  • (株)松下テクノリサーチ 技術部 半導体解析グループ, *松下電器産業(株)生産技術本部 薄膜加工研究所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):27a-C-3

17.Ar+-IBARD法により作成したTiOX薄膜のAr昇温脱離特性

  • 笹瀬雅人, 山木孝博*, 三宅潔**, 鷹野一朗, 磯部昭二
  • 工学院大学 工学部, *日立製作所 日立研, **日立製作所 電開本
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):27p-ZH-9

18.水素終端Si(100)2×1表面でのNaの吸着・脱離と電子状態(I)

  • 藤本訓弘, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
  • 神戸大学 工学部
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):27p-ZL-2

19.TEOS/O3常圧CVD反応へのアルコール添加効果(IV)-テトラメトキシシラン原料への添加-

  • 池田浩一, 前田正彦
  • NTT LSI研究所
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):28a-PC-9

20.酸素ラジカルアニールによるTa2O5薄膜のリーク電流低減効果

  • 松井裕一, 鳥居和功, 糸賀敏彦, 飯島晋平*, 大路譲*
  • 日立中研, *日立半事
  • 第56回応用物理学会学術講演会予稿集(1995秋):28p-PC-3

21.TDSによる貼り合わせウェーハの評価 -ウェーハ裏面からの寄与-

  • 高田涼子, 岡田千鶴子, 近藤英之, 龍田次郎, 降屋久, 新行内隆之
  • 三菱マテリアルシリコン(株) 中央研究所
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):28a-X-2

22.TDSによる貼り合わせウェーハの評価 II -貼り合わせ界面からの寄与-

  • 岡田千鶴子, 高田涼子, 近藤英之, 龍田次郎, 降屋久, 新行内隆之
  • 三菱マテリアルシリコン(株) 中央研究所
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):28a-X-3

23.DCS-WSiX膜中のフッ素,塩素含有量とTDS分析

  • 山崎治, 大南信之, 谷川真, 井口勝次, 崎山恵三
  • シャープ(株) 超LSI開発研究所
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):29a-K-8

24.イオン注入法を用いた有機SOG膜の改質(II)

  • 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行
  • 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):30a-C-1

25.TEOS-O3堆積膜の応力と構造・組成の熱変化

  • 梅澤華織, 土屋憲彦, 矢吹宗, 藤井修*, 大森廣文*, 松本明治*
  • (株)東芝 半導体事業本部, *(株)東芝 研究開発センター
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):30a-C-10

26.SiH4-H2O2系CVD酸化膜による層間絶縁膜形成プロセス(2)

  • 松浦正純, 西村恒幸*, 林出吉生, 平山誠, 井内敬彰*
  • 三菱電機(株) ULSI開発研究所, *菱電セミコンダクタ(株)
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):30a-C-4

27.Polycarbosilaneを用いた平坦化

  • 小林倫子, 福山俊一, 中田義弘
  • (株)富士通研究所
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):30a-C-6

28.フェノール化合物によるPerhydrosilazaneの酸化促進

  • 中田義弘, 福山俊一, 小林倫子, 原田秀樹*, 大倉嘉之*
  • (株)富士通研究所, *富士通(株)
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):30a-C-7

29.TDSによる水素注入Si基板からの水素脱離挙動の解析

  • 奥村治樹, 長谷川剛啓, 添田房美
  • 東レリサーチセンター
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):30a-H-1

30.プラズマCVD-SiO膜特性のRF周波数依存性

  • 河野浩幸, 岩崎賢也
  • 宮崎沖電気(株)
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):30p-C-13

31.TDSによるイオン注入不純物(B,P,As)の検出

  • 薮本周邦, 本間芳和, 佐藤芳之*, 斎藤和之**
  • NTT 境界研, *NTT LSI研, **会津大学
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):28a-X-1

32.昇温脱離法によるガラス基板上有機分子の挙動評価

  • 高橋善和, 稲吉さかえ, 斎藤一也, 塚原園子, 飯島正行
  • 日本真空技術(株) 筑波超材料研
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):28a-ZS-4

33.Siウエハ表面の有機汚染物の化学組成

  • 高萩隆行, 小島章弘, 坂上弘之, 新宮原正三, 八嶋博*
  • 広島大学 工学部, 東レリサーチ
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):29a-PA-14

34.リン酸処理後のGaAs表面の評価

  • 林栄治, 永井直人, 中川善嗣, 中山陽一, 添田房美
  • 東レリサーチセンター
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):29a-ZN-2

35.CVD-TiN膜からの塩素の脱ガス特性評価

  • 鈴木寿哉, 坂井拓哉*, 大場隆之, 八木春良
  • 富士通(株), *富士通VLSI(株)
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):29p-K-3

36.HF処理Si表面におけるIPAの吸着 II

  • 宮田典幸, 小尻英博*, 山下良美, 岡村茂, 久継徳重
  • (株)富士通研究所, *富士通(株)
  • 第42回応用物理学関係連合講演会予稿集(1995春):29p-PA-20

1994:論文・雑誌・本

1.Thermal Desorption Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of CFx Layer Deposited on Si and SiO2

  • Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui and Jun Kanamori
  • VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2.In situ infrared study of chemical state of Si surface in etching solution

  • Michio Niwano, Yasuo Kimura and Nobuo Miyamoto
  • Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
  • Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3.昇温脱離ガス分析法による半導体集積回路材料からの放出ガスの定量分析

  • 平下紀夫, 内山泰三*
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センター, *電子科学(株)
  • 分析化学,43,757(1994)

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

  • Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
  • VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

  • E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
  • Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
  • IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

  • Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
  • Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
  • J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO2 Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

  • Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
  • Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
  • J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.有機物による表面汚染

  • 高萩隆行
  • (株)東レリサーチセンター
  • Journal of Japan Air Cleaning Association,7,32(1994)

9.Fine Contact Hole Etching in Magneto-Microwave Plasma

  • Y.Miyakawa, J.Hashimoto, N.Ikegami, T.Matsui and J.Kanamori
  • VLSI R&D Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10.Determination of Hydrogen Concentration in Austenitic Stainless Steels by Thermal Desorption Spectroscopy

  • Masako Mizuno, Hideya Anzai, Takashi Aoyama and Takaya Suzuki
  • Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
  • Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.TDSによる脱離ガス分析-電子材料を中心として-

  • 奥村治樹, 高萩隆行
  • (株)東レリサーチセンター 表面科学研究部
  • THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994:学会要旨

1.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

  • S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
  • VLSI Research and Development Center, *Process Technology Center
  • Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1994, pp.925-927

2.TDS法によるCVD成膜(Ba, St)TiO3膜の特性評価

  • 山向幹雄, 川原孝昭, 蒔田哲郎, 結城昭正, 斧高一, 上原康*
  • 三菱電機(株) 半導体基礎研究所, *材料デバイス研究所
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):19p-M-5

3.PECVD SiOF膜の吸湿特性(II)

  • 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):20p-ZC-14

4.Perhydrosilazaneの成膜メカニズム II

  • 大倉嘉之, 原田秀樹, 清水敦男, 渡部潔, 福山俊一*, 中島昭**, 高橋美紀**, 小松通郎**
  • 富士通(株) プロセス開発部, *(株)富士通研究所, **触媒化成工業(株) ファイン研究所
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):20p-ZC-7

5.昇温脱離分光法(TDS)を用いたフォトレジストの熱反応挙動の解析

  • 佐久間徹夫, 池田章彦, 吉信達夫*, 岩崎裕*
  • 旭化成工業(株), *大阪大学 産業科学研究所
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):22a-ZB-8

6.水素昇温脱離スペクトルによるSi(100)表面原子的平坦度評価

  • 中澤日出樹, 末光眞希, 金基俊, 宮本信雄
  • 東北大学 電気通信研究所
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):20a-ZB-5

7.シリコン表面におけるフッ素脱離および水素吸着

  • 久保田徹, 白石修司, 斎藤洋司
  • 成蹊大学 工学部
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):20p-ZB-10

8.TEOS/O3常圧CVD反応へのアルコール添加効果(III)-重水素置換アルコールの添加-

  • 池田浩一, 中山諭, 前田正彦
  • NTT LSI研究所
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):20p-ZC-1

9.プラズマCVD法による成膜条件が寄生MOS-Tr.に与える影響

  • 大田裕之, 浅田仁志, 佐藤幸博, 清水敦男, 渡部潔
  • 富士通(株)
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):20p-ZC-9

10.熱酸化膜の水の吸湿

  • 奥野昌樹, 片岡祐治, 小尻英博*, 杉田義博, 渡辺悟, 高崎金剛
  • (株)富士通研究所, 富士通(株)
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):21p-ZB-15

11.Si(111)表面酸化膜のTDS観察

  • 渡部宏治, 伊藤文則, 平山博之
  • NEC マイクロエレクトロニクス研究所
  • 第55回応用物理学会学術講演会予稿集(1994秋):21p-ZB-16

12.TDSによるSi表面有機物汚染の分析

  • 奥村治樹, 高萩隆行
  • 東レリサーチセンター
  • 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春):29a-ZK-11

13.有機SOGの無機化ベーク処理

  • 小針英也, 岡野進, 大橋直史*, 根津広樹*
  • 東京応化工業(株) 開発本部, *(株)日立製作所 デバイス開発センター
  • 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春):30p-ZW-13

14.ポリラダーオルガノシロキサンのSOGとしての応用検討

  • 足立悦志, 足達弘士, 西村浩之, 南伸太朗, 松浦正純*
  • 三菱電気(株) 中央研究所, *ULSI開発研究所
  • 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春):30p-ZW-14

15.多層配線ビアホールからのNH3の脱離

  • 時藤俊一, 内田英次*, 奥野泰幸*, 伏見公久*, 酒谷義広*, 平下紀夫
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ, *プロセス技術センタ
  • 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春):30p-ZW-15

16.O3-TEOS絶縁膜の膜質改質

  • 谷川真, 土居司, 石濱晃, 崎山恵三
  • シャープ(株) 超LSI開発研究所
  • 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春):30p-ZW-2

17.O3-TEOS絶縁膜の膜質改善

  • 小針英也, 岡野進, 湊光朗
  • 東京応化工業(株) 開発本部
  • 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春):30p-ZW-3

18.PECVD SiOF膜の吸湿特性

  • 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
  • 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春):30p-ZW-8

19.下地膜中残留物の化学種制御によるTEOS/O3 SiO2膜の埋め込み性向上

  • 久保享, 廣瀬和之, 本間哲哉, 村尾幸信
  • NEC ULSIデバイス開発研究所
  • 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春):30p-ZW-4

20.無電解銅めっきによる針状結晶形成に及ぼす下地の影響

  • 藤波知之, 横井池加子, 本間英夫*
  • 荏原ユージライト(株), *関東学院大学工学部
  • 表面技術協会 第90回講演大会要旨集,168,(1994):5C-19

1993:論文・雑誌・本

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

  • N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
  • NTT LSI Laboratories
  • IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

  • Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
  • NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
  • J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

  • Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
  • NTT LSI Laboratories
  • J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

  • Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
  • Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
  • Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

  • Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
  • Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
  • Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

  • N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
  • VLSI R&D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

  • H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
  • Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
  • J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8.CVD酸化膜の吸湿過程と水の脱離機構

  • 時藤俊一, 内田英次, 平下紀夫
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
  • 信学技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-9,59(1993)

9.Improvement of Water-Induced Hot-Carrier Immunity Degradation Using ECR Plasma-SiO2 with Si-H Bonds

  • K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
  • NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
  • 信学技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-39,47(1993)

10.プラズマCVD-SiO2膜の吸湿特性

  • 下川公明
  • 沖電気工業(株) 超LSI開発研究センタ
  • 月刊 Semiconductor World (1993.2)

11.絶縁膜の吸湿性を巡る諸問題-評価方法と対策

  • 小谷秀夫, 松浦正純, 林出吉生
  • 三菱電気(株) LSI研究所
  • 月刊 Semiconductor World (1993.2)

12.TEOS-O3常圧CVD NSG膜の吸湿性に対する低温アニールの効果

  • 細田幸男, 原田秀樹, 清水敦男, 渡部潔, 芦田裕
  • 富士通 基礎プロセス開発部, 開発推進本部
  • 月刊 Semiconductor World (1993.2)

1993:学会要旨

1.昇温熱脱離分析装置によるSiウェーハ表面の有機物評価

  • 岡田千鶴子
  • 三菱マテリアル(株) 中研
  • 第54回分析化学討論会要旨集(1993.06)

2.昇温脱離法によるステンレス鋼中水素分析法の検討

  • 水野昌子, 三沢豊, 国谷治郎, 木田利孝
  • (株)日立製作所 日立研究所
  • 第54回分析化学討論会要旨集(1993.06)

3.Single Step Gap Filling Technology for Subhalf Micron Metal Spacings on Plasma Enhanced TEOS/O2 Chemical Vapor Deposition System

  • Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
  • Applied Materials Japan Inc. Technology Center
  • Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, pp.510-512

4.Si(100)及び(111)面上のSC1酸化膜の昇温分解脱離分光法

  • 岩崎裕, 中尾基, 吉信達夫, 内山泰三*
  • 大阪大学 産業科学研究所, *電子科学(株)
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)

5.水素終端Si(111)表面の水素の熱脱離挙動

  • 高萩隆行, 名古屋浩貴, 中川善嗣, 永井直人, 石谷炯
  • 東レリサーチセンター
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)

6.TDS(昇温脱離ガス分析)によるAl膜の評価

  • 針生武徳, 大野秀樹, 井上実
  • 富士通(株)
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):16a-ZR-11

7.高濃度BPSG膜の欠陥析出とその抑制方法(3)-シリル化処理の効果-

  • 矢野航作, 寺井由佳, 杉山龍男, 遠藤正孝, 上田哲也, 野村登
  • 松下電器 半研センター
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):16p-ZQ-16

8.熱処理したプラズマ-CVD SiO膜の昇温脱離ガス分析(TDS)

  • 時藤俊一, 内田英次, 平下紀夫
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):16p-ZQ-5

9.TEOS-O3 NSGの下地P-SiO依存性

  • 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):16p-ZQ-7

10.絶縁膜の高温ストレス

  • 星野和弘, 菅野幸保
  • ソニー(株) 超LSI開発本部
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):17p-ZQ-16

11.昇温脱離ガス分析法による脱ガスの定量分析法の検討

  • 平下紀夫, 時藤俊一, 内山泰三*, 日永康*
  • 沖電気工業(株) 超LSI研究開発センタ, *電子科学(株)
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):27a-ZL-8

12.TDS法によるSi表面の水素の研究

  • 高萩隆行, 名古屋浩貴, 長沢佳克, 石谷炯
  • 東レリサーチセンター
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):28a-ZD-7

13.TiN/Ti膜で被膜されたビアホールのガス放出特性

  • 松浦正純, 山口澄夫, 林出吉生, 古谷秀夫
  • 三菱電機(株) LSI研究所
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):29a-X-1

14.Perhydrosilazaneの成膜メカニズム

  • 長嶋隆, 原田秀樹
  • 富士通(株)
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):29a-X-10

15.昇温熱脱離分析によるオフアングル(111)Siウェーハ表面の評価

  • 龍田次郎, 小林弘之, 高橋功, 新行内隆之, 岡田千鶴子*
  • 三菱マテリアル 中研, *三菱マテリアルシリコン
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):29a-ZD-10

16.昇温熱脱離分析装置によるSiウェーハ表面の有機物評価

  • 岡田千鶴子, 森田悦郎, 井上文雄, 龍田次郎*, 新行内隆之*
  • 三菱マテリアルシリコン, *三菱マテリアル 中研
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):29a-ZD-11

17.コンタクトホール底Si表面の自然酸化膜のTDS観測

  • 中森雅治, 寺岡有殿*, 青砥なほみ, 青木秀充, 西山岩男*, 井川英治, 吉川公麿
  • 日本電気(株) マイクロエレ研, *光エレ研
  • 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋):17p-ZP-8

1992:論文・雑誌・本

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

  • Norio Hirashita, Masayuki Kobayakawa, Akira Arimatsu, Fumitaka Yokoyama, and Tsuneo Ajioka
  • Oki Electric Industry Co.,Ltd.
  • J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.Mechanisms of Surface Reaction in Fluorocarbon Dry Etching of Silicon Dioxide - An Effect of Thermal Excitation

  • N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
  • VLSI R&D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100)

  • Y.K.Sun, D.J.Bonser and Thomas Engel
  • Department of Chemistry BG-10. University of Washington
  • J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4.Preoxidation Si cleaning and its impact on metal oxide semiconductor characteristics

  • S.R.Kasi and M.Liehr
  • IBM Research Division, Thomas J.Watson Research Center
  • J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5.シリカガラス中のガスの分析法

  • 森本幸裕
  • ウシオ電機(株) 技術研究所
  • ニューセラミックス,9,65(1992)

6.TEOS/O3酸化膜中の水分によるホットキャリア耐性劣化とECR-SiO2膜を用いた劣化抑止法

  • 下山展弘, 高橋淳一, 町田克之, 村瀬克実, 峰岸一茂*, 土屋敏章
  • NTT LSI研究所, *NTT エレクトロニクス テクノロジー
  • 信学技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-33,51(1992)

7.MOSFET信頼性劣化のプラズマCVD SiO膜による抑制

  • 下川公明, 宇佐美隆志, 時藤俊一, 平下紀夫, 吉丸正樹
  • 沖電気工業(株) VLSI研究開発センタ
  • 信学技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-133,89(1992)

8.表面吸着分子の分析技術-昇温脱離分光法のULSIへの適用-

  • 岩崎裕
  • 大阪大学 産業科学研究所
  • リアライズ社 ブレークスルーセミナー資料No2, ULSI製造のための分析評価技術の構築-最先端分析評価技術の製造ラインへの適用-(1992.11)
  • 製品についてご相談・ご質問等ございましたら、お気軽にお問い合わせください。
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