2000～2004 - ESCO | 電子科学株式会社

2004：論文･雑誌･本

1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

• Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
• *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004：学会要旨

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
• Association of Super-Advanced Electronic Technologies
• Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

• Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
• Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

• Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
• 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
• Thin Solid Films,467,43(2004)

4.昇温脱離分析法におけるH2Oのパターン係数の決定法

• 常盤聡子*1, 西出利一*2, 橋詰昭夫*3, 宮林延良*3
• *1 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
• *1 日本大学工学部次世代工学技術研究センター, *2 日本大学工学部物質化学工学科, *3 電子科学(株)
• J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

 

2003：論文･雑誌･本

1.Different Adsorption States between Thiophene and α-Bithiophene Thin Films Prepared by Self-Assembly Method

• Eisuke ITO, Jaegeun NOH and Masahiko HARA
• Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research Systems, RIKEN
• Jpn.J.Appl.Phys.,42,852(2003)

2.Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition

• Kousaku Shimizu,JianJun Zhang,Jeong-Woo Lee and Jun-ichi Hanna
• Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta Midoriku Yokohama 226-8503 Japan
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol.762,pp.253-258(2003)

3.Quantitative Evaluation of the Photoinduced Hydrophilic Conversion Properties of TiO₂ Thin Film Surfaces by the Reciprocal of Contact Angle

• Nobuyuki Sakai, Akira Fujishima, Toshiya Watanabe, and Kazuhito Hashimoto
• *1)Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo
• *2)Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
• J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003：学会要旨

 

1.Water sorbability of Low-k dielectrics measured by Thermal Desorption Spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
• Asociation of Super-Advanced Electronic Technologies (ASET)
• Euorpian Cenference on Surface Science (ECOSS22), Abstract ID:17017(2003)

2.Surface fluorination of MgO protective film to reduce chemical reactivity with H2O and CO2

• Hideaki Sakurai, Ginjiro Toyoguchi, Yoshirou Kuromitsu
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Society for Information Display (SID) 03 DIGEST, 23.3(2003)

3.有機EL/Siの発行層に及ぼす電子注入層の影響

• 三富豊, 高橋秀明, 岩崎好孝, 蓮見真彦, 上野智雄, 黒岩紘一, 宮林延良*
• 東京農工大工, *電子科学(株)
• 第64回応用物理学会学術講演会(2003秋)：31p-YL-11

4.H2Oアッシングを用いたCVD-SiOC膜へのアッシングダメージ低減

• 山中通成，湯浅寛，大塚俊宏，坂森重則*
• 松下電器産業株式会社 導体社 プロセス開発センター、*(株)ルネサステクノロジ 生産技術本部 ウエハプロセス技術統括部
• 第64回応用物理学会学術講演会(2003秋)：31a-ZK-8，p.669

5.窒素プラズマ処理による層間絶縁膜の吸着水の防止

• 大塚俊宏，久都内知恵，今西貞之
• 松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
• 第64回応用物理学会学術講演会(2003秋)：2p-YC-1，p.706

6.Material Properties and Process Compatibility of Spin-on Nano-foamed Polybenzoxazole for Copper Damascene Process

• Takashi Enoki, Kenzo Maejima, Hidenori Saito, Akifumi Katsumura
• Fundamental Research Laboratory, Research Department, Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
• Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.740, 2003 Materials Research Society, I12.9.1

2002：論文･雑誌･本

1.Force Driving Cu Diffusion into Interlayer Dielectrics

• Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
• Association of Super-Advanced Electronics Technolugies
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,537(2002)

2.Formation of Ammonium Salts and Their Effects on Controlling Pattern Geometry in the Reactive Ion Etching Process for Fabricating Aluminium Wiring and Polysilicon Gate

• Shuichi Saito*1*2, Kazuyuki Sugita*1, Jyunichi Tonotani*2 and Masashi Yamage*2
• *1 Graduate School of Science and Technology, Chiba University, *2 Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide thin films fabricated by various deposition processes

• S.Seki*1, T.Aoyama*1, Y.Sawada*1, M.Ogawa*1, M.Sano*2, N.Miyabayashi*2, H.Yoshida*3, Y.Hoshi*1, M.Ide*4 and A.Shida*4
• *1 Graduate School of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics, *2 ESCO Ltd., *3 Geomatec Co., Ltd., *4 Yokohama City Center for Industrial Technology and Design
• J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4.昇温脱離法による透明導電膜の評価

• 澤田豊, 関成之, 青山剛志, 佐野真紀子*, 宮林延良*
• 東京工芸大学, *電子科学
• 透明導電膜の新展開・,第15章, 175(シーエムシー出版)

5.重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明

• 三谷祐一郎, 佐竹秀喜
• (株)東芝 研究開発センター
• 東芝レビュー, 57(11),34(2002)

6.青色発光BaAl2S4:Eu薄膜の熱処理過程評価

• 永野真一, 川西光弘, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学 理工学部 電子通信工学科
• 信学技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,EID2001-90,49(2002)

7.水素ガスを使ったチタニウム酸化膜の昇温脱離定量動的評価

• 山内康弘, 水野善之**, 田中彰博*, 本間禎一
• 千葉工業大学, *アルバック・ファイ(株), **スタンフォード大学スタンフォード線形加速器センター
• 真空,45(3),265(2002)

8.プラズマ・ディスプレイ・パネル用MgOの脱ガス特性

• 植田康弘, 黒川博志
• 三菱電機(株) 先端技術総合研究所
• 真空,45(2),97(2002)

9.表面の科学-化学反応の物理-

• 村田好正
• 東京大学名誉教授
• 岩波講座 物理の世界（岩波書店）

2002：学会要旨

1.昇温脱離法を用いたチタニアゲル膜の焼成プロセスの解析

• 矢部貴行，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日大工，*電子科学
• 2002年日本セラミックス協会 年会講演予稿集(2002年3月)：2I21

^2.18Oを含むゾルゲル法によるチタニアゲル膜の焼成プロセス

• 西出利一，矢部貴行，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日大工，*電子科学
• 2002年日本セラミックス協会 年会講演予稿集(2002年3月)：2I22

3.銅合金中の水素の拡散挙動に及ぼす析出相の影響

• 冨田英昭, 倉本繁*, 菅野幹宏**
• 東大院, *豊田中研, **東大工
• 日本金属学会春期大会講演概要(2002)；(1384)

4.昇温脱離ガス分析を用いた薄膜ガスセンサの研究

• 高橋修, 原和裕
• 東京電機大学
• 第63回応用物理学会学術講演会予稿集(2002秋)：24p-K-2

5.TDSを用いたAlq3分子蒸着過程の評価～Alq3精製の効果～

• 平井敦, 三富豊, 岩崎好孝, 蓮見真彦, 上野智雄, 黒岩紘一, ＊佐野真紀子, ＊宮林延良
• 東京農工大, ＊電子科学
• 第63回応用物理学会学術講演会予稿集(2002秋)：26p-ZH-1

6.青色発光BaAl₂S₄：Eu　EL素子の水定量分析

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学理工学部
• 第63回応用物理学会学術講演会予稿集(2002秋)：26p-ZD-14

2001：論文･雑誌･本

1.Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology

• Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
• ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,40,2679(2001)

2.Recovery of useful hydrocarbons from oil palm waste using ZrO2 supporting FeOOH catalyst

• T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
• Graduate School of Engineering, Kyoto University, Institute for Chemical Research, Kyoto University*, NGK Insulators LTD.**
• Chemical Engineering Science,56,897(2001)

3.Mechanism for low temperature activation of Mg-doped GaN with Ni catalysts

• (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)H.Miki, and M.Okuyama
• (1)Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, (2)Chichibu Research Laboratory, Central Reserch Laboratory, Showa Denko KK
• J.Appl.Phys.,90(12),6500(2001)

4.Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis

• N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama. M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, and N.Yabumoto
• Working Group of Equipment, Ultraclean Standardization Committee, Ultraclean Society
• J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001：学会要旨

1.昇温脱離分析を用いた材料の評価

• 宮林延良
• 電子科学
• 平成13年度 神奈川県産学公交流研究発表会(2001.10.19)

2.表面分析とTDS

• 佐野真紀子
• 電子科学
• 第4回 実用表面分析セミナー(2001.11.9)

3.ゾルゲル法によるチタニアゲル膜の昇温脱離法を用いた焼成プロセスの解析

• 矢部貴行, 西出利一, ＊宮林延良, ＊佐野真紀子
• 日本大学　工学部, ＊電子科学
• 日本セラミックス協会 第14回秋季シンポジウム講演予稿集：2B04

4.ガス選択吸着特性を有する無機・有機ハイブリッドの作製と評価

• 山田紀子, 久保祐治, 片山真吾
• 新日本製鐵㈱　先端技術研究所
• 日本セラミックス協会 第14回秋季シンポジウム講演予稿集：3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

• Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
• Department of Mechanical Engineering, Sophia University
• 日本材料学会 50周年国際シンポジウム(2001.05)

6.Al2O3，ZrO2の環境脆化と水、水素の存在状態解析

• 野口和彦, 高井健一, 久森紀之, 野末章
• 上智大学　理工学部
• 第129回日本金属学会秋期講演大会、No.100.

7.石英ガラスファイバの環境脆化と水、水素の存在状態解析

• 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大学　理工学部
• 第129回日本金属学会秋期講演大会、No.99.

8.ゾルゲル法によるハフニア薄膜の昇温脱離法による焼成過程の検討

• 阿達金哉，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日大工，*電子科学
• 2001年日本セラミックス協会 年会講演予稿集(2001年3月)：2K26

9.18Oを含むゾルゲル法によるハフニア薄膜の焼成過程

• 西出利一，阿達金哉，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大学工学部，*電子科学
• 2001年日本セラミックス協会 年会講演予稿集(2001年3月)：2K27

10.昇温脱離法によるITO透明導電膜の検討

• 関成之，澤田豊，*宮林延良，*佐野真紀子，**井出美江子
• 東京工芸大学，*電子科学，**横浜市工技支援セ
• 2001年日本セラミックス協会 年会講演予稿集(2001年3月)：2K28

11.窒化ケイ素粉末の酸素挙動(Ⅱ)

• 別府義久，安藤元英，大司達樹*
• シナジー研，*名工研
• 2001年日本セラミックス協会 年会講演予稿集(2001年3月)：2A34

12.昇温脱離法によるAl2O3とZrO2中の水、水素の存在状態解析

• 野口和彦，太田雅人，高井健一，久森紀之，野末章
• 上智大理工
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(1002)

13.石英ガラスファイバの環境脆化に及ぼすH2O，H2の影響

• 山田大策，野田武，高井健一，野末章
• 上智大理工
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(1071)

14.Ni-Ti合金の水素拡散速度と生体内脆化

• 浅岡憲三，横山賢一
• 徳島大･歯
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(126)

15.fcc　Pd-Fe合金における水素放出スペクトルに及ぼすFe含有量の効果

• 山下博史，*原田修治
• 新潟大学大学院生，*新潟大学工学部
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(194)

16.BCC型Ti-Al-Zr合金の水素誘起アモルファス化

• 宮島啓将，*石川和宏，*青木清
• 北見工大，*北見工大工
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(211)

17.ナノ構造化グラファイト-水素系の脱水素化過程

• 松島智善，折茂慎一，藤井博信
• 広島大総合科
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(212)

18.Ti3Al基合金の水素吸蔵特性(化学量論比のずれの効果)

• 小島佑介，渡辺宗能，*田中一英
• 名工大(院)，*名工大･工
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(214)

19.二元Ti-Al合金の水素吸蔵･放出特性

• 橋邦彦，*石川和宏，**鈴木清策，*青木清
• 北見工大院，*北見工大工，**NSW大，
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(215)

20.LaNi5の転移導入とプロチウム･トラップ

• 山本篤史郎，*乾晴行，*山口正治
• 京大工･院，*京大･工
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(218)

21.LaNi5における残留水素に対する格子欠陥の影響

• 榊浩司，*竹下博之，*栗山信宏，**村上幸男，**水林博，***荒木秀樹，***白井泰治
• 阪大･院，*大工研，**筑波大，***阪大･工
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(219)

22.メカニカルアロイング法により作製したTi-Zr-Ni系準結晶およびアモルファス粉末の水素吸放出特性の比較

• 高崎明人，*韓昶浩，**古谷吉男
• 芝浦工大･工，*芝浦工大(院)，**長崎大教育
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(222)

23.(Mg，Yb)Ni2合金の水素吸蔵

• 大津秀貴，神田和幸，*石川和宏，*青木清
• 北見工大院，*北見工大工
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(230)

24.低温で吸放出可能な高容量ナノ複合化Mg薄膜

• 樋口浩一，梶岡秀，間島清和，本多正英，*山本研一，**折茂慎一，藤井博信
• 広島県西部工技セ，*マツダ(株)，**広島大総合科
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(231)

25.水素吸蔵処理による5083Al材の結晶粒微細化と機械的性質

• 船見国男，*佐野龍聖
• 千葉工大工学部，*千葉工大院生
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(256)

26.カソード水素吸収に伴うSUS304ステンレス鋼の硬度の増加

• 羽木秀樹
• 福井工業大学
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(264)

27.フェライト鋼のヘリウム･重水素の吸蔵特性

• 高尾康之，*岩切宏友，*吉田直亮
• 九大･大学院，*九大･応力研
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(64)

28.Mg2Ni/LaNi5複合材の組織およびプロチウム吸･脱蔵特性

• 奥村勇人，松井旭紘，山際真太郎，鎌土重晴，小島陽
• 長岡技科大(工)
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(928)

29.ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO2 FILMS

• Akira Izumi, Hidekazu Sato and Hideki Matsumura
• JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
• Materials Research Society Symposium Proceedings，Vol. 670，pp. K7.8.1-K7.8.6，2001

30.Ni触媒を用いたMgドープGaNの低温活性化のメカニズム

• 脇一太郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 東大工, ＊昭和電工　　
• 第62回応用物理学会学術講演会予稿集(2001秋)：11p-Q-2

31.遷移金属触媒層を用いたMgドープGaNの低温活性化

• 脇一太郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 東大工, ＊昭和電工　　
• 第62回応用物理学会学術講演会予稿集(2001秋)：11p-Q-3

32.H＋イオン注入にたSiのデラミネーション(ESR評価)

• 佐々木志保, 和泉富雄, ＊原徹
• 東海大学工, ＊法政大工　
• 第62回応用物理学会学術講演会予稿集(2001秋)：12a-V-7

33.カーボンナノチューブから脱離するガスのTDS分析

• 岡井誠, 宗吉恭彦, 矢口富雄, 林伸明
• 日立ディスプレイグループ
• 第62回応用物理学会学術講演会予稿集(2001秋)：12a-ZT-4

34.Radical Shower-CVDにおける膜質制御

• 熊谷晃, 石橋啓次, 張宏, 田中雅彦, 北野尚武, 徐舸, 横川直明, 池本学
• アネルバ　
• 第62回応用物理学会学術講演会予稿集(2001秋)：13a-C-7

35.エピタキシャル成長SrRuO3薄膜特性の成膜法依存性

• 高橋健治, 及川貴弘, ＊斎藤啓介, 舟窪浩
• 東工大物創, ＊日本フィリップス　
• 第62回応用物理学会学術講演会予稿集(2001秋)：13a-ZR-8

36.昇温脱離ガス分光法を用いた青色発光BaAl2S4：Eu薄膜の熱処理過程分析

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学　
• 第62回応用物理学会学術講演会予稿集(2001秋)：14a-P14-12

37.流量変調操作CVDを用いたTiN薄膜合成における塩素脱離プロセスの解析

• 霜垣幸浩, 濱村浩孝
• 東大工　
• 第62回応用物理学会学術講演会予稿集(2001秋)：14a-X-3

38.TDSを用いたAlq3分子蒸着過程の評価とその応用

• *平井敦, *岩崎好孝，*逢見真彦，*，**上野智雄，*黒岩紘一，***佐野真紀子，***宮林延良
• *東京農工大・工，**現, 新エネルギー・産業省技術総合開発機構(NEDO)，***電子科学
• 第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2001.3　明治大学)；29p-ZN-12

39.SiO2薄膜を通してH+イオン注入したSiのデラミネーション(ESR評価)

• 佐々木志保，和泉富雄，*原徹
• 東海大工，*法政大工
• 第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2001.3　明治大学)；30a-P11-7

40.昇温脱離分析法による環境計測用センサの動作解析

• 横山達也，原和裕
• 東京電機大
• 第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2001.3　明治大学)；30p-ZR-10

41.MgドープGaNの低温活性化(1)-O3、N2O中熱処理効果-

• 脇一太郎，藤岡洋，尾嶋正治，*三木久幸，*蕗澤朗
• 東大院・工，*昭和電工(株)秩父研究室
• 第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2001.3　明治大学)；31p-K-2

42.真空中昇温におけるa-Ge:H膜の水素結合状態と膜質評価(Ⅲ)

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 東京工芸大学大学院･連携最先端技術研究センター
• 第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2001.3　明治大学)；28a-ZL-8

43.水素ガスを使ったチタニウム酸化膜の昇温脱離動的評価

• 山内康弘，水野善之，*田中彰博，本間禎一
• 千葉工業大学，*アルバック･ファイ(株)
• 第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2001.3　明治大学)；29p-ZF-6

44.石英ガラスからの反跳トリチウムガス放出

• 那須昭一，文雅司，*谷藤隆昭，*実川資郎
• 金沢工業大学，*日本原子力研究所
• 第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2001.3　明治大学)；29p-ZL-11

45.水素原子の固相トンネル反応を利用した半導体薄膜形成のための極低温反応装置の開発(Ⅱ)

• 佐藤哲也，鈴木克憲，高橋幸則，菱木繁臣，岡崎重光，中川清和，平岡賢三，*佐藤昇司，*宮田千治，**高松利行
• 山梨大工，*ミヤ通信工業，**SST
• 第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2001.3　明治大学)；30a-ZT-7

2000：論文･雑誌･本

1.Comparative Study of Hydride Organo Siloxane Polymer and Hydrogen Silsesquioxane

• Sung-Woong Chung, Sub-Young Kim, Joo-Han Shin, Jun Ki Kim and Jinwon Park
• Memory R&D Division, Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,39,5909(2000)

2.昇温脱離分析法による分子性汚染の評価とデバイスへの影響

• 平下紀夫
• 沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
• リアライズ社, 半導体クリーン化技術シリーズ基礎講座[UCT-10]

3.供析鋼の水素吸蔵特性に及ぼす恒温変態温度および伸線加工の影響

• 高井健一, 野末章
• 上智大学理工学部機械工学科
• 日本金属学会誌,64,669(2000)

4.DRAM用Ta2O5キャパシター形成技術

• 神山聡
• 日本電気(株) システムデバイス基礎研究本部
• 応用物理,69,1067(2000)

5.プラズマディスプレーパネル用MgO膜の蒸着時酸素分圧とガス吸着特性

• 沢田隆夫, 渡部勁二*, 福山敬二, 大平卓也, 衣川勝, 佐野耕**
• 三菱電機(株) 先端技術総合研究所, *(株)エバレム, **三菱電機(株) ディスプレーデバイス統括事業部
• 真空,43(10),973(2000)

6.Characterization of Low-Dielectric-Constant Methylsiloxane Spin-on-Glass Films

• Noriko Yamada and Toru Takahashi
• Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. 1070-1073

2000：学会要旨

1.結晶性の異なるAlOOHの加熱相変化

• 永島徹, 亀島欣一, 安盛敦雄, 岡田清, *佐野真紀子
• 東工大院理工, *電子科学
• 日本セラミックス協会 第13回秋期シンポジウム 要旨集

2.固体NMRによる酸化ケイ素及びその構造解析

• 荒又幹夫，福岡宏文，藤岡一俊
• 信越化学群馬事業所
• 第61回分析化学討論会(2000.05.18長岡リリックホール)：2H14

3.Hydrogen distributions near the SiO2-Si interface

• Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
• Analysis Technology Development Division, NEC Corporation, *Faculty of Engineering, Seiseki University
• The Proceeding of the Second International Symposium on SIMS and Related Techniques(2000.11)

4.昇温脱離法によるHfO2薄膜の焼成過程の研究

• 阿達金哉, 西出利一, 宮林延良*, 佐野真紀子*
• 日大工, 電子科学*
• 日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会 第20回基礎科学部会東北北海道地区懇話会(2000秋)：1P19

5.昇温脱離法によるHfO2膜の解析

• 佐野真紀子, 宮林延良, 阿達金哉*, 西出利一*,
• 電子科学, *日大工
• 第4回実用表面分析講演会(2000.12.8)：P1-10

6.石英ガラスファイバの環境脆化に及ぼすH2O、H2の影響

• 野田武, 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大学理工
• 日本金属学会秋期大会講演概要(2000) p509

7.石英ガラスファイバの環境脆化に及ぼす水および水素の影響

• 高井健一, 野田武, 野末章
• 上智大学 理工
• (社)日本鉄鋼協会 材料の組織と特性部会 科学技術振興調整費総合研究 第5回成果報告会シンポジウム 概要集p7(2000秋)

8.石英ガラスファイバの環境脆化に及ぼすH2O，H2の影響

• 高井健一, 野田武, 河村真次, 野末章
• 上智大学 理工
• 第1回マイクロマテリアルシンポジウム講演論文集p43(2000秋)

9.低誘電率多孔質膜のICP酸素プラズマ照射による膜質変化

• 藤内篤, 荒尾弘樹, 江上美紀, 中島昭, 近藤英一*, 浅野種正*
• 触媒化成工業(株)ファイン研究所, 九州工業大学マイクロ化総合技術センター*
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4a-P4-18

10.昇温脱離分析法におけるシリコン基板温度の校正法1 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東レリサーチセンター), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝マイクロエレクトロニクス), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下テクノリサーチ), 森田瑞穂(阪大)
• UCS 半導体基盤技術研究会 標準化委員会 装置部会
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4p-ZC-10

11.昇温脱離分析法におけるシリコン基板温度の校正法2 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東レリサーチセンター), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝マイクロエレクトロニクス), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下テクノリサーチ), 森田瑞穂(阪大)
• UCS 半導体基盤技術研究会 標準化委員会 装置部会
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4p-ZC-11

12.昇温脱離分析法におけるシリコン基板温度の校正法3 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東レリサーチセンター), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝マイクロエレクトロニクス), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下テクノリサーチ), 森田瑞穂(阪大)
• UCS 半導体基盤技術研究会 標準化委員会 装置部会
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4p-ZC-12

13.昇温脱離分析法におけるシリコン基板温度の校正法4 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東レリサーチセンター), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝マイクロエレクトロニクス), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下テクノリサーチ), 森田瑞穂(阪大)
• UCS 半導体基盤技術研究会 標準化委員会 装置部会
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4p-ZC-13

14.高選択比酸化膜エッチングにおける表面反応層の解析

• 小澤信夫, 辰巳哲也, 石川健治, 栗原一彰, 関根誠
• ASET プラズマ研
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：6a-ZF-8

15.薄いSIO2膜を通して高濃度H+イオンを注入したSiのアニール特性

• 佐々木志保, 宇治川浩章, チョウドゥリ・エルシャド・アリ, 和泉富雄, 原徹*
• 東海大工, 法政大工*
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：6p-ZD-17

16.Ｗポリサイド膜のエッチング特性

• 福永裕之, 長友美樹, 斎藤秀一
• (株)東芝 生産技術センター
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：7a-W-8

17.ウェーハ表面吸着有機物の吸脱着挙動2

• 白水好美, 高田俊和, 駒田香織*
• 日本電気(株), NECソフト(株)*
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：3p-ZC-7

18.HMDSOを用いたプラズマCVD法による低誘電率膜の成膜(1)－酸化剤にN2Oを用いて－

• 山本陽一, 猪鹿倉博志, 石丸智美, 小竹勇一郎, 大河原昭司, 塩谷喜美*, 大平浩一*, 前田和夫*
• キヤノン販売(株), (株)半導体プロセス研究所*
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4a-P4-21

19.NH3/SiF4系a-SiNx:Fによるゲート窒化膜の極低温形成(II)

• 大田裕之, 堀勝, 後藤俊夫
• 名古屋大学・工
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：5a-ZD-4

20.Si(100)2×1上のセシウム酸化物のTDS，UPS

• 石躍晶彦, 藤井孝司, 豊島誠也, 浦野俊夫, 本郷昭三
• 神戸大工
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：6a-S-1

21.ゾルゲル法によるHfO2薄膜へのフッ化アルコールの吸着

• 阿達金哉，西出利一，渡部修*，高瀬つぎ子*，宮林延良**
• 日本大学工学部，福島県ハイテクプラザ*，電子科学(株)**
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29a-ZG-3

22.低誘電率絶縁膜を用いたダマシン配線構造における容量の温度依存性

• 東和幸，松永範昭，中田鎮平，柴田英毅
• (株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-YA-11

23.各種ウエットプロセス処理による有機ポリマー系低誘電率絶縁膜PAEへの影響

• 北沢良幸，友久伸悟，西岡康隆，保田直紀，村中誠志*，後藤欣哉*，松浦正純*，豊田良彦，大森達夫
• 三菱電機(株)先端技術総合研究所，ULSI技術開発センター*
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-YA-16

24.プラズマ重合法によるBCB膜の誘電率低減

• 多田宗弘，川原潤，林喜宏
• NECシリコンシステム研究所
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-YA-8

25.Investigation of Correlation between Structures and Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
• FRS RIKEN, Saitama Univ.*
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-YA-8

26.フッ素化アルカンチオール自己組織化単分子膜の吸着・脱離課程に関する研究

• 鈴木章弘1，奥出由利子1，中村史夫2，原正彦12，玉田薫3，福島均4，T.R.Lee5
• 東工大総理工1，理研2，物質研3，セイコーエプソン4，ヒューストン大5
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-YA-8

27.Siウェハ表面における水分及び有機物吸着状態の解析

• 森本敏弘，上村賢一
• 新日本製鐵(株)先端技術研究所
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：28p-YH-7

28.低誘電率SOG中の官能基のプラズマ反応性

• 近藤英一，弓井俊哉，浅野種正，荒尾弘樹*，中島昭*
• 九州工業大学マイクロ化総技術センター，触媒化成工業(株)，ファイン研究所*
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29a-YA-10

29.チタニウムの表面研磨によるガス放出特性

• 岡田隆弘，田中彰博，水野善之，本間禎一
• 千葉工業大学，アルバック・ファイ(株)*，日本バルカー工業(株)**
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29a-ZG-1

30.Ta2O5/TiNx/Si(x>1)のアニール時にTiN層から放出される過剰窒素

• N.Yasuda*,***，H.C.Lu*，E.Garfunnkel*，T.Gustafsson*，J.P.Chang**，G.Alers**
• Rutgers University*，Lucent Technologies**，On leave from Toshida Corporation***
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29a-ZG-3

31.昇温脱離法によるアモルファスシリコン膜中水素の定量

• 稲吉さかえ，斉藤一也，橋本征典*，浅利伸*
• 日本真空技術(株)筑波超材研，同千葉超材研*
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-ZH-1

32.真空中昇温におけるa-Ge:H膜の水素結合状態と膜質評価

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 東京工芸大学大学院・連携最先端技術研究センター
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-ZH-6

33.グロー放電法により作製したa-SiC:Hの膜構造と表面観察（II）

• 本橋光也，曽江久美，本間和明
• 東京電機大学工学部
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-ZH-9

34.水素終端Si(111)表面上での選択的水素脱離によるダングリングボンドワイヤー列の形成

• 井上浩介，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
• 広島大学工学部
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：30p-YH-11

35.ケイ素系化合物の状態解析への固体NMRの応用

• 荒又幹夫
• 信越化学群馬事業所
• 第26回固体NMR・材料研究会(2000.05.08京都平安会館)

36.HfO2薄膜の昇温脱離法による焼成プロセスおよび表面状態の研究

• 阿達金哉, 西出利一, *宮林延良, *佐野真紀子
• 日大工, *電子科学
• 第36回熱測定討論会講演要旨集,90(2000秋)

37.CeO2薄膜の昇温脱離法による表面状態の研究

• 西出利一, 常磐聡子, *宮林延良, *佐野真紀子, **佐藤誓
• 日大工, *電子科学, **日産アーク
• 第36回熱測定討論会講演要旨集,92(2000秋)

38.金属酸化物薄膜のTDSによる表面解析

• 西出利一
• 日本大学 工学部
• 第8回ＴＭＳ研究会予稿集p4(2000.4.28)